今天上午，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協議修正案。基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術（180nm/130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調整產能，滿足基于中國的對差異化產品的需求包括格芯業界領先的22FDX技術。

GlobalFoundries于2017年初宣布在成都建造12吋晶圓廠，投資規模估計超過100億美元，成為大陸西南部首條12吋晶圓生產線。成都晶圓廠分為二期建設，一期為成熟制程(180nm/130nm)，預計2018年底投產，2期建設則是22FDX FD-SOI制程，預計2019年第4季投產，產品廣泛應用于行動終端、物聯網、智能設備、汽車電子等領域。

成都股東方認為：“此次格芯成都項目的調整變化為合作雙方留出充分時間進行評估，以更準確地掌握中國市場需求，為未來新的產能規劃和項目實質性啟動做好前期準備”。

格芯CEO湯姆·嘉菲爾德（Tom Caulfield）表示：“作為全球規模最大、增長最快的半導體市場之一，中國是格芯高優先市場。FDX技術特別適合中國市場，我們將繼續見證其在5G、IoT以及邊緣計算等極富吸引力的市場領域的巨大潛力。我們將與成都政府繼續深化務實合作，堅定推動成都項目的實施，共同加快中國FDX技術生態系統和客戶群的發展。”

記者獲悉，就在2個月前，格芯剛宣布，將擱置7納米 FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。當時格芯方面表示，他們正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優化開發資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。