國內自主存儲DRAM技術陣營“福建晉華案”持續發酵，美方提出可能最高超過200億美元的罰金，成為全球半導體界的“歷史天案”，也是國產替代業者發展存儲器芯片心頭揮之不去的一道陰霾。這樁“歷史天案”于2019年1月10日在舊金山聯邦法院開庭審理。

福建晉華10日也于官網發布公告表示，針對其2018年9月在美國加州北部地區法院受到的指控，已聘請專業代理機構協助，并向法院做出“無罪抗辯”。晉華將向法庭陳述案情，證明其業務的開展始終秉承著最高誠信標準。

值得一提的是，由于案件事實與證據往往盤根錯節，被告方所提供的無罪證據既要準備充足又要能夠在法庭辯論階段，針對公訴人提出的論點進行有利反駁，因此無罪辯護一般情況下成功率可能不高。

所以，本次福建晉華選擇無罪抗辯的解決方式，無疑是有一定的把握與信心。目前，受本次事件影響，聯電為福建晉華研發DRAM的約300多人團隊成員當中，已撤回臺灣地區，后者的量產計劃也遙遙無期。

福建晉華表示，在未來幾個月里，致力于爭取將晉華從美國商務部出口管制實體清單中移除，并說明重建晉華與其美國商業伙伴之間正常貿易與合作的重要性。

此外，在此次案件中“關于三名臺灣業內人士被指控涉嫌密謀竊取商業機密”的部分，則計劃在下個月開庭審理。

晉華、聯電與美光的“新仇舊恨”

全球第3大晶圓代工廠的聯電，攜手福建晉華和DRAM巨擘美光公司打起全球訴訟。江湖恩怨，互不相讓。

2017年9月6日與12月5日，美光先后在臺灣地區和美國加州提起民事訴訟，控告聯電及福建晉華侵害其知識產權和盜竊商業機密。作為反擊，2018年1月，聯電在中國福州市中級人民法院提起訴訟，控告美光侵害聯電專利；該案至7月時宣布裁定結果，福州市中級法院發出訴中禁令，禁止美光在中國銷售26個DRAM與FLASH產品，包含相關的固態硬盤（SSD）與存儲器產品。

此次江湖恩怨的真正導火線，是2016年聯電和福建省晉華集成電路公司的一紙文件。該文件指出聯電和晉華協議，由晉華提供3億美元替聯電采購研發設備，再按DRAM 技術的開發進度支付聯電4億美元，在此期間聯電必須開發出32納米的DRAM相關制程技術，開發成果將由雙方共同擁有。值得注意的是，本次福建晉華的DRAM計劃負責人正是前美光前臺灣區總經理陳正坤。

2018年10月29日，美國商務部未進入司法流程，并發布公告稱對福建省晉華集成電路有限公司實施“出口管制”，自10月30日起正式實施。11月2日，美方再次宣布將分別對本次專利糾紛案等相關人等提起刑事與民事訴訟。如果罪名成立，被告人將會面臨最高15年監禁和500萬美元的罰款，被告公司可能將會面臨超過200億美元的罰款。同時禁止轉讓被盜技術，并且利用被盜技術的產品將會在美國被禁售。

至此，“福建晉華案”被推向全球半導體產業的風口浪尖。

2018年11月9日，聯電發表聲明，否認相關指控，并稱在聯電38年來的成長歷程中已積累了近15年制造DRAM產品的經驗。

回顧梳理不難發現，已經放棄先進工藝制程的聯電正在把過去累積的半導體技術實力，拿到新的市場上“變現”。然而聯電的策略能否成功，晉***產替代能否進一步突圍，除了攻克技術難關外，能不能打贏當前的法律大戰，仍是最重要的關鍵。