深入解析 onsemi NTMFD6H852NL 雙 N 溝道 MOSFET

在電子設備中，MOSFET 扮演著至關重要的角色，其性能直接影響著設備的效率和穩定性。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的一款雙 N 溝道 MOSFET——NTMFD6H852NL。

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產品概述

NTMFD6H852NL 是 onsemi 公司的一款功率型雙 N 溝道 MOSFET，具有 80V 的耐壓能力，25.5mΩ 的導通電阻，最大連續漏極電流可達 25A。這款 MOSFET 采用了 5x6mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設計，能有效節省 PCB 空間。

產品特性

• 小尺寸封裝：5x6mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設計提供了可能，在空間有限的應用場景中具有明顯優勢。
• 低導通電阻：低 (R_{DS(on)}) 能有效降低導通損耗，提高系統效率。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可減少驅動損耗，降低功耗。
• 環保合規：該器件為無鉛產品，符合 RoHS 標準，滿足環保要求。

最大額定值

電壓與電流額定值

功率與溫度額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱能力的重要指標。該器件的結到殼熱阻在穩態下有相應的規定，但需要注意的是，整個應用環境會影響熱阻值，它并非恒定值，僅在特定條件下有效。例如，器件表面安裝在 FR4 板上，使用 (650mm^{2})、2oz. 的銅焊盤時，熱阻會有所不同。此外，脈沖時間長達 1 秒的最大電流會更高，但這取決于脈沖持續時間和占空比。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) 時，最小值為 80V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數 (V{(BR)DSS}/T{J})：為 47.5mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V) 條件下，(T{J}=25^{circ}C) 時為 10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C) 時為 250(mu A)。
• 柵源泄漏電流 (I_{GSS})：在 (V{DS}=0V)，(V{GS}=20V) 時為 100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓 (V_{GS(TH)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=26A) 時，典型值為 1.2 - 2.0V。
• 閾值溫度系數 (V{GS(TH)}/T{J})：為 -5.0mV/°C。
• 漏源導通電阻 (R_{DS(on)})：(V{GS}=10V)，(I{D}=10A) 時，典型值為 21 - 25.5mΩ；(V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) 時，典型值為 25 - 31.5mΩ。
• 正向跨導 (g_{FS})：在 (V{DS}=5V)，(I{D}=10A) 時為 38S。

電荷、電容與柵極電阻特性

• 輸入電容 (C_{ISS})：在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) 時為 521pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：為 69pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：為 4pF。
• 總柵極電荷 (Q_{G(TOT)})：(V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 時為 10nC；(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 時為 5nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：為 1.1nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 1.9nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 1.7nC。
• 平臺電壓 (V_{GP})：為 3.1V。

開關特性

• 開通延遲時間 (t_{d(ON)})：在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=10A)，(R{G}=2.5Omega) 時為 7ns。
• 上升時間 (t_{r})：為 23ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(OFF)})：為 19ns。
• 下降時間 (t_{f})：為 16ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V_{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C) 時，有相應的參數。
• 反向恢復電荷 (Q_{RR})：為 20nC。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、最大額定正向偏置安全工作區、最大漏極電流與雪崩時間關系以及熱響應曲線等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現，為電路設計提供參考。

訂購信息

該器件的標記為 6H852L，采用 DFN8（無鉛）封裝，每盤 1500 個，以卷帶包裝形式供貨。關于卷帶規格的詳細信息，可參考 onsemi 的 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

機械尺寸與封裝

器件采用 DFN8 5x6、1.27P 雙引腳（SO8FL - 雙）封裝，文檔中給出了詳細的機械尺寸圖和相關說明。在進行 PCB 設計時，需要嚴格按照這些尺寸進行布局，以確保器件的正確安裝和使用。同時，對于焊接焊盤的設計，可參考 onsemi 的 Soldering and Mounting Techniques Reference Manual（SOLDERRM/D）。

總結

NTMFD6H852NL 是一款性能優異的雙 N 溝道 MOSFET，具有小尺寸、低導通電阻、低驅動損耗等優點，適用于多種緊湊型電子設備。在設計過程中，工程師需要充分考慮其最大額定值、電氣特性和熱阻特性等參數，結合典型特性曲線進行合理的電路設計，以確保器件的性能和可靠性。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗。