2月22日韓聯社報導, 三星電子今天表示,它已成功開發出第五代(5G)基站的射頻集成電路(RFIC)。
三星電子表示,毫米波(mmWave)頻段的覆蓋范圍已從800MHz擴展到1.4GHz,大大提高了數據傳輸速度。芯片尺寸小型化約36%。
據三星稱,該芯片降低了相位噪聲,使其能夠處理更清晰的無線電信號。
使用28GHz或39GHz mmWave頻譜頻段的國家,如美國和韓國,是RFIC部署的主要目標市場。
這張由三星電子提供的照片顯示了第五代RFIC。(韓聯社)
該公司表示,三星將在今年第二季度開始商業化生產新的5G芯片,并在今年內開發出24GHz和47GHz頻譜的芯片。
此外,該公司還宣布開發數字/模擬前端(DAFE)ASIC,這是5G芯片組的另一個核心組件。DAFE是模擬和數字之間轉換的關鍵,可將尺寸,重量和功耗降低約25%。
“三星正憑借其創新解決方案(包括低功耗RFIC和DAFE ASIC)建立其5G領先地位,開創了數字化轉型的新時代,”三星網絡業務研發主管Jeon Jae-ho說。“我們很高興地宣布我們完成了對這些新芯片組的開發,這些芯片組將在推動技術進步的同時發揮重要作用。”
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原文標題:三星電子宣布成功開發5G基站RFIC
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