電子管柵壓的供電方式和特點,The use of vacuum tubes
關鍵字:電子管柵壓的供電方式和特點
電子管柵壓的供電方式和特點
在電子管放大電路中,由于電子管的放大作用,很小的柵偏壓變動就會造成屏流較大的變化,因此柵偏壓不穩會造成電子管工作點的漂移。另外,柵偏壓是與輸入信號串聯加在柵極與陰極之間的,柵壓供給電路的噪聲雜波,同樣也會在放大信號時被放大,造成信噪比下降,由此可以看出對柵壓供電電路的要求比屏壓要求更高。現介紹幾種常用的柵壓供電方式及特點。
1.自給柵負壓供電電路
自給柵負壓供電方式是功率放大器中最常用的方法(見圖1)。其工作原理是利用屏流在陰極電阻Rk上產生電壓降,使陰極產生Uk=Ia·Rk的對地為正極性的電壓。而柵極通過柵漏電阻Rg接地,其對地電位為零。這樣,柵極電壓相對陰極來說為負極性,形成柵負壓。當電子管工作于甲類放大時,雖然屏流的直流成分是穩定的,但隨著輸入信號的變化,屏流中交流成分每個瞬時值都是變化的,陰極電阻Rk上的壓降也隨著變化形成電流負反饋。為了避免這種現象產生,一般在Rk兩端并聯一個大容量的電容,使交流成分“短路·。圖1中影響柵負壓的Ck元件的容抗Xc=0.2Rk.當Ck容量,100uF時,可采用幾只電容并聯,或在Ck上并聯0.1uF~0.47uF小電容,使其頻響得以改善。自給柵偏壓的優點除電路簡單、輸入阻抗高、頻率特性較好以外,還具有自我保護的能力。由于某些原因使屏流增大時,陰極電阻的電壓降也增大,造成柵負壓的增加,柵負壓的增加將使屏流減小,從而保護電子管不致損壞。

2,柵漏式柵負壓電路
此種柵負壓形成電路的特點是無陰極電阻,柵漏電阻值取得較大(見圖2),一般為3MΩ~5MΩ。其工作原理是電子管工作時柵極與陰極電位差為零,當電子由陰極向屏極發射時,有一部分電子撞到柵極上被柵極吸收,使柵極變成負電位。為了使柵極盡量多地捕獲電子,一般采用柵極距陰極近,距屏極遠的電子管。而且柵極的金屬絲繞制密集,如高u三極管或五極管。另外Rg的阻值較一般放大電路的屏極電阻值大許多,這樣可使屏極場強較小,吸引力減小,使柵極捕獲較多電子。此類電路的優點是電路簡單。另外,陰極直接接地,可有效地降低燈絲電壓對放大器的干擾,信噪比高。但此類放大器柵極負壓一般為1V左右,輸入信號幅度不得超過0.5Vp-p”,主要用于小信號放大。如電磁式電唱盤放大,話筒放大或磁頭放大等。
3,固定柵壓電路
此類電路單獨用一組柵壓電源為電子管提供柵壓。見圖3、圖4。根據電子管型號不同、工作狀態不同,其柵壓有正負之分。一般A類。ABl類放大器的柵壓為負極性,A2類,B類等工作在有柵流狀態的放大器柵壓為正極性。固定偏壓電路的優點是工作點穩定,不受屏流變化影響。相同屏壓下電子臂可輸出較大功率。缺點是采用固定式柵負壓電路的電子管無自我保護能力,一旦柵負壓電源電路失效,會造成屏流迅速增大,使之損壞。但A2類、B類放大器則,無此慮。固定式柵偏壓電路一般應用于功放級

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深入解析UCC21710:高性能隔離柵驅動器的卓越之選
探討一下德州儀器(TI)推出的UCC21710隔離柵驅動器,看看它有哪些獨特的優勢和特點。 文件下載: ucc21710.pdf 一、UCC21710概述 UCC21710是一款先進的隔離柵驅動器,專為碳化硅(SiC)MOSFE
100V200V250V MOS管詳解 -HCK450N25L
一、MOS管的類型與應用
MOS管屬于電壓驅動型器件,廣泛應用于現代電子電路中,常作為電子開關、放大器等功能使用。
NMOS管與PMOS
發表于 08-29 11:20
Texas Instruments TPS25948雙向供電電子保險絲數據手冊
(PowerWCSP) 提供電路保護和電源管理解決方案。TPS25948電子保險絲采用基于線性ORing的方案,確保直流反向電流幾乎為零,并以最小的正向壓降和功耗模擬理想二極管特性。
淺談TFT顯示屏的供電方式
作為現代電子設備的核心視覺載體,液晶屏 的顯示效果與壽命,極大程度依賴于其供電系統的精準與穩定。尤其對于TFT(薄膜晶體管)類液晶模塊,其內部構造精密,包含升壓電路、數字邏輯、Gamma電壓、TFT
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現代電力電子系統的核心開關器件,其長期可靠性直接關系到設備壽命與運行安全。在諸多應力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協同作用,往往成為加速器件內部劣
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場效應管)的本質在柵極(G)電壓對漏極(D)與源極(S)間導電溝道的精準控制,作為開關器件成為電子應用的核心。原理是當柵源電壓(Vgs)超過閾值電壓(Vth),溝道形成,電流
等效柵氧厚度的微縮
為了有效抑制短溝道效應,提高柵控能力,隨著MOS結構的尺寸不斷降低,就需要相對應的提高柵電極電容。提高電容的一個辦法是通過降低柵氧化層的厚度來達到這一目的。柵氧厚度必須隨著溝道長度的降
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
LP3718BSL芯茂微12V1A自供電PSR控制芯片
設置輸出恒流點;通過設 定 FB 上偏電阻和下偏電阻來設置輸出恒壓點。 為了實現系統成本的致簡化,LP3718 內置啟 動電路,外圍不需要啟動電阻;采用自供電的方式 來取消輔助繞組 VCC 供電二極
發表于 04-01 17:47
如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性
隨著電力電子技術的飛速發展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)因其優異的性能,如高開關速度、低導通電阻和高工作溫度,逐漸成為高頻、高效功率轉換應用的理想選擇。然而,SiC
電子管柵壓的供電方式和特點,The use of vacuum tubes
評論