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CSD97394Q4M CSD97394Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級

數據:

描述

CSD97394Q4M NexFET功率級的設計經過高度優化,適用于針對高功率,高密度同步降壓轉換器。這個產品集成了驅動器集成電路( IC)有一個內容可選二極管仿真功能,此功能可啟用斷續傳導模式(DCM)運行來提升輕負載效率。此外,驅動器IC支持ULQ模式,IC)和NexFET技術來完善功率級開關功能。此模式支持針對Windows 8的聯網待機功能。借助于三態PWM輸入,靜態電流可減少至130μA,并支持立即響應。當跳過#保持在三態時,電流可減少至8μA(恢復切換通常需要20μs )。這個組合在小型3.5 x 4.5mm外形尺寸封裝中實現具有高電流,高效和高速開關功能的器件。此外,印刷電路板(PCB)封裝已經過優化,可幫助減少設計時間并簡化總體系統設計的完成。

特性

  • 15A電流時系統效率達90%
  • 最大額定持續電流20A,峰值45A
  • 高頻運行(高達2MHz)
  • 高密度 - 3.5×4.5mm小外形尺寸無引線封裝(SON)尺寸
  • 超低電感封裝
  • 系統已優化的印刷電??路板(PCB)封裝
  • 超低靜態(ULQ)電流模式
  • 與3.3V和5V脈寬調制(PWM)信號兼容
  • 支持強制連續傳導模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 輸入電壓高達24V
  • 三態PWM輸入
  • 集成引導加載二極管
  • li>
  • 擊穿保護
  • 符合RoHS綠色環保標準 - 無鉛端子鍍層
  • 無鹵素

應用范圍

  • 超級本/筆記本DC /DC轉換器
  • 多相Vcore和DDR解決方案
  • 在網絡互聯,電信,和計算系統中的負載點同步降壓

所有商標均為其各自所有者的財產。所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD97394Q4M
30 ? ?
2.2 ? ?
12 ? ?
20 ? ?
PowerStage ? ?
SON 3.5x4.5 PowerStage ? ?
-40 to 150 ? ?
8VSON-CLIP ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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