順義正加快布局第三代半導體全產業鏈 將形成千億級產業規模
記者近日從中國創新創業大賽國際第三代半導體專業賽全球總決賽頒獎典禮上獲悉，順義正在加快布局第三代半導體全產業鏈，位于中關村順義園內的第三代半導體材料及應用聯合創新基地已于日前竣工，總面積達7.1萬平方米，吸引了一批重點項目相繼入駐，將形成千億級產業規模。
第三代半導體是代表未來發展方向的新一代半導體技術，也是有望引發產業變革的顛覆性技術。此次大賽是國內半導體領域中級別最高、規模最大、參與項目最多的雙創賽事，歷經半年的征集、選拔，集合了570余個優質項目和優秀團隊報名參賽，涉及5G通訊、能源互聯網與新能源并網、新能源汽車與軌道交通、消費類電子與機器人、智慧照明與顯示技術、軍民融合等多個領域。最終，蘇州鍇威特、光子算數等20余家企業分獲一二三等獎和優勝獎。
記者了解到，順義區在第三代半導體領域，正著力構建開放的國際化的公共研發、技術創新和成果轉化科技服務平臺，加快布局襯底、外延、芯片、器件、模塊以及龍頭應用企業的全產業鏈。已經成立了第三代半導體產業技術創新戰略聯盟，成員單位已達105家，建立的國際第三代半導體眾聯空間被科技部評為國家級眾創空間。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
30737瀏覽量
264079
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
【「芯片設計基石——EDA產業全景與未來展望」閱讀體驗】--中國EDA的發展
,半導體產業鏈蓬勃興起，上下游企業緊密協作，從材料研發到芯片制造，再到產品應用，形成完整閉環，為EDA工具提供了廣闊的施展空間。芯片性能、功耗、尺寸等方面的嚴苛要求，讓EDA從幕后走向臺前，成為科技創新
發表于 01-20 23:22
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
欣見灣區新藍圖，瑞沃微祝賀廣州發布先進制造業強市規劃，共筑第三代半導體與芯片產業未來
1月8日，廣州市人民政府正式發布《廣州市加快建設先進制造業強市規劃（2024—2035年）》，明確了未來十余年產業發展方向。規劃提出，將重點發展第三代
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、
發表于 12-25 09:12
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎
2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導體產業標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數百家SiC&GaN領域精英企業齊聚一堂，共襄
CINNO出席第三代半導體產業合作大會
10月25日，第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席，
材料與應用：第三代半導體引領產業升級
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統硅基材料，在新能源汽車、工業控制等領域實現規模化應用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發揮著不可或缺的作用
SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案
發展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業，萬眾矚目。陶瓷方面，
第三代半導體的優勢和應用領域
）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優勢、應用領域以及其發展前景。
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
工商網監
評論