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電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專(zhuān)利之爭(zhēng)全面開(kāi)啟

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-04-19 16:21 ? 次閱讀
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電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出,RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展,截至2017年底,RF GaN市場(chǎng)產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元,2023年將達(dá)到13億美元以上。

目前國(guó)防仍是RF GaN的主要市場(chǎng),因?yàn)槠鋵?zhuān)業(yè)化的高性能需求和價(jià)格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產(chǎn)品提供了許多機(jī)會(huì)。2017~2018年,國(guó)防部門(mén)占了RF GaN市場(chǎng)總量的35%以上,完全沒(méi)有減少的趨勢(shì)。Yole Développement資深技術(shù)與市場(chǎng)分析師Hong Lin表示,我們相信這個(gè)重要的GaN市場(chǎng)將持續(xù)與GaN的整體滲透力一起成長(zhǎng)。

RF GaN已經(jīng)被工業(yè)公司認(rèn)可,并明顯地成為主流。領(lǐng)先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢(shì)在未來(lái)的幾年內(nèi)將保持不變。從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的角度來(lái)看,美國(guó)和日本主導(dǎo)著整個(gè)RF GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

Knowmade執(zhí)行長(zhǎng)兼聯(lián)合創(chuàng)始人Nicolas Baron評(píng)論,科銳(Cree)毫無(wú)疑問(wèn)地?fù)碛凶顝?qiáng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友電氣工業(yè)雖是RF GaN設(shè)備的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者,仍落后于Cree。此外,住友電氣工業(yè)的專(zhuān)利活動(dòng)放慢了腳步,然而富士通()、東芝()和三菱電機(jī)()等其他日本公司正在加快他們的專(zhuān)利申請(qǐng),因此現(xiàn)在也擁有強(qiáng)大的專(zhuān)利組合。

Baron進(jìn)一步說(shuō)明, Cree也在RF GaN HEMT知識(shí)產(chǎn)權(quán)的競(jìng)賽中處于領(lǐng)先地位。針對(duì)Cree的RF GaN專(zhuān)利組合分析顯示,它可以有效地限制該領(lǐng)域的專(zhuān)利活動(dòng)并控制大部分關(guān)鍵國(guó)家其他企業(yè)的FTO(Freedom to Operate, FTO)。

另一方面,英特爾和全科科技目前也十分積極進(jìn)行RF GaN專(zhuān)利申請(qǐng),尤其是在GaN-on-Silicon技術(shù)方面,如今已成為RF GaN專(zhuān)利領(lǐng)域的主要知識(shí)產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)者。參與RF GaN市場(chǎng)的其他公司,如Qorvo、雷神、諾格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon),同樣擁有一些關(guān)鍵專(zhuān)利,但未必?fù)碛袕?qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位。

Yole Développement指出,剛進(jìn)入GaN HEMT專(zhuān)利領(lǐng)域的英特爾,目前是最活躍的專(zhuān)利申請(qǐng)人,且應(yīng)該會(huì)在未來(lái)幾年加強(qiáng)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位,特別是對(duì)于GaN-on-Silicon技術(shù)。其余GaN RF HEMT相關(guān)專(zhuān)利領(lǐng)域的新進(jìn)入者,主要包含中國(guó)企業(yè)海威華、三安光電和北京華進(jìn)創(chuàng)維電子;而其他值得注意的新進(jìn)入者包括***的臺(tái)積電和聯(lián)穎光電,韓國(guó)的Wavice和Gigalane,日本的愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試,以及美國(guó)的全科科技和安森美半導(dǎo)體

另外,中國(guó)電子科技集團(tuán)和西安電子科技大學(xué)針對(duì)RF GaN在微波和毫米波的應(yīng)用技術(shù),領(lǐng)導(dǎo)了中國(guó)的專(zhuān)利領(lǐng)域。三年前進(jìn)入知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的新興代工廠海威華是當(dāng)今中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的最強(qiáng)挑戰(zhàn)者;然而,美國(guó)和日本公司依舊在RF GaN 知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

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原文標(biāo)題:RF GaN需求飆升,專(zhuān)利申請(qǐng)戰(zhàn)全面啟動(dòng)

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