NTD4809N與NVD4809N MOSFET：特性、參數與應用解析

在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET是一種極為常用的功率器件。今天，我們就來詳細探討一下NTD4809N與NVD4809N這兩款N溝道單功率MOSFET。

產品特性

低損耗優勢

這兩款MOSFET具有低導通電阻（$R_{DS(on)}$）的特性，能夠有效降低導通損耗，提高能源利用效率。同時，它們的低電容特性可以減少驅動損耗，并且優化的柵極電荷設計能夠進一步降低開關損耗。這些特性使得它們在對功率效率要求較高的應用場景中表現出色。

可靠性與環保性

NVD4809N通過了AEC Q101認證，這意味著它在汽車電子等對可靠性要求極高的領域也能穩定工作。此外，這兩款器件均為無鉛產品，符合RoHS標準，體現了環保理念。

應用領域

CPU供電

在CPU的功率輸送系統中，NTD4809N與NVD4809N能夠為CPU提供穩定的電源，確保其正常運行。其低損耗特性有助于降低CPU的功耗，提高系統的整體性能。

DC - DC轉換器

在DC - DC轉換器中，這兩款MOSFET可以實現高效的電壓轉換，將輸入電壓轉換為所需的輸出電壓。它們的快速開關特性和低損耗能夠提高轉換器的效率和穩定性。

低端開關

在低端開關應用中，NTD4809N與NVD4809N可以作為開關元件，控制電路的通斷。其低導通電阻能夠減少開關過程中的能量損耗，提高開關效率。

最大額定值

電壓與電流

參數	符號	值	單位
漏源電壓	$V_{DSS}$	30	V
柵源電壓	$V_{GS}$	±20	V
連續漏極電流（穩態，$T_{A}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	13.1	A
連續漏極電流（$T_{A}=85^{circ}C$）	$I_{D}$	10.1	A
脈沖漏極電流（$t{p}=10mu s$，$T{A}=25^{circ}C$）	$I_{DM}$	130	A

功率與溫度

參數	符號	值	單位
功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	2.63	W
工作結溫和存儲溫度	$T{J}, T{stg}$	-55 to 175	°C

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關斷特性

參數	符號	測試條件	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	$V_{(BR)DSS}$	$V{GS}=0V, I{D}=250mu A$	30		V
零柵壓漏極電流	$I_{DSS}$	$V{GS}=0V, V{DS}=24V$		1.0	$mu A$
		$T_{J}=125^{circ}C$		10	$mu A$

導通特性

參數	符號	測試條件	典型值	最大值	單位
柵極閾值電壓	$V_{GS(TH)}$	$V{GS}=V{DS}, I_{D}=250mu A$	1.5	2.5	V
漏源導通電阻	$R_{DS(on)}$	$V{GS}=10 - 11.5V, I{D}=30A$	7.0	9.0	mΩ
		$V{GS}=4.5V, I{D}=30A$	12	14	mΩ

電荷與電容特性

參數	符號	測試條件	最小值	典型值	單位
輸入電容	$C_{iss}$	$V{GS}=0V, f = 1.0MHz, V{DS}=12V$	1456		pF
輸出電容	$C_{oss}$		315		pF
反向傳輸電容	$C_{rss}$		200		pF
總柵極電荷	$Q_{G(TOT)}$	$V{GS}=4.5V, V{DS}=15V, I_{D}=30A$	11	13	nC

開關特性

參數	符號	測試條件	典型值	單位
導通延遲時間	$t_{d(on)}$	$V{GS}=4.5V, V{DS}=15V, I{D}=15A, R{G}=3.0Omega$	12.3	ns
上升時間	$t_{r}$		21.3	ns
關斷延遲時間	$t_{d(off)}$		15.1	ns
下降時間	$t_{f}$		5.3	ns

封裝與訂購信息

封裝類型

這兩款MOSFET提供了DPAK和IPAK兩種封裝形式，具體如下：	封裝	類型
DPAK	CASE 369AA（彎引腳）、CASE 369AD（直引腳）
IPAK	CASE 369D（直引腳）

訂購信息

訂單編號	封裝	運輸方式
NTD4809NT4G	DPAK（無鉛）	2500 / 卷帶包裝
NTD4809N - 1G	IPAK（無鉛）	75 個/導軌
NTD4809N - 35G	IPAK 修剪引腳（3.5 ± 0.15 mm）（無鉛）	75 個/導軌
NVD4809NT4G	DPAK（無鉛）	2500 / 卷帶包裝

總結

NTD4809N與NVD4809N MOSFET憑借其低損耗、高可靠性和環保等特性，在CPU供電、DC - DC轉換器和低端開關等應用領域具有廣闊的應用前景。電子工程師在設計相關電路時，可以根據具體的需求和參數要求，合理選擇這兩款器件，以實現高效、穩定的電路設計。

你在實際設計中是否使用過類似的MOSFET呢？在使用過程中遇到過哪些問題？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。舉報投訴

MOSFET

MOSFET

+關注

關注
151

文章
10361

瀏覽量
234606
應用領域

應用領域

+關注

關注
0

文章
420

瀏覽量
8397
低損耗

低損耗

+關注

關注
0

文章
21

瀏覽量
3422

伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

搜索歷史

NTD4809N與NVD4809N MOSFET：特性、參數與應用解析

NTD4809N與NVD4809N MOSFET：特性、參數與應用解析

產品特性

低損耗優勢

可靠性與環保性

應用領域

CPU供電

DC - DC轉換器

低端開關

最大額定值

電壓與電流

功率與溫度

電氣特性

關斷特性

導通特性

電荷與電容特性

開關特性

封裝與訂購信息

封裝類型

訂購信息

總結

評論