無線互聯市場正承載著物聯網的東風呈現爆炸式的增長。據悉，到2017年，WiFi產品的年度預計出貨可望達30億，而物聯網在2020年的年度出貨預計為500億。與此同時，為推動物聯網設備的進一步普及，業界正在積極研發成本低至1美元的物聯網傳感器節點，而這也意味著傳統的GaAs或SiGe材料幾乎難有任何利潤空間，對此，RF廠商正醞釀以CMOS芯片代替傳統的解決方案，達到縮減生產成本，迎合物聯網大潮的目的。

　　無線傳感器節點對于物聯網來說，是實現設備互聯的必要“通道”，因此相關業者對于其中RF芯片的成本格外地重視。盡管目前砷化鎵（GaAs）RF芯片仍是市場主流，出貨量所占比例高達九成，但是隨著RF成本壓力的遞增，未來以CMOS為首的低成本低功耗高性能RF方案將成為物聯網市場的“新寵”。

　　
　　RFaxis全球銷售副總裁Raymond Biagan表示，RFeIC技術可為眾多以無線通信作為主要平臺的應用領域提供支持，主要包括寬帶、移動設備和物聯網。

　　而RFaxis公司的純CMOS芯片則在封裝規格、性能和成本等各方面都具備了誘人的前景。自2008年成立以來，致力于新一代無線互聯和移動網絡射頻解決方案的無晶圓半導體廠商RFaxis，一直堅持采用CMOS技術來實現RF芯片的解決方案，憑借獨具創新特色的CMOS RFeIC架構以及完整的產品鏈條，RFaxis獲得了包括高通在內的眾多物聯網設備供應商的廣泛認可。

　　Biagan指出，傳統的GaAs材料因為提煉難度高，導致在生產和設計方面成本居高不下，而CMOS所來源的硅材料由于廣泛存在于泥土沙石中，擁有大規模生產的可能，因此在價格上具有先天優勢。以RFaxis的純CMOS芯片為例，在性能足以媲美GaAs產品的前提下，能夠降低一半以上的制造和測試成本。

RFaxis 純CMOS RF方案與競爭對手的GaAs和BiCMOS方案相比，在更小封裝尺寸，更低功耗和高性能上表現出色。

　　此外，CMOS 材料在驅動和運作RF芯片的功耗方面也占盡優勢。GaAs和SiGe RF芯片基于制程和材料特性，至少要導通2.6V的電壓才能驅動，并須供應3.3或5V電壓才能持續運作；相較之下，CMOS僅需1.2V驅動電壓和2.4V運作電壓，在系統電流相等的前提下，省電效益高達 30～40%，極大地提升了RF芯片的傳輸效率和線性度。

　　在整合度上，CMOS RF芯片同樣完成了顛覆性的創舉。過去，射頻前端模組是由增加傳輸距離的概率放大器，優化接收靈敏度的低噪聲放大器和天線開關等多個分立電路拼接而成，而RFaxis的RFeIC架構能夠將這些關鍵性的功能器件納入一個純CMOS單芯片中，為工程師爭取更多的設計空間，以達到物聯網設備對于RF芯片的小尺寸要求。

　　
　　RFaxis的RFeIC產品涵蓋2.4 GHz到5 GHz頻段，可支援各類無線標準，包括Bluetooth、Zigbee、WLAN、802.11n/MIMO、WiMAX、WHD以及多種行動通訊標準。

　　現在看來，CMOS RF芯片的確擁有眾多GaAs和SiGe所無法比擬的優勢，RFaxis以其獨到的眼光和毫不動搖的毅力堅持走在了這條路上，并且走到了業界的最前端?！癛Faxis并不滿足于此。”Biagan強調，“我們正在積極推廣CMOS RFeIC解決方案于全球市場的覆蓋率，為此，我們將與亞太區第一大電子元器件分銷商世平集團合作；另一方面，RFaxis也將在臺北增設FAE實驗室，為亞太區的廣大設計群體實現低成本物聯網應用解決方案提供更加及時高效的支持。”

　　Biagan還透露，RFaxis將于2014年第四季度推出采用納米技術的射頻前端系列產品——Nucleus，初始設備Nucleus 45是一款采用40納米CMOS制程的5GHz 802.11ac射頻前端積體電路。RFaxis還將計劃推出下一代的Nucleus 2系列產品，從而提供從40納米向28納米制程節點的無縫遷移。
?