動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-01-04 16:29

  選型手冊：VSP002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  281瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-04 16:26

  選型手冊：VSP007N07MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=1

  MOS 威兆半導體 晶體管

  293瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-04 16:23

  選型手冊：VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時6

  MOS 威兆半導體 晶體管

  226瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-31 17:30

  選型手冊：VS4020AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號，推測為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機驅動等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  MOS 威兆半導體 晶體管

  1.8k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-31 17:28

  選型手冊：VSO011N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時11m

  MOS 威兆半導體 晶體管

  1.6k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-31 17:23

  選型手冊：VS6412AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS6412AE是一款面向65V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  1.5k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-31 17:20

  選型手冊：VS4618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  1.5k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-31 17:14

  選型手冊：VS4604AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半導體 晶體管

  1.4k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-30 17:07

  選型手冊：VSP003N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  618瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-12-30 15:04

  選型手冊：VSP003N10HS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓超大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半導體 晶體管

  353瀏覽量