2018年11月12日，英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）收購了位于德累斯頓的初創公司Siltectra GmbH。該初創公司開發了一種創新技術（Cold Split），可有效處理晶體材料，同時最大限度地減少材料損耗。英飛凌將采用Cold Split技術分割碳化硅（SiC）晶圓，從而使得單個晶圓的芯片數量翻倍。

目前，已與其主要股東MIG Fonds達成了1.24億歐元的購買價格。

“此次收購將幫助我們利用新材料碳化硅擴展優秀的產品組合。”英飛凌首席執行官Reinhard Ploss博士表示，“我們對薄晶圓技術的系統理解以及薄晶圓技術的獨特專業知識將與Cold Split技術和Siltectra的創新能力相輔相成。得益于Cold Split技術，我們的SiC產品應用范圍將進一步拓展，特別是在可再生能源的進一步擴展和用于電動汽車傳動系統的SiC應用方面。”

Siltectra首席技術官Jan Richter博士說：“我們很高興成為全球功率半導體市場領導者團隊的一員。事實已經證明Cold Split技術可有助于英飛凌產品效能提升，我們現在將共同努力將其轉移到批量生產。“

MIG Fonds的合伙人Michael Motschmann表示：“自從我們八年前投資Siltectra以來，我們一直對Cold Split技術和這個偉大的團隊充滿期待。作為收購方英飛凌，不管是在技術還是文化上都非常適合Siltectra。此外，我們為通過投資幫助提高德國的經濟競爭力感到自豪。”

Siltectra成立于2010年，一直在發展擁有50多個專利家族的知識產權組合。與普通的鋸切技術相比，這家初創公司開發出一種分解結晶材料的技術，其材料損耗最小。該技術也可以應用于半導體材料SiC，預計在未來幾年中需求迅速增長。如今，SiC產品已經用于非常高效和緊湊的太陽能逆變器中。未來，SiC將在電動汽車中發揮越來越重要的作用。Cold Split技術將在德累斯頓現有的Siltectra工廠和奧地利菲拉赫的英飛凌工廠實現工業化。預計將在未來五年內完成向批量生產的轉移。

英飛凌提供最廣泛的基于硅的功率半導體產品組合以及碳化硅和氮化鎵的創新基板。它是全球唯一一家在300毫米硅薄晶圓上批量生產的公司。因此，英飛凌也很有可能將薄晶圓技術應用于SiC產品。Cold Split技術將有助于確保SiC產品的供應，特別是從長遠來看。隨著時間的推移，可能出現Cold Split技術的進一步應用，例如晶錠分裂或用于除碳化硅之外的材料。