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賽靈思推出內(nèi)存解決方案,領(lǐng)先業(yè)界

Xilinx賽靈思官微 ? 來源:djl ? 作者:賽靈思 ? 2019-07-23 15:24 ? 次閱讀
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賽靈思交付業(yè)界首款數(shù)據(jù)速率高達每秒2400 Mb的All Programmable UltraScale器件內(nèi)存解決方案

2014年3月11日,北京—All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(NASDAQ: XLNX)今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可支持大量I/O和超大存儲帶寬,并能夠大幅降低功耗和時延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設(shè)計進程,并增加了對DDR4接口的支持。

UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬,能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計算等重要應(yīng)用領(lǐng)域新一代前沿系統(tǒng)設(shè)計對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3升級為DDR4后,應(yīng)用的讀取時延減少了30%,而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是,從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后,客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率,同時還能削減20%的功耗。

這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴(yán)格系統(tǒng)條件下(例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動)高難度數(shù)據(jù)模式的測試,可確保為實際系統(tǒng)部署預(yù)留工作裕量。賽靈思的SelectIO接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn),有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性,I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設(shè)計技術(shù)。

賽靈思公司FPGA產(chǎn)品管理與市場營銷高級總監(jiān)Dave Myron指出;“為讓客戶采用當(dāng)今最先進的內(nèi)存解決方案進行設(shè)計,賽靈思現(xiàn)已開始交付高性能DDR4接口,而領(lǐng)先的PC制造商在今年晚些時候才會推出線速較低的產(chǎn)品。”

美光(Micron)公司DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle表示:“當(dāng)今的客戶不斷要求使用更高的存儲帶寬支持更大規(guī)模數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用,通過與賽靈思的強大合作,美光的DDR4內(nèi)存技術(shù)和賽靈思的UltraScale器件相結(jié)合,致力于為我們的共同客戶提供市場領(lǐng)先的解決方案。”

存儲器類型 Virtex UltraScale
Kintex UltraScale
Virtex-7
Kintex-7
Artix-7 Spartan-6
DDR4 SDRAM 2400 Mbps* - - -
1200 MHz - - -
DDR3 SDRAM 2133 Mbps* 1866 Mbps 1066 Mbps 800 Mbps
1066 MHz 933 MHz 533 MHz 400 MHz
DDR2 SDRAM - 800 Mbps 800 Mbps 800 Mbps
- 400 MHz 400 MHz 400 MHz
DDR SDRAM - - - 400 Mbps?
200 MHz
LPDDR SDRAM - - - 400 Mbps?
200 MHz
LPDDR2 SDRAM 800 Mbps* 667 Mbps 667 Mbps -
400 MHz 333 MHz 333 MHz -
QDR II/QDRII+ SRAM 2 x 1266 Mbps* 2 x 1100 Mbps - -
633 MHz 550 MHz - -
RLDRAM II 1066 Mbps* 1066 Mbps - -
533 MHz 533 MHz - -
RLDRAM 3 2133 Mbps* 1600 Mbps - -
1066 MHz 800 MHz - -

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