貝嶺捷報(bào)

IIC 2026 「功」獲殊榮，車規(guī)芯聲引關(guān)注

2026 IIC Shanghai 國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)盛大啟幕，上海貝嶺攜硬核實(shí)力亮相，一舉斬獲行業(yè)重磅獎(jiǎng)項(xiàng)，更在峰會(huì)上發(fā)表車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體專題演講，盡顯本土企業(yè)技術(shù)底蘊(yùn)！

展會(huì)期間，2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮圓滿舉行，汽車電子市場(chǎng)總監(jiān)張飛代表公司登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)。本次上海貝嶺150V屏蔽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管BLP038N15，榮獲2026年度中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之熱門IC產(chǎn)品類：功率器件/寬禁帶器件，這份榮譽(yù)是行業(yè)對(duì)該產(chǎn)品在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用及行業(yè)影響力等方面卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，更是對(duì)公司深耕功率半導(dǎo)體賽道成果的充分肯定。

同期，在2026中國(guó)IC領(lǐng)袖峰會(huì)上，其發(fā)表《新趨勢(shì)、新變局，國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略》主題演講。演講深度剖析了國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)與新變局，系統(tǒng)梳理產(chǎn)業(yè)面臨的多重挑戰(zhàn)及破局思路，并以上海貝嶺為例，分享車規(guī)級(jí)電子產(chǎn)品布局、車規(guī)服務(wù)體系建設(shè)等實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)與前瞻思考，內(nèi)容扎實(shí)干貨滿滿，獲得現(xiàn)場(chǎng)高度關(guān)注與熱烈反響。

核心功率器件推薦

BLP038N15

產(chǎn)品定位

關(guān)鍵詞：SGT MOSFET、150V、 超低導(dǎo)通電阻、低FOM值、車規(guī)級(jí)可靠性

核心應(yīng)用場(chǎng)景：

上海貝嶺BLP038N15產(chǎn)品憑借超低導(dǎo)通電阻、高可靠性、高雪崩能量和低開關(guān)損耗的核心優(yōu)勢(shì)，廣泛適配以下領(lǐng)域：

· 通信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

· 叉車和輕型電動(dòng)車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

· 光伏儲(chǔ)能以及電池管理系統(tǒng) (BMS)

· 不間斷電源 (UPS)

核心技術(shù)與性能

上海貝嶺BLP038N15產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，結(jié)合深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，器件獲得優(yōu)良的開關(guān)性能，使得該產(chǎn)品具有極低的開關(guān)損耗。其器件優(yōu)勢(shì)具體如下：

超低導(dǎo)通電阻Rds(on)

BLP038N15的導(dǎo)通電阻典型值僅為2.9mΩ，相比于市場(chǎng)主流廠商同類低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降幅高達(dá)23%，可有效地降低功率器件在導(dǎo)通期間的損耗，顯著提升系統(tǒng)整機(jī)效率。貝嶺產(chǎn)品具有優(yōu)良的Rds(on) 一致性，適合大功率并聯(lián)場(chǎng)景。

圖1 導(dǎo)通電阻Rds(on)

低FOM 值

性能品質(zhì)因數(shù)Figure of Merit（FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on)為器件導(dǎo)通電阻，Qg為器件柵極總電荷），簡(jiǎn)稱FOM值，是評(píng)估MOSFET綜合性能的一個(gè)重要指標(biāo)。較低的導(dǎo)通電阻代表SGT MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下具有更低的損耗和更高的效率。較低的柵極總電荷代表SGT MOSFET可以更快地在導(dǎo)通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。上海貝嶺BLP038N15在保證超低的導(dǎo)通電阻優(yōu)勢(shì)下，極力控制器件柵極總電荷，使得該器件FOM值相較國(guó)內(nèi)廠商同電壓等級(jí)產(chǎn)品具有顯著優(yōu)勢(shì)。

圖2 FOM值

優(yōu)良的抗電流沖擊能力

貝嶺BLP038N15產(chǎn)品具有高雪崩能力、低熱阻的特點(diǎn)，在電機(jī)應(yīng)用中可以滿足電機(jī)短路大電流關(guān)斷的需求。

封裝與適配性

器件封裝

為了滿足客戶在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的使用需求，上海貝嶺150V SGT產(chǎn)品在封裝選擇上，可以提供TO-220，TO-247為代表的插件安裝形式。與此同時(shí)，還提供以TOLL和TO-263、TO-263-7、TOLT-16LW為代表的貼片安裝形式。對(duì)于高功率密度、電流密度設(shè)計(jì)，貝嶺推薦使用TOLL封裝的150V SGT 產(chǎn)品。TOLL封裝為高功率密度封裝，其典型占位面積為9.8mm*11.73mm與TO-263封裝相比，PCB面積可節(jié)省30%。TOLL封裝的外形高度僅為2.3mm，占用的體積較TO-263減少60%，實(shí)現(xiàn)節(jié)省用戶PCB空間，使客戶產(chǎn)品更具成本優(yōu)勢(shì)。

圖3 貝嶺TOLL-8 封裝圖

BLP038N15應(yīng)用表現(xiàn)

貝嶺針對(duì)大功率電機(jī)控制應(yīng)用，基于貝嶺150V SGT產(chǎn)品, 設(shè)計(jì)20kW電機(jī)控制器驗(yàn)證平臺(tái)，最高可支持96V電池應(yīng)用，控制器實(shí)物如圖4左所示。貝嶺電機(jī)控制器驗(yàn)證平臺(tái)采用疊層設(shè)計(jì)，上層為控制級(jí)，下層為功率級(jí)。功率級(jí)布局如圖4右所示，采用TO-263-7封裝，單相5管并聯(lián)。

圖4 貝嶺150V SGT 電機(jī)控制器驗(yàn)證平臺(tái)（左），功率板卡（右）

圖5 單管100A下應(yīng)用中開通波形(左) 關(guān)斷波形(右)

車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體系列

BLQP038N15-TT(TOLT封裝）

核心性能優(yōu)勢(shì)：

超低導(dǎo)通電阻:

導(dǎo)通電阻典型值：2.9mΩ（@Vgs=10V）

高雪崩耐受:

雪崩能量>1200mJ（@L=0.5mH, Ias=70A, Start TJ =25℃）

體二極管反向恢復(fù)快：

Qrr僅395nC（@Is=50A, VGS=0, di/dt=100A/us），有效降低開關(guān)損耗

核心應(yīng)用場(chǎng)景

150V SGT MOSFET BLQP038N15-TT憑借極致低導(dǎo)通與高可靠性的核心優(yōu)勢(shì)，廣泛適配電動(dòng)兩輪車和輕摩72V以上高功率驅(qū)動(dòng)器、雙電機(jī)獨(dú)立驅(qū)動(dòng)平臺(tái)、新國(guó)標(biāo)及出口歐盟平臺(tái)等高續(xù)航、高負(fù)載領(lǐng)域。

產(chǎn)品價(jià)值

該產(chǎn)品在48V~96V電池平臺(tái)上，可實(shí)現(xiàn)BOM成本優(yōu)化8%~15%。其超低導(dǎo)通電阻能顯著降低導(dǎo)通損耗、提升系統(tǒng)效率；相比TO-263封裝，還可節(jié)省30%的PCB面積。兼具高效率、高可靠性與高性價(jià)比，是150V SGT方案的優(yōu)選。