高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展
氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩定性好、禁帶寬度大、紫....
湖南科技大學材料學院在半導體器件散熱領域取得新進展
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領....
中瓷電子購買博威公司/國聯萬眾股權獲深交所受理
據悉，本次募集配套資金擬在支付本次重組相關費用后投入氮化鎵微波產品精密制造生產線建設項目、通信功放與....
星宇股份與地平線達成戰略合作，以“車規級芯片+算法”助力智能制造
星宇股份副總經理、研究院院長林樹棟表示：“星宇有著三十年車燈行業經驗，具備端到端定制開發、生產的能力....
大眾汽車！開始導入碳化硅基板開發車用逆變器
大眾汽車集團運營與策略半導體工作小組 COMPASS 的負責人 Karsten Schnake 表示....
Q4凈利大漲66.4％！意法半導體將擴增碳化硅產能
意法半導體26日預估，截至2023年4月1日的今年一季度營收預測中間點將季減5.1%±350個基點至....
梅賽德斯-奔馳新一代動力總成系統將采用碳化硅器件
賽德斯-奔馳采購與供應商品質負責人 Gunnar Güthenke 博士表示：“我們兩家公司長期以來....
半導體國產替代持續加速IGBT、SiC和車載傳感器前景可期
2021年全球半導體設備零部件市場規模約為513億美元;根據SEMI關于全球半導體設備市場規模的預測....
DFG8541可以加工最大尺寸為8英寸的硅和SiC晶圓
為此，DISCO開發了DFG8540的后繼設備DFG8541，旨在保持高清潔度的同時穩定減薄，并提高....
工信部將加大新材料、新一代信息技術、高端裝備等培育支持力度
近期，工信部會同有關部門出臺了加力振作工業經濟的17條政策舉措，在擴大市場需求、提升供給質量等方面作....
3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇
研究人員對文獻中關于3C-SiC的實測熱導率一直存在一個困惑：3C-SiC低于結構更復雜的6H-Si....
協同鈍化和梯度維度鈣鈦礦類材料實現高效近紅外發光二極管
這項工作不僅揭示了甲脒鉛基鹵化物鈣鈦礦體系中多維度鈣鈦礦的存在，而且發現了一種鎘基新型零維類鈣鈦礦材....
國星光電第三代半導體新品NS62m功率模塊上線
在“雙碳”目標背景下，我國電力系統將向以新能源為主體的新型電力系統轉型，儲能作為靈活調節電源在新型電....
4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析
本文通過導模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析....
Wolfspeed將向捷豹路虎下一代電動車供應SiC器件
Wolfspeed 先進碳化硅（SiC）技術將在汽車逆變器中重點采用，管理從電池到電機的功率傳輸。首....
第三代半導體GaN商業化的里程碑
憑藉在第三代半導體GaN制造方面的專業知識、強大科研技術團隊及研發能力，宏光半導體近年積極實現相關業....
恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術（CVD）
采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長質量，是“長快、長厚、長大”的核心技術方向之一。....
碳化硅單晶襯底加工技術的工藝及現狀研究
作為半導體產業中的襯底材料，碳化硅單晶具有優異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件....
柵極驅動器和偏置電源注意事項
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L ....
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