近日，英特爾大連廠(Fab68)非易失性存儲二期項目投產啟動儀式在大連舉行。同時，英特爾宣布新工廠采用世界最先進的96層堆疊3D NAND閃存芯片制造技術實現量產，并將會成為英特爾NAND閃存的最核心生產基地，貢獻大約70％的產能。

該廠于2015年10月開建，將原用于處理器的封裝測試改建為用于生產NAND閃存芯片，總投資55億美元（約合人民幣380億元）。

近年來全球DRAM技術持續發展，閃存芯片更已成為移動裝置重要零組件，并在物聯網、人工智能等日出不窮的新興應用中扮演重要角色。而中國的消費市場快速崛起正成為新老牌存儲器廠商的“兵家必爭之地”，前有英特爾如此大肆投資、轉換新的存儲器工廠，后有國內三大陣營逐漸成型，在自主存儲芯片來襲的當下，中國市場的布局已儼然存儲器群雄兵家必爭之地。

英特爾的“二戰”之路離不開中國市場

“沒有一個人的生活道路是筆直的，沒有岔道的。有些岔道口……走錯一步，可以影響人生的一個時期，也可以影響一生。”這是路遙作品《人生》的開篇題記，同樣，對于一家企業來說，在其存在和發展的過程中，也存在著一些關鍵岔道，有可能意味著企業有機會上升到一個新的高度，但它也同樣標志著企業沒落的開端。

回望英特爾的存儲器之路，充滿曲折蜿蜒。早已在1985年，選擇徹底放棄存儲器業務，轉為專攻芯片領域，使得其成為PC和服務器芯片的霸主。然而，如今面對三星的步步緊逼，更是被后者奪得全球老大位置的巨大壓力下，一直在存儲芯片業務上“舉棋不定”的英特爾走出了關鍵一步——增強在中國市場的話語權。

中國目前已經是全球存儲產業中最為重要的市場。本月19日，在中國閃存市場峰會上公布的數據顯示，2018年全球半導體市場規模達到1500億美元，其中NAND Flash將超過570億美元，而中國消耗了全球產能的32%。另據中國半導體協會數據統計，2017年全球半導體總營收為4197億美元，相較2016年成長23.8％。其中，存儲器占所有半導體市場營收成長逾三分之二，而中國市場則占到了存儲器市場的50%。

顯然，對于英特爾而言，以存儲器立足中國市場的重要性不言而喻。除了對抗三星外，從市場角度看，存儲業務更可以將內存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機的性能，增強Intel的處理器業務競爭力。

但是，在群雄逐鹿的國內市場里，除了老牌競爭對手，還有一批國產“生力軍”正悄然壯大。

國產存儲器企業陣隊的成形

如果說，中國市場的重要性，和中國政策的戰略扶持在一定程度上決定了存儲企業在中國的發展情況的話，那么對于中國自主存儲芯片企業而言則是突破口。正如長江存儲CEO楊士寧指出，“選擇3D NAND是企業需求、外部機遇和市場動力的吻合。這是個技術的問題，更是個經濟的問題。”

在全球存儲器市場需求的不斷驅動下，國產存儲芯片企業也奮起直追，即是當下正努力擴大產能的武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華三股新勢力。

在剛剛舉行的第六屆中國電子信息博覽會上，紫光董事長趙偉國宣布國內首款自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實現量產；64層3D NAND芯片將會在2019年進入規模研發階段，并同步研發128層256G存儲芯片。這將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊。

除了武漢長江存儲的32層3D NAND閃存值得關注，致力于利基型內存的福建晉華早已在2016年7月宣布于福建省晉江市建設12吋廠，投資金額約53億美元，以目前進度來看，其利基型內存的試產延后至2018年第三季度，量產時程也將落在2019年上半年。

反觀專注于移動式內存的合肥長鑫其廠房已于2017年6月封頂完工，并開始移入測試用機臺。進度方面，合肥長鑫則與福建晉華大致相同，量產則暫定在2019年的上半年。此外，合肥長鑫還則直攻三大DRAM廠最重要產品之一的LPDDR4 8Gb。

總而言之，以目前三家廠商的進度來看，隨著三大陣營的量產關鍵時間點皆落在2019年上半年，同時自主研發技術也終將進入量產的“深水區”。

根據市場分析指出，隨著中國存儲器產品逐步成熟，預計2020-2021年合肥長鑫則與福建晉華現有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預估下，屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。

另一方面，長江存儲計劃設有的三座廠房總產能可能高達每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產品開發后，可能將進行大規模的投片，進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產生重大影響。

另外，值得一提的是，已連續兩年走高的存儲芯片市場由于供過于求之勢已開始掉頭，DRAM價格儼然已下跌20-30%，業內人士分析，甚至可能引發預期性的價格崩跌。然而，不管此下行趨勢如何，對于國內存儲業者而言，唯有義無反顧前行。