深入解析 onsemi NVMFS6H852N 功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件，它廣泛應用于各種電源管理、電機驅動等電路中。今天，我們就來深入探討 onsemi 公司的 NVMFS6H852N 單通道 N 溝道功率 MOSFET。

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產品概述

NVMFS6H852N 是 onsemi 推出的一款高性能功率 MOSFET，具有 80V 的漏源擊穿電壓（$V{(BR)DSS}$），最大漏源導通電阻（$R{DS(ON)}$）在 10V 柵源電壓下僅為 14.2 mΩ，最大漏極電流（$I_{D}$）可達 43A。其采用 5x6 mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設計。

產品特性

低導通損耗

低 $R_{DS(on)}$ 是這款 MOSFET 的一大亮點，它能夠有效降低導通損耗，提高電路的效率。在實際應用中，較低的導通電阻意味著在相同的電流下，MOSFET 產生的熱量更少，從而減少了散熱設計的難度和成本。

低驅動損耗

低 $Q_{G}$ 和電容特性使得該 MOSFET 在開關過程中所需的驅動能量更少，進而降低了驅動損耗。這對于高頻開關應用尤為重要，能夠提高系統的整體效率。

可焊側翼選項

NVMFS6H852NWF 具有可焊側翼選項，這一設計大大增強了光學檢測的效果，方便在生產過程中進行質量檢測，提高了生產效率和產品的可靠性。

汽車級認證

該器件通過了 AEC - Q101 認證，并且具備生產件批準程序（PPAP）能力，這意味著它能夠滿足汽車電子等對可靠性要求極高的應用場景。

環保合規

NVMFS6H852N 是無鉛產品，并且符合 RoHS 標準，符合現代電子行業對環保的要求。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓（$V_{(BR)DSS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250 μA$ 的條件下，$V_{(BR)DSS}$ 為 80V，這表明該 MOSFET 能夠承受較高的電壓，適用于一些高壓應用場景。
• 零柵壓漏極電流（$I_{DSS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$V{DS} = 80 V$，$T{J} = 25 °C$ 時，$I{DSS}$ 為 10 μA；當 $T{J} = 125°C$ 時，$I{DSS}$ 為 100 μA。較低的漏極電流可以減少靜態功耗。
• 柵源泄漏電流（$I_{GSS}$）：在 $V{DS} = 0 V$，$V{GS} = 20 V$ 時，$I_{GSS}$ 為 100 nA，這保證了柵極的穩定性。

導通特性

在 $V{GS}=10V$ 時，$R{DS(ON)}$ 為 14.2 mΩ，這使得該 MOSFET 在導通狀態下的電阻較小，能夠有效降低導通損耗。

電荷、電容及柵極電阻特性

• 輸入電容（$C_{ISS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$f = 1 MHz$，$V{DS} = 40 V$ 時，$C_{ISS}$ 為 760 pF。
• 輸出電容（$C_{OSS}$）：為 110 pF。
• 反向傳輸電容（$C_{RSS}$）：為 5.4 pF。
• 總柵極電荷（$Q_{G(TOT)}$）：在 $V{GS} = 10 V$，$V{DS} = 40 V$，$I{D} = 15 A$ 時，$Q{G(TOT)}$ 為 13 nC。

開關特性

• 開啟延遲時間（$t_{d(ON)}$）：在 $V{Gs}= 10V$，$V{Ds} = 64V$，$I{D} = 15A$，$R{G} = 2.5Ω$ 的條件下，$t_{d(ON)}$ 為 11 ns。
• 上升時間（$t_{r}$）：為 24 ns。
• 關斷延遲時間（$t_{d(OFF)}$）：為 25 ns。
• 下降時間（$t_{f}$）：為 6.0 ns。這些快速的開關特性使得該 MOSFET 適用于高頻開關應用。

漏源二極管特性

在 $T{J}=25°C$，$V{GS}=0 V$，$dI{S} / dt = 100 A / μs$ 的條件下，反向恢復電荷（$Q{RR}$）為 29 nC。

典型特性

導通區域特性

從圖 1 可以看出，在不同的柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓的變化情況。這有助于我們了解 MOSFET 在導通區域的工作特性，從而更好地進行電路設計。

傳輸特性

圖 2 展示了在不同結溫下，漏極電流隨柵源電壓的變化關系。這對于在不同溫度環境下使用該 MOSFET 具有重要的參考價值。

導通電阻與柵源電壓及漏極電流的關系

圖 3 和圖 4 分別展示了導通電阻與柵源電壓以及漏極電流的關系。通過這些曲線，我們可以根據實際需求選擇合適的柵源電壓和漏極電流，以獲得最佳的導通電阻。

導通電阻隨溫度的變化

圖 5 顯示了導通電阻隨結溫的變化情況。在實際應用中，我們需要考慮溫度對導通電阻的影響，以確保電路的穩定性。

漏源泄漏電流與電壓的關系

圖 6 展示了漏源泄漏電流隨漏源電壓的變化關系。較低的泄漏電流可以減少功耗，提高電路的效率。

電容變化特性

圖 7 顯示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容隨漏源電壓的變化情況。這對于理解 MOSFET 的開關特性和驅動要求非常重要。

柵源電壓與總電荷的關系

圖 8 展示了柵源電壓與總柵極電荷的關系，這有助于我們確定合適的驅動電壓和驅動電流。

電阻性開關時間與柵極電阻的關系

圖 9 顯示了開關時間隨柵極電阻的變化情況。在設計驅動電路時，我們需要根據實際情況選擇合適的柵極電阻，以獲得最佳的開關性能。

二極管正向電壓與電流的關系

圖 10 展示了二極管正向電壓隨電流的變化關系。這對于了解 MOSFET 內部二極管的特性非常重要。

最大額定正向偏置安全工作區

圖 11 給出了在不同脈沖時間下，MOSFET 的最大額定正向偏置安全工作區。這有助于我們在設計電路時確保 MOSFET 在安全的工作范圍內運行。

峰值電流與雪崩時間的關系

圖 12 展示了峰值電流隨雪崩時間的變化關系。在實際應用中，我們需要考慮雪崩效應的影響，以確保 MOSFET 的可靠性。

熱特性

圖 13 顯示了熱阻隨脈沖時間的變化情況。這對于散熱設計非常重要，我們可以根據熱阻特性選擇合適的散熱方式和散熱器件。

封裝與訂購信息

NVMFS6H852N 提供兩種封裝形式：DFN5 和 DFNW5。其中，NVMFS6H852NT1G 采用 DFN5 封裝，NVMFS6H852NWFT1G 采用 DFNW5 封裝，兩種封裝均為無鉛封裝，并且以 1500 個/卷帶盤的形式進行包裝。

總結

onsemi 的 NVMFS6H852N 功率 MOSFET 具有低導通損耗、低驅動損耗、小尺寸等優點，適用于各種緊湊型、高效率的電子電路設計。通過對其電氣特性和典型特性的深入分析，我們可以更好地了解該 MOSFET 的性能，從而在實際應用中做出更合理的設計選擇。在使用過程中，我們還需要注意其最大額定值和熱特性，以確保器件的可靠性和穩定性。大家在實際設計中是否遇到過類似 MOSFET 的應用問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。