設計步驟:
2.1 繪線路圖、PCB Layout.
2.2 變壓器計算。
2.3 零件選用。
2.4 設計驗證。
設計流程介紹(以DA-14B33 為例):
3.1 線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明。
3.2 變壓器計算:
變壓器是整個電源供應器的重要核心,所以變壓器的計算及驗證是很重要的,以下即就DA-14B33 變壓器做介紹。
3.2.1 決定變壓器的材質及尺寸:
依據變壓器計算公式

B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss)
Lp = 一次側電感值(uH)
Ip = 一次側峰值電流(A)
Np = 一次側(主線圈)圈數
Ae = 鐵心截面積(cm2)
B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定,以TDK Ferrite Core PC40 為例,100℃時的B(max)為3900 Gauss,設計時應考慮零件誤差,所以一般取3000~3500 Gauss 之間,若所設計的power 為Adapter(有外殼)則應取3000 Gauss 左右,以避免鐵心因高溫而飽合,一般而言鐵心的尺寸越大,Ae 越高,所以可以做較大瓦數的Power。
3.2.2 決定一次側濾波電容:
濾波電容的決定,可以決定電容器上的Vin(min),濾波電容越大,Vin(win)越高,可以做較大瓦數的Power,但相對價格亦較高。
3.2.3 決定變壓器線徑及線數:
當變壓器決定后,變壓器的Bobbin即可決定,依據Bobbin的槽寬,可決定變壓器的線徑及線數,亦可計算出線徑的電流密度,電流密度一般以6A/mm2為參考,電流密度對變壓器的設計而言,只能當做參考值,最終應以溫升記錄為準。
設計流程簡介
3.2.4 決定Duty cycle (工作周期):
由以下公式可決定Duty cycle ,Duty cycle 的設計一般以50%為 基準,Duty cycle 若超過50%易導致振蕩的發生。

NS = 二次側圈數
NP = 一次側圈數
Vo = 輸出電壓
VD= 二極管順向電壓
Vin(min) = 濾波電容上的谷點電壓
D = 工作周期(Duty cycle)
3.2.5 決定Ip 值:

Ip = 一次側峰值電流
Iav = 一次側平均電流
Pout = 輸出瓦數
h =效率
f = PWM 振蕩頻率
3.2.6 決定輔助電源的圈數:
依據變壓器的圈比關系,可決定輔助電源的圈數及電壓。
3.2.7 決定MOSFET 及二次側二極管的Stress(應力):依據變壓器的圈比關系,可以初步計算出變壓器的應力(Stress)是否符合選用零件的規格,計算時以輸入電壓264V(電容器上為380V)為基準。
3.2.8 其它:
若輸出電壓為5V 以下,且必須使用TL431 而非TL432 時,須考慮多一組繞組提供Photo coupler 及TL431 使用。
3.2.9 將所得資料代入

公式中,如此可得出 B(max),若B(max)值太高或太低則參數必須重新調整。
3.2.10 DA-14B33 變壓器計算:
輸出瓦數13.2W(3.3V/4A),Core = EI-28,可繞面積(槽寬)=10mm,Margin Tape = 2.8mm(每邊),剩余可繞面積=4.4mm.
假設fT = 45 KHz ,Vin(min)=90V,η =0.7,P.F.=0.5(cos θ),Lp=1600 Uh
計算式:
變壓器材質及尺寸:
由以上假設可知材質為PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可繞面積(槽寬)=10mm,因Margin Tape使用2.8mm,所以剩余可繞面積為4.4mm.
2 假設濾波電容使用47uF/400V,Vin(min)暫定90V。
l 決定變壓器的線徑及線數:

2 假設NP使用0.32ψ的線
電流密度

可繞圈數

假設Secondary使用0.35ψ的線

假設使用4P,則


決定Duty cycle:
假設Np=44T,Ns=2T,VD=0.5(使用schottky Diode)

決定Ip 值:


決定輔助電源的圈數:
假設輔助電源=12V

假設使用0.23ψ的線

若NA1=6Tx2P,則輔助電源=11.4V
決定MOSFET 及二次側二極管的Stress(應力):

Ns


其它:
因為輸出為3.3V,而TL431 的Vref值為2.5V,若再加上photo coupler 上的壓降約1.2V,將使得輸出電壓無法推動Photo coupler 及TL431,所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓。
假設NA2 = 4T 使用0.35ψ線,則

所以可將NA2定為4Tx2P

變壓器的接線圖:

3.3 零件選用:
零件位置(標注)請參考線路圖: (DA-14B33 Schematic)
3.3.1 FS1保險絲:
由變壓器計算得
到Iin 值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,設計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。
3.3.2 TR1(熱敏電阻):
電源啟動的瞬間,由于C1(一次側濾波電容)短路,導致Iin電流很大,雖然時間很短暫,但亦可能對Power 產生傷害,所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以限制開機瞬間Iin在Spec 之內(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會消耗功率,所以不可放太大的阻值(否則會影響效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1 電容使用較大的值,則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數的Power 上)。
3.3.3 VDR1(突波吸收器):
當雷極發生時,可能會損壞零件,進而影響Power 的正常動作,所以必須在靠AC 輸入端 (Fuse 之后),加上突波吸收器來保護
0.32Φx1Px22T
0.32Φx1Px22T
0.35Φx2Px4T
0.35Φx4Px2T
0.23Φx2Px6T
設計流程簡介
Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考慮,可先忽略不裝。
3.3.4 CY1,CY2(Y-Cap):
Y-Cap 一般可分為Y1 及Y2 電容,若AC Input 有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap , AC Input 若為2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1與Y2 的差異,除了價格外(Y1 較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣,絕緣耐壓約為Y2 的兩倍,且在電容的本體上會有“回”符號或注明Y1),此電路因為有FG 所以使用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性,一般而言越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(Leakage Current )必須符合安規須求(3Pin 公司標準為750uAmax)。
3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap 為防制EMI零件,EMI 可分為Conduction及Radiation 兩部分,Conduction 規范一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR22(EN55022) Class B 兩種 , FCC測試頻率在450K~30MHz,CISPR22 測試頻率在150K~30MHz, Conduction可在廠內以頻譜分析儀驗證,Radiation 則必須到實驗室驗證,X-Cap 一般對低頻段(150K ~數M 之間)的EMI 防制有效,一般而言X-Cap 愈大,EMI 防制效果愈好(但價格愈高),若X-Cap 在0.22uf 以上(包含0.22uf),安規規定必須要有泄放電阻(RX1,一般為1.2MΩ 1/4W)。
3.3.6 LF1(Common Choke):
EMI 防制零件,主要影響Conduction 的中、低頻段,設計時必須同時考慮EMI特性及溫升,以同樣尺寸的Common Choke 而言,線圈數愈多(相對的線徑愈細),EMI 防制效果愈好,但溫升可能較高。
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