onsemi NTTFS010N10MCL MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天，我們將深入探討 onsemi 推出的 NTTFS010N10MCL 這款 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

文件下載：NTTFS010N10MCL-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTTFS010N10MCL 采用 onsemi 先進(jìn)的 POWERTRENCH? 工藝，并融入了屏蔽柵技術(shù)。這種工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能夠在最小化導(dǎo)通電阻的同時(shí)，保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，并且擁有同類(lèi)最佳的軟體二極管。

產(chǎn)品特性

屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

• 低導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=15A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 10.6mOmega)；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=12A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 15.9mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功耗更低，效率更高。
• 低反向恢復(fù)電荷（Qrr）：相比其他 MOSFET 供應(yīng)商，Qrr 降低了 50%。這有助于降低開(kāi)關(guān)噪聲和電磁干擾（EMI），提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)

• MSL1 封裝：具有良好的防潮性能，適用于各種環(huán)境條件。
• 100% UIL 測(cè)試：經(jīng)過(guò) 100% 的非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIL）測(cè)試，確保產(chǎn)品的可靠性和耐用性。

環(huán)保合規(guī)

該產(chǎn)品符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求，有助于企業(yè)實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 初級(jí) DC - DC MOSFET：在直流 - 直流電源轉(zhuǎn)換電路中，作為開(kāi)關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
• 同步整流器：應(yīng)用于 DC - DC 和 AC - DC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，提高整流效率，降低功耗。

電氣特性

最大額定值

電氣特性（(T_{J}=25^{circ}C)）

• 關(guān)斷特性：
  • 漏源擊穿電壓 (B{VDS})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 100V。
  • 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=80V)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 1(mu A)。
  • 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS}=pm20V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)為 100nA。
• 導(dǎo)通特性：
  • 柵源閾值電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=85mu A) 時(shí)，最小值為 1.0V，典型值為 1.5V，最大值為 3.0V。
  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)})：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=15A) 時(shí)，典型值為 9.1mOmega，最大值為 10.6mOmega；在 (V{GS}=4.5V)，(I_{D}=12A) 時(shí)，典型值為 13.5mOmega，最大值為 15.9mOmega。
  • 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS}=5V)，(I_{D}=15A) 時(shí)為 54S。
• 動(dòng)態(tài)特性：
  • 輸入電容 (C{ISS})：在 (V{DS}=50V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時(shí)，典型值為 1530pF，最大值為 2150pF。
  • 輸出電容 (C_{OSS})：典型值為 625pF，最大值為 875pF。
  • 反向傳輸電容 (C_{RSS})：典型值為 10pF，最大值為 18pF。
  • 柵極電阻 (R_{G})：典型值為 0.1(Omega)，最大值為 2.1(Omega)。
• 開(kāi)關(guān)特性：
  • 開(kāi)通延遲時(shí)間 (t{d(ON)})：在 (V{DD}=50V)，(I{D}=15A)，(V{GS}=10V)，(R_{GEN}=6Omega) 時(shí)，典型值為 9ns，最大值為 19ns。
  • 上升時(shí)間 (t_{r})：典型值為 3ns，最大值為 10ns。
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(OFF)})：典型值為 28ns，最大值為 45ns。
  • 下降時(shí)間 (t_{f})：典型值為 5ns，最大值為 10ns。
  • 總柵極電荷 (Q{g})：在 (V{GS}=0V) 到 10V 時(shí)，典型值為 22nC，最大值為 30nC。
• 漏源二極管特性：
  • 源漏二極管正向電壓 (V{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=2A) 時(shí)，典型值為 0.7V，最大值為 1.2V；在 (V{GS}=0V)，(I_{S}=15A) 時(shí)，典型值為 0.8V，最大值為 1.3V。
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (t{rr})：在 (I{F}=8A)，(di/dt = 300A/mu s) 時(shí)，典型值為 22ns，最大值為 36ns；在 (I_{F}=8A)，(di/dt = 1000A/mu s) 時(shí)，典型值為 17ns，最大值為 30ns。
  • 反向恢復(fù)電荷 (Q{rr})：在 (I{F}=8A)，(di/dt = 300A/mu s) 時(shí)，典型值為 35nC，最大值為 56nC；在 (I_{F}=8A)，(di/dt = 1000A/mu s) 時(shí)，典型值為 79nC，最大值為 126nC。

熱特性

封裝與訂購(gòu)信息

該產(chǎn)品采用 WDFN8（3.3x3.3，0.65P）封裝，標(biāo)記為 N10L，卷帶寬度為 12mm，每卷數(shù)量為 1500 個(gè)。

總結(jié)

NTTFS010N10MCL MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、低反向恢復(fù)電荷、穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)和良好的電氣性能，在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)。無(wú)論是在初級(jí) DC - DC 轉(zhuǎn)換還是同步整流應(yīng)用中，都能為工程師提供高效、可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其電氣特性和熱特性，合理選擇和使用該產(chǎn)品。你在使用 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。