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      TLC372-EP 增強型產品 Lincmos 雙路差動比較器

      數據：

      描述

      該器件采用LinCMOS制造？該技術由兩個獨立的電壓比較器組成，每個電壓比較器均設計為采用單電源供電。如果兩個電源之間的差異為4 V至18 V，也可以使用雙電源供電。每個器件都具有極高的輸入阻抗（通常大于10 12 ），允許直接與高阻抗源接口。輸出為n溝道開漏配置，可以連接以實現正邏輯線與關系。

      TLC372具有內部靜電放電（ESD）保護電路，并已分類為2000-使用人體模型（HBM）測試的V ESD額定值。但是，在處理此器件時應小心，因為暴露于ESD可能會導致器件參數性能下降。

      TLC372的工作溫度范圍為-55°C至125°C。

      特性

      • 受控基線
        • 一個裝配/測試現場，一個制造現場
      • -55°C至125°C的擴展溫度性能
      • 增強的減少制造資源（DMS）支持
      • 增強產品更改通知
      • 資格譜系（1）
      • ESD保護超過MIL-STD-883的2000 V，方法3015;使用機器型號超過100 V（C = 200 pF，R = 0）
      • 單電源或雙電源供電
      • 供電電壓范圍廣。 。 .4 V至18 V
      • 極低電源電流漏極。 。 .150μA典型值，5 V
      • 快速響應時間。 。 。用于TTL電平輸入的200 ns典型步驟
      • 內置ESD保護
      • 高輸入阻抗。 。 。 10 12 Typ
      • 極低的輸入偏置電流。 。 .5 pA Typ
      • 超穩定低輸入失調電壓
      • 最壞情況輸入條件下的輸入失調電壓變化通常為0.23μV/月，包括前30天
      • 共模輸入電壓范圍包括接地
      • 輸出兼容TTL，MOS和CMOS
      • 引腳與LM393兼容

      （1）符合JEDEC和行業標準的元件認證，確保在擴展溫度范圍內可靠運行。這包括但不限于高加速應力測試（HAST）或偏壓85/85，溫度循環，高壓釜或無偏HAST，電遷移，鍵合金屬間壽命和模塑化合物壽命。此類鑒定測試不應被視為超出規定性能和環境限制使用此組件的合理性。

      LinCMOS是德州儀器的商標。

      參數 與其它產品相比?比較器

      ?
      Number of Channels (#)
      Output Type
      Vs (Min) (V)
      Vs (Max) (V)
      Propagation Delay Time (uS)
      Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
      Iq per channel (Max) (mA)
      Input Bias Current (+/-) (Max) (nA)
      Rail-to-Rail
      Features
      Rating
      Operating Temperature Range (C)
      Package Group
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      VICR (Max) (V)
      VICR (Min) (V)
      TLC372-EP
      2 ? ?
      Open Collector
      Open Drain ? ?
      4 ? ?
      16 ? ?
      0.2 ? ?
      5 ? ?
      0.15 ? ?
      0.03 ? ?
      Out ? ?
      N/A ? ?
      HiRel Enhanced Product ? ?
      -55 to 125 ? ?
      SOIC ? ?
      8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
      15 ? ?
      0 ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 TLC372-EP 相關庫存

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