“晉華事件”發展至今，仍牽動著國內半導體產業敏感神經，才剛起步的晉華似乎步上“中興”覆轍，在不確定的未來，在中美貿易緊張的局勢下，國產內存芯將何去何從？引發廣泛的關注。而近日韓媒的一份報道稱，“韓國公司占據全球75%內存芯片市場份額“，再次凸顯國產存儲芯片的欠缺與距離國際地位尚且很遠。

全球內存韓企“稱霸” 市場高度壟斷

據韓國媒體報道，到2018年第三季度,韓國公司生產的內存（DRAM）內存芯片已經占到全球市場的75%，其中三星和SK海力士(SK Hynix)占據了重要地位。

韓國媒體指出，11月15日，SK海力士發布第一個符合JEDEC規格的DDR5 DRAM；而三星則在7月份成功開發出10nm級別的LPDDR5 DRAM，在技術上進一步領先于世界同類企業。另外，SK海力士發布的DDR5 DRAM比DDR4的電力消耗減少30%，數據傳輸速度也快了6成，適合應用在大數據、AI運算等領域，進一步打開市場和銷量。

根據DRAMeXchange發布的數據顯示，截至2018年9月，韓企在DRAM市場的份額已經達到74.6%，三星占45.5%,SK海力士占29.1%，全球第三大廠商是來自美國的美光，占比為21.1%。

盡管美光正忙于與福建晉華和***地區聯華電子的專利之爭。但其仍看好在人工智能大勢下,數據中心、手機、等設備對存儲的需求迅速增長，整體規模已達集成電路市場的三分之一。美光在2018財年的營收突破300億美元。

前有狼 后有虎 國產內存芯如何突圍？

中國是最大的存儲芯片進口國，根據韓國貿易協會、大韓貿易投資振興公社及半導體行業發布的數據顯示，2017年中國存儲芯片進口總額達886.17億美元，同比增長38.8%。然而龐大的進口額就像懸在頭上的一把利刃，不知道什么時候將會掉下來掐住命脈。此前的中興事件是一次警告，這次的晉華事件更是一次沉重打擊。

值得慶幸的是，“國產芯”的呼聲從未停止。而國產內存芯片，安徽的合肥長鑫、福建的晉華和武漢的長江存儲當屬國內三強。

目前，晉華深陷美光專利泥潭以及美國商務部的制裁下，前途堪憂。

長江存儲因為主攻3D NAND閃存芯片，2018年量產了32層堆棧的3D NAND閃存，真正規模量產待2019年的64層堆棧3D NAND閃存。為了盡快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在2020年將跳過96層堆棧的3D閃存，直接量產128層堆棧的3D閃存。

不僅如此，此前紫光國微將從事 DRAM 芯片設計的全資子公司西安紫光國芯轉讓給北京紫光存儲，戰略的調整也恐拉開DRAM設計實力。值得一提的是，紫光官方表示，DDR4芯片正在研發中，預計2018年底將會推向市場。

合肥長鑫在2018年1月廠房完工，目前300多臺核心設備已基本安裝完畢。根據其存儲器項目的5年規劃：2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底量產8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產8Gb LPDDR4；2019年底實現產能2萬片/月；2020年開始規劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發。目前，合肥長鑫于2018年7月就已經對8Gb LPDDR4正式投片。

似乎長鑫的進展取得較大成果，然而，有媒體稱，除了晉華，其他廠家也很可能未來會連帶卷入美方列入限制美半導體重要零組件出口清單。一旦“靴子落地”，這將是對中國半導體產業，尤其是國產存儲芯片雪上加霜。

不過，塞翁失馬焉知非福，這也更加堅定了我國發展集成電路產業的決心。此前，紫光集團聯席總裁刁石京就表示，集成電路是全體工業體系大成的一個基礎，探索成功的道路中要經歷漫長的過程。因此，需要整個行業靜下心來，像“蓋房子”一樣，從基礎開始，踏踏實實把設計、制造、生產等各個環節的關鍵問題解決。

作為全球最大的存儲器芯片消耗國，國內龐大的市場需求將會帶動行業的發展，盡管打破當前由美日韓企業壟斷的局面還需時間，國內半導體芯片廠商還需備足彈藥，利用政策和資本優勢，大力發展技術，積極培育人才。半導體產業不是一蹴而就，這將是一場曠日持久的戰爭。

中國反壟斷調查 DRAM市場前景變數多

2018年5月底市場監管總局對市占率超過 95% 的三大 DRAM 大廠三星、海力士、美光公司涉嫌實施壟斷行為立案開展調查，近日國家市場監督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對這三家公司的反壟斷調查已經取得了重要進展。

業內認為，若反壟斷事實成立，進而對三大廠祭出高額罰金，恐使 DRAM 價格面臨壓力，市場供需情況也可能產生變化，為明年的存儲器產業展望再增添不確定性。