• 軍用（M）-55°C至125°C
• 特殊（S）-55°C至100°C
• 商業(yè)（C）-25°C至85°C
• 商業(yè)（L）0°C至70°

• C40-60：
  33-ns指令周期時(shí)間：
  60 MFLOPS， 30 MIPS，330 MOPS，384 MBps
• C40-50：
  40-ns指令周期時(shí)間：
  50 MFLOPS，25 MIPS，275 MOPS，320 MBps
• C40-40：
  50-ns指令周期時(shí)間：
  40 MFLOPS，20 MIPS，220 MOPS，256 MBps

• 高端口數(shù)據(jù)速率100 MBytes /s（每個(gè)總線(xiàn)）
• 16G字節(jié)連續(xù)編程/數(shù)據(jù)/外設(shè)地址空間
• 存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)請(qǐng)求快速，智能總線(xiàn)仲裁
• 單獨(dú)的地址，數(shù)據(jù)和控制使能引腳
• 四組存儲(chǔ)器控制信號(hào)支持硬件中不同的速度存儲(chǔ)器
< /ul>
• 包裝：
  • 325針陶瓷網(wǎng)格陣列（GF后綴）
  • 352-Lead Ceramic Quad Flatpack（HFH Suffix）
  < li> 324-Pad JE DEC標(biāo)準(zhǔn)TAB框架
• 使用德州儀器（TI）的增強(qiáng)型高性能注入CMOS（EPIC ??）技術(shù)制造
• 單獨(dú)的內(nèi)部程序，數(shù)據(jù)和DMA協(xié)處理器總線(xiàn)，用于支持程序和數(shù)據(jù)吞吐量的大規(guī)模并行輸入/輸出（I /O），最大化持續(xù)中央處理單元（CPU）性能
• 片上程序高速緩存和雙 - 訪(fǎng)問(wèn)/單周期RAM，提高內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)性能
  • 512字節(jié)指令緩存
  • 8K字節(jié)的單周期雙訪(fǎng)問(wèn)程序或數(shù)據(jù)RAM
  • 基于ROM的引導(dǎo)加載程序支持在任何一個(gè)通信端口上使用8位，16位或32位存儲(chǔ)器進(jìn)行程序啟動(dòng)

IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990，IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試訪(fǎng)問(wèn)端口和邊界掃描架構(gòu)。
EPIC和TI是德州儀器公司的商標(biāo)。