2018年，對中國的集成電路而言，是不平靜、也是不平凡的一年。有中美貿易戰爆發的震驚和思考，也有AI和5G等推進的振奮和憧憬；有芯片業的緊迫和焦灼，也有社會力量和資本的關注和熱捧……

回顧2018年下半年的產業事件，可以發現我國各地正加速布局第三代半導體產業。

第三代半導體材料即寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAS）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN），較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱為第三代半導體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。微波射頻領域、光電領域、電力電子等領域為第三代半導體提供了廣闊的市場空間。

對第三代半導體項目進行統計發現，今年下半年我國第三代半導體產業落地加速，有超過9個項目落地、開工、投產等，三安光電正式推出6英寸SiC晶圓代工制程。

根據以上表格，可以看到有4個項目投資金額超過10億元，下面我們就來重點看看這4個項目的情況。

01

聚力成外延片和芯片產線項目

聚力成外延片和芯片產線項目由重慶捷舜科技有限公司投資建設，預計總投資50億元，主要從事氮化鎵外延片、芯片研發與生產、芯片封裝代工服務等。

據悉，按計劃，該項目在簽約后1個月內啟動建設，12個月內完成一期廠房建設并開始試生產。投產后的5年內總產值將達到100億元，稅收將超過13億元。同時，聚力成外延片和芯片產線項目產業配套項目總投資達40億元，占地300畝，還將建設中國區總部、科技研發及產學基地。

02

天岳碳化硅材料項目

天岳碳化硅材料項目由山東天岳晶體材料有限公司開發建設，總投資30億元，項目分為兩期建設，一期占地156畝，主要生產碳化硅導電襯底，預計年產值可達13億元；二期主要生產功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽光伏逆變器等，預計年產值可達50～60億元。

據湖南日報報道，該項目的開工標志著國內最大的第三代半導體碳化硅材料項目及成套工藝生產線正式開建。

03

中科院碳化硅產業一體化項目

中科院碳化硅產業一體化項目總投資20億元，主要產品為碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS晶體管等功率器件。

04

北京雙儀微電子項目

北京雙儀微電子科技有限公司公開表明投資意向將投資10億元在北京市亦莊經濟技術開發區建造目前全國唯一具備規模化量產能力的先進工藝技術生產線，進行砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)芯片的代工服務，預計于2019年初投產使用。

2016可謂是我國第三代半導體產業發展“元年”，以“北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地”正式動工和第三代半導體南方基地落戶廣東事件為標志，我國第三代半導體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。

2017年政策、資金雙劍合璧，工信部、國家發改委發布的《信息產業發展指南》將“第三代化合物半導體”列為集成電路產業的發展重點，國內也首現第三代半導體投資熱潮。

有專家表示，2018年是第三代半導體產業化準備的關鍵期。

從上述匯總的第三代半導體項目的一些情況也可以看到，隨著產業與政府的共同發力，我國第三代半導體正在產業化道路上加速推進。