安森美NVMFD5C680NL雙N溝道MOSFET：高效與緊湊的完美結合

在電子設計領域，功率MOSFET的性能和特性對電路的效率和穩定性起著至關重要的作用。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NVMFD5C680NL雙N溝道MOSFET，看看它有哪些獨特之處，能為我們的設計帶來怎樣的優勢。

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產品特性

緊湊設計

NVMFD5C680NL采用了5x6 mm的小尺寸封裝，這種緊湊的設計對于空間受限的應用場景來說非常友好，能夠幫助我們實現更小型化的產品設計。

低損耗特性

• 低導通電阻（RDS(on)）：該MOSFET具有較低的RDS(on)，能夠有效降低導通損耗，提高電路的效率。在60V、10V的條件下，RDS(on)最大為28 mΩ；在4.5V時，RDS(on)最大為41 mΩ。
• 低柵極電荷（QG）和電容：低QG和電容能夠減少驅動損耗，使得MOSFET在開關過程中更加高效。

可焊側翼選項

NVMFD5C680NLWF提供了可焊側翼選項，這有助于增強光學檢測能力，提高生產過程中的檢測準確性和效率。

汽車級認證

該產品通過了AEC - Q101認證，并且具備PPAP能力，這意味著它能夠滿足汽車電子等對可靠性要求較高的應用場景。

環保合規

NVMFD5C680NL是無鉛產品，并且符合RoHS標準，符合環保要求。

最大額定值

電壓和電流額定值

• 漏源電壓（VDSS）：最大值為60V，能夠承受一定的電壓沖擊。
• 柵源電壓（VGS）：范圍為±20V。
• 連續漏極電流（ID）：在不同的溫度條件下有不同的額定值。在TC = 25 °C時，穩態ID為20A；在TC = 100 °C時，ID為15A。在TA = 25 °C時，ID為7.4A；在TA = 100 °C時，ID為5.5A。
• 脈沖漏極電流（IDM）：在TA = 25 °C，tp = 10 s的條件下，IDM為66A。

功率和溫度額定值

• 功率耗散（PD）：在不同的溫度條件下也有不同的額定值。在TC = 25 °C時，PD為24W；在TC = 100 °C時，PD為12W。在TA = 25 °C時，PD為3.2W；在TA = 100 °C時，PD為1.6W。
• 工作結溫和存儲溫度（TJ, Tstg）：范圍為 - 55 °C至 + 175 °C，具有較寬的溫度工作范圍。

其他額定值

• 源極電流（IS）：最大值為20A。
• 單脈沖漏源雪崩能量（EAS）：在TJ = 25 °C，IL(pk) = 5 A的條件下，EAS為47 mJ。
• 焊接用引線溫度（TL）：在1/8″ 離外殼處持續10 s的條件下，TL為260 °C。

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻特性

• 結到外殼熱阻（RJC）：穩態值為6.27 °C/W。
• 結到環境熱阻（RJA）：穩態值為46.6 °C/W。不過，熱阻會受到整個應用環境的影響，并非恒定值，這里給出的值僅適用于特定條件，即表面貼裝在FR4板上，使用650 (mm^{2})、2 oz.的銅焊盤。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：在VGS = 0 V，ID = 250 μA的條件下，為60V，其溫度系數為29 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流（IDSS）：在VGS = 0 V，VDS = 60 V的條件下，TJ = 25 °C時為10 μA，TJ = 125 °C時為100 nA。
• 柵源泄漏電流（IGSS）：在VDS = 0 V，VGS = 20 V的條件下。

導通特性

• 柵極閾值電壓（VGS(TH)）：在VGs = Vps，I = 13 A的條件下，最小值為1.2V，最大值為2.2V，其負閾值溫度系數為 - 4.3 mV/°C。
• 漏源導通電阻（RDS(on)）：在VGs = 10V，Ip = 5A的條件下，典型值為23 mΩ，最大值為28 mΩ；在VGs = 4.5V，Ip = 5A的條件下，典型值為33 mΩ，最大值為41 mΩ。
• 正向跨導（gFs）：在Vps = 15V，Ip = 5A的條件下，典型值為50 S。

電荷、電容和柵極電阻特性

• 輸入電容（CISS）：在VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 25 V的條件下，為350 pF。
• 輸出電容（COSS）：為150 pF。
• 反向傳輸電容（CRSS）：為6 pF。
• 總柵極電荷（QG(TOT)）：在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的條件下，為2.0 nC；在VGS = 10 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的條件下，為5.0 nC。
• 閾值柵極電荷（QG(TH)）：在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的條件下，為0.8 nC。
• 柵源電荷（QGS）：為1.2 nC。
• 柵漏電荷（QGD）：為0.8 nC。
• 平臺電壓（VGP）：為3.0 V。

開關特性

在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A，RG = 1.0的條件下，開通延遲時間td(ON)為6.4 ns，上升時間tr為25 ns，關斷延遲時間td(OFF)為13 ns，下降時間tf為23 ns。并且開關特性與工作結溫無關。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓（VSD）：在TJ = 25 °C，VGS = 0 V，IS = 5 A的條件下，為0.9 - 1.2 V；在TJ = 125 °C時，為0.8 V。
• 反向恢復時間（tRR）：為17 ns，其中充電時間ta為8 ns，放電時間tb為9 ns，反向恢復電荷QRR為7 nC。

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓的關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、導通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關系、電容變化、柵源與總電荷的關系、電阻性開關時間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關系、最大額定正向偏置安全工作區、雪崩峰值電流與時間的關系以及熱特性等。這些曲線能夠幫助我們更直觀地了解該MOSFET在不同條件下的性能表現。

訂購信息

該產品提供了不同的型號，如NVMFD5C680NLT1G、NVMFD5C680NLET1G和NVMFD5C680NLWFT1G，均采用DFN8（無鉛）封裝，每盤1500個，采用卷帶包裝。關于卷帶規格的詳細信息，可以參考安森美的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

機械尺寸和封裝信息

NVMFD5C680NL采用DFN8 5x6，1.27P雙引腳（SO8FL - 雙）封裝，文檔中給出了詳細的封裝尺寸圖和相關說明，包括尺寸公差、引腳定義等信息。同時，還提供了焊接焊盤的相關信息，對于焊接和安裝技術的詳細內容，可以下載安森美的Soldering and Mounting Techniques Reference Manual（SOLDERRM/D）。

綜上所述，安森美NVMFD5C680NL雙N溝道MOSFET憑借其緊湊的設計、低損耗特性、汽車級認證等優勢，在電子設計中具有很大的應用潛力。在實際設計中，我們需要根據具體的應用場景和需求，合理選擇和使用該產品，以實現最佳的性能和可靠性。你在使用MOSFET的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。