如何使用Soatherm進行MOSFET熱模型的設計
在高功率水平下，驗證熱插拔設計是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰。幸運的是，熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符號包含由線性技術開發的MOSFET熱模型集合，以簡化此任務。這些熱模型可用于驗證MOSFET的最大模具溫度沒有超過，即使在斯普里托區域，允許電流在高漏源電壓下呈指數下降。理論上，Soatherm報告了MOSFET芯片上最熱點的溫度。Soatherm模型預測了MOSFET的溫度，而不影響電路模擬的電氣行為。本視頻介紹如何使用Soatherm
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