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• 發布了文章 2025-12-08 10:43

  選型手冊：VS6614DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓雙路供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-08 10:32

  選型手冊：VS3622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-05 11:41

  選型手冊：VS4401AKH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-05 11:38

  選型手冊：VS1696GTH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS1696GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-05 11:16

  選型手冊：VSO009N06MS-GA N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSO009N06MS-GA是一款面向65V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-05 09:51

  選型手冊：VS3508AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電源場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-05 09:38

  選型手冊：VS3508AP-K P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電源場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-04 09:59

  選型手冊：VS4610AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4610AD是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導體 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-04 09:57

  選型手冊：VS3522AE P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS3522AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓電源切換、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電源場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發布了文章 2025-12-04 09:43

  選型手冊：VS2646ACL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4

  MOS 仁懋電子 晶體管

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