4406雙橋原理圖如下：

4435雙橋原理圖如下：

場效應管到達雪崩電流會怎么樣？

漏極電壓持續升高，則漏極體二極管由于雪崩倍增產生載流子，而進入持續導通模式,此時，全部的漏極電流（此時即雪崩電流）流過體二極管，而溝道電流為零。

在開關管雪崩擊穿過程中，能量集中在功率器件各耗散層和溝道中，在寄生三極管激活導通發生二次擊穿時，MOSFET會伴隨急劇的發熱現象，這是能量釋放的表現。

雪崩電流在功率MOS管的數據表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在測試過程中，選取一定的電感值，然后將電流增大，也就是功率MOS管開通的時間增加，然后關斷，直到功率MOSFET損壞，對應的最大電流值就是最大的雪崩電流。

標稱的IAV通常要將前面的測試值做70%或80%降額處理，因此它是一個可以保證的參數。一些功率MOS管供應商會對這個參數在生產線上做100%全部檢測，由于有降額，因此不會損壞器件。

留意：測量雪崩能量時，功率MOS管工作在UIS非鉗位開關狀態下，因此功率MOSFET不是工作在放大區，而是工作在可變電阻區和截止區。因此最大的雪崩電流IAV通常小于最大的連續的漏極電流值ID。

采用的電感值越大，雪崩電流值越小，但雪崩能量越大，生產線上需要測試時間越長，生產率越低。電感值太小，雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH，此時，雪崩電流相對于最大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變，而且測試時間比較合適范圍。