在集成電路發展的長河中，摩爾定律一直扮演著重要的角色。但近些年來，在工藝節點不斷向前推進的過程中，晶體管尺寸已經接近物理極限，半導體器件也面臨著短溝道效應、漏柵極漏電流增大，功耗增大的挑戰。在這種形勢下，摩爾定律這個“花甲老人”也逐漸走不動了。于是，半導體從業者開始思考在超摩爾定律下的發展契機——新材料和新原理器件被提綱上線。

根據ITRS（國際半導體技術藍圖）顯示，FinFET、FDSOI工藝撐起了10nm節點以前的天地。而當工藝節點進入到10nm以后，傳統硅通道開始被其他材質的通道取代，III族和V族的新材料開始嶄露頭角。尤其是在進入5nm工藝節點之時，ITRS認為，二維原子晶體材料器件將為后摩爾時代帶來新的機遇。

二維原子晶體材料簡稱二維材料,因載流子遷移和熱量擴散都被限制在二維平面內,使得相關器件擁有了較高的開關比、超薄溝道、超低功耗而受到了廣泛關注。與此同時，二維材料卻又因為在大面積高質量薄膜及異質結構的可控生長、發光器件效率較低、高性能二維器件制備及系統集成工藝上遇到了瓶頸，也使得相關從業者在這些方面上展開了研究。伴隨著研究的深入，二維材料由于其帶隙可調的特性，使之在場效應管、光電器件、熱電器件等領域應用廣泛。至此，新型二維材料和狄拉克薄膜材料為新物理器件提供了契機。

自2004年英國曼徹斯特大學Geim研究組成功剝離出石墨烯以來,二維原子晶體材料更是迎來了高光時刻。經歷了短短十多年的快速發展，基于二維材料的電子、光電子器件的研究取得了一系列引人注目的成果。

其中，就光電探測器的發展而而言，該器件的發展存在著兩個主要挑戰：第一，減少傳統使用的“非晶態”的薄膜材料的厚度，會降低材料的質量；第二，當超薄材料變得更薄的時候，它們幾乎變得透明，實際上會喪失一些聚集和吸收光線的能力。

而二維材料的出現，就極大地推動了光電探測器的發展。傳統的三維薄膜半導體（如Si、GaN、InGaAs、InSb、HgCdTe等）一直占據著光電探測市場的主導地位。而下一代光電探測器則向著寬波段、超靈敏、超小像元、超大面陣及多維度光信息探測等方向發展。相比較于傳統三維薄膜半導體，二維材料在一個維度的尺寸遠小于光波長，能夠獲得較低的暗電流及噪聲，具有功耗小、波段寬的優點。

同時，為了達到最優的探測器相應速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中尋找平衡。但是，石墨烯光電探測器具有低響應率，較慢的光響應時間和低外部量子效率（0.1-0.2%）等局限性。所以，為了尋找其他光電探測器二維材料來提高響應率和光譜選擇性，科學家們對石墨烯的關注熱情也逐漸拓展到了其他的二維材料上，也因此，越來越多的二維材料被發現并研究。這些二維材料就包含過渡金屬硫化物、過渡金屬氧化物以及氮化硼等。

復旦大學圍繞新型薄膜材料的新原理器件，利用分子束外延生長晶圓級薄膜材料，開展新原理晶體管和光電器件的研究工作。提出了薄膜晶體生長的新方案，解決了可控生長和摻雜的難題，實現了光電探測器。