近日，據外媒報道，一個國際研究團隊報告說，在制造納米芯片方面取得了突破性進展。這一突破可能對納米芯片的生產和全球各地的納米技術實驗室產生深遠的影響。科學家們正在探索越來越小、更快的半導體二維材料。該研究小組由美國紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Riedo領導。

據紐約大學國際研究小組報告，原子微處理器制造技術取得了突破性的進展，這可能對納米芯片的生產以及正在探索的二維材料制造技術產生深遠的影響。

紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Elisa Riedo領導的研究小組在最新一期的《Nature Electronics》雜志上發表了這一研究成果。

他們證明，在二維半導體材料二硫化鉬(MoS2)的金屬電極制造技術上，采用100攝氏度探針光刻技術效果優于標準的制造技術。科學家們認為，這種過渡金屬可能會取代硅，成為原子級芯片的材料之一。該小組新的制造技術-熱掃描探針光刻技術（t-SPL）-與當前的電子束光刻技術（EBL）相比具有明顯的優勢。

首先，熱光刻技術顯著的提升了二維晶體管的質量，抵消了肖特基勢壘對電子流動的阻礙。此外，與電子束光刻技術不同，熱光刻技術使芯片設計人員能夠對二維半導體材料成像，并對電極進行圖像化處理。同時，熱光刻技術可以節省大量的初始成本和操作成本：通過在環境條件下工作，極大地降低了功耗，無需高能電子和超高真空。最后，利用平行熱探頭技術可以很容易的將這項技術推廣到整個工業生產中。

Riedo希望熱光刻技術能將大部分制造技術從潔凈室轉移到實驗室，這便于快速的推進材料科學和芯片設計的發展。3D打印技術就是一個最好的例子：有一天，熱光刻技術的分辨率達到10nm，可使用120伏的標準電源，熱光刻技術就會像3D打印技術一樣出現在實驗室。

《Nature Electronics》雜志2019年1月版刊登了“利用熱納米光刻技術在單層MoS2上制模金屬觸點打破肖特基壁壘”。

Riedo在熱探頭方面的研究可以追溯到十多年前，首先是在IBM的研究中心-蘇黎世，然后是在由前IBM研究人員創立的SwissLitho。他們開發了一種基于SwissLitho系統的工藝流程，并應用于當前的研究。她與論文的第一作者Xiaorui Zheng、博士后Annalisa Calo以及居里夫人獎學金獲得者Edoardo Albisetti在紐約城市大學高級科學研究中心(ASRC)，共同探索熱光刻技術在金屬納米制造中的應用。