Onsemi NVMFD5C672NL雙N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合
Onsemi NVMFD5C672NL雙N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討Onsemi推出的NVMFD5C672NL雙N溝道MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處，能為我們的設(shè)計(jì)帶來怎樣的優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
NVMFD5C672NL是一款60V、11.9mΩ、40A的雙N溝道MOSFET，采用了5x6mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。它具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和低柵極電荷（QG）及電容，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，該器件還提供了可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)（NVMFD5C672NLWF），便于進(jìn)行光學(xué)檢查，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，是一款環(huán)保、可靠的功率器件。
關(guān)鍵特性
緊湊設(shè)計(jì)
5x6mm的小尺寸封裝，為空間受限的應(yīng)用提供了理想的解決方案。在如今追求小型化和集成化的電子設(shè)備中，這種緊湊的設(shè)計(jì)能夠節(jié)省寶貴的電路板空間，使設(shè)計(jì)更加靈活。
低損耗
- 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提高功率轉(zhuǎn)換效率。在不同的柵源電壓下，RDS(on)表現(xiàn)出色，如在VGS = 10V時(shí)，典型值為9.8mΩ；在VGS = 4.5V時(shí)，最大值為16.8mΩ。
- 低柵極電荷（QG）和電容：有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。例如，在VGS = 4.5V、VDS = 48V、ID = 10A的條件下，總柵極電荷QG(TOT)為5.7nC；在VGS = 10V時(shí)，QG(TOT)為12.3nC。
可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)
NVMFD5C672NLWF提供了可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)，增強(qiáng)了光學(xué)檢查的效果，有助于提高生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制和檢測(cè)效率。
可靠性高
通過AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，適用于汽車等對(duì)可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí)，該器件的工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55°C至 + 175°C，能夠在惡劣的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。
電氣特性
最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 連續(xù)漏極電流（RJC，TC = 25°C） | ID | 40 | A |
| 連續(xù)漏極電流（RJC，TC = 100°C） | ID | 31 | A |
| 功率耗散（RJC，TC = 25°C） | PD | 42 | W |
| 功率耗散（RJC，TC = 100°C） | PD | 21 | W |
| 連續(xù)漏極電流（RJA，TA = 25°C） | ID | 11 | A |
| 連續(xù)漏極電流（RJA，TA = 100°C） | ID | 8.0 | A |
| 功率耗散（RJA，TA = 25°C） | PD | 3.1 | W |
| 功率耗散（RJA，TA = 100°C） | PD | 1.5 | W |
| 脈沖漏極電流（TA = 25°C，tp = 10s） | IDM | 161 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 | TJ, Tstg | -55至 + 175 | °C |
| 源極電流（體二極管） | IS | 35.2 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（TJ = 25°C，IL(pk) = 2A） | EAS | 66 | mJ |
| 焊接用引腳溫度（1/8″ 離外殼10s） | TL | 260 | °C |
電氣特性（TJ = 25°C）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | VGS = 0V，ID = 250μA | 60 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) | V(BR)DSS/TJ | - | - | 27 | - | mV/°C |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VGS = 0V，VDS = 60V，TJ = 25°C | - | - | 10 | μA |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VGS = 0V，VDS = 60V，TJ = 125°C | - | - | 100 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VDS = 0V，VGS = 20V | - | - | 100 | nA |
| 導(dǎo)通電阻（ID = 10A） | RDS(on) | - | 9.8 | - | - | mΩ |
| 導(dǎo)通電阻（ID = 10A） | RDS(on) | - | - | 13.4 | 16.8 | mΩ |
| 輸入電容 | CISS | VGS = 0V，f = 1MHz，VDS = 25V | - | 793 | - | pF |
| 輸出電容 | COSS | - | - | 383 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | CRSS | - | - | 9.0 | - | pF |
| 總柵極電荷（VGS = 4.5V，VDS = 48V，ID = 10A） | QG(TOT) | - | 5.7 | - | nC | |
| 總柵極電荷（VGS = 10V，VDS = 48V，ID = 10A） | QG(TOT) | - | 12.3 | - | nC | |
| 閾值柵極電荷 | QG(TH) | VDS = 48V，ID = 10A | - | 1.5 | - | nC |
| 柵源電荷 | QGS | - | - | 2.7 | - | nC |
| 柵漏電荷 | QGD | - | - | 1.2 | - | nC |
| 平臺(tái)電壓 | VGP | - | - | 2.8 | - | V |
| 上升時(shí)間 | tr | ID = 10A，RG = 1.0Ω | - | 28 | - | ns |
| 正向二極管電壓（TJ = 25°C） | VSD | VGS = 0V，IS = 10A | 0.9 | - | 1.2 | V |
| 正向二極管電壓（TJ = 125°C） | VSD | VGS = 0V，IS = 10A | 0.8 | - | - | V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 | tRR | VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A | - | 26 | - | ns |
| 充電時(shí)間 | ta | VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A | - | 12.3 | - | ns |
| 放電時(shí)間 | tb | VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A | - | 13.5 | - | ns |
| 反向恢復(fù)電荷 | QRR | VGS = 0V，dIS/dt = 20A/μs，IS = 10A | - | 13 | - | nC |
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線，展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓和漏極電流的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷的關(guān)系、電阻性開關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線為工程師在設(shè)計(jì)過程中提供了重要的參考依據(jù)，幫助他們更好地理解和應(yīng)用該器件。
封裝與訂購(gòu)信息
封裝
NVMFD5C672NL采用DFN8 5x6（SO8FL）封裝，具體尺寸和機(jī)械結(jié)構(gòu)在文檔中有詳細(xì)說明。該封裝具有良好的散熱性能和電氣性能，適合表面貼裝工藝。
訂購(gòu)信息
| 器件型號(hào) | 標(biāo)記 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|---|
| NVMFD5C672NLT1G | 5C672L | DFN8（無鉛） | 1,500 / 卷帶包裝 |
| NVMFD5C672NLWFT1G | 672LWF | DFN8（無鉛，可焊?jìng)?cè)翼） | 1,500 / 卷帶包裝 |
總結(jié)
Onsemi的NVMFD5C672NL雙N溝道MOSFET憑借其緊湊的設(shè)計(jì)、低損耗特性、高可靠性和良好的電氣性能，為電子工程師在設(shè)計(jì)功率電路時(shí)提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。無論是在汽車電子、工業(yè)控制還是消費(fèi)電子等領(lǐng)域，該器件都能夠滿足對(duì)功率密度和效率的要求。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，參考文檔中的電氣特性和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能。你在使用MOSFET時(shí)，有沒有遇到過一些特殊的挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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