動態

• 發布了文章 2025-12-30 14:58

  選型手冊：VSE011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  MOS 威兆半導體 晶體管

  247瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-30 11:59

  選型手冊：VSP005NE8HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：85V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導體 晶體管

  291瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-30 10:55

  選型手冊：VSI008N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半導體 晶體管

  257瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-29 11:52

  選型手冊：VSO013N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時1

  MOS 威兆半導體 晶體管

  313瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-29 11:30

  選型手冊：VST018N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導體 晶體管

  397瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-29 10:24

  選型手冊：VS7N65AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關、小功率DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導體 晶體管

  317瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-29 10:03

  選型手冊：VSD007N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSD007N06MS是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半導體 晶體管

  253瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-29 09:53

  選型手冊：VSF013N10MS3-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220SF封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導體 晶體管

  749瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-26 12:01

  選型手冊：VSP020P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P溝道耐壓為負值，適配40V中壓場景）；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  MOS 威兆半導體 晶體管

  258瀏覽量

• 發布了文章 2025-12-26 11:58

  選型手冊：VS6880AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：68V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典

  MOS 威兆半導體 晶體管

  239瀏覽量