探索 onsemi NVMJS1D6N06CL N 溝道 MOSFET 的卓越性能
探索 onsemi NVMJS1D6N06CL N 溝道 MOSFET 的卓越性能
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET 是不可或缺的關鍵元件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVMJS1D6N06CL N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨特之處，能為我們的設計帶來怎樣的優勢。
文件下載：NVMJS1D6N06CL-D.PDF
產品概述
NVMJS1D6N06CL 是一款耐壓 60V、導通電阻低至 1.36mΩ、最大電流可達 250A 的 N 溝道功率 MOSFET。它采用了 LFPAK8 封裝，尺寸僅為 5x6mm，非常適合緊湊設計的應用場景。該產品不僅符合 AEC - Q101 標準，具備 PPAP 能力，還采用無鉛工藝，符合 RoHS 標準，為環保設計提供了保障。
關鍵特性
小尺寸與低損耗
- 緊湊設計：5x6mm 的小尺寸封裝，為設計人員在空間受限的應用中提供了更多的靈活性。
- 低導通電阻：低 (R_{DS(on)}) 特性有效降低了導通損耗，提高了系統的效率。
- 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容特性，可減少驅動損耗，進一步提升系統性能。
行業標準封裝與質量認證
- LFPAK8 封裝：作為行業標準封裝，便于與現有設計兼容，降低了設計成本和風險。
- AEC - Q101 認證：經過嚴格的汽車級認證，確保了產品在惡劣環境下的可靠性和穩定性。
電氣特性
最大額定值
| 在 (T_{J}=25^{circ}C) 的條件下，該 MOSFET 的最大額定值如下： | 參數 | 條件 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V{GS}=0V)，(I{D}=250A) | (V_{(BR)DSS}) | 60 | V | |
| 連續漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | A | |||
| 連續漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | A | |||
| 功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)） | (P_{D}) | 83 | W | ||
| 連續漏極電流（(T_{A}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 38 | A | ||
| 功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 3.8 | W | ||
| 脈沖電流 | (I_{DM}) | 900 | A | ||
| 工作結溫和存儲溫度 | (T{J})，(T{stg}) | +175 | °C |
電氣參數
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | (V{GS}=0V)，(I{D}=250A) | 60 | V | ||
| 零柵壓漏極電流（(T_{J}=25^{circ}C)） | (V{GS}=0V)，(V{DS}=60V) | 10 | μA | ||
| 零柵壓漏極電流（(T_{J}=125^{circ}C)） | (V{GS}=0V)，(V{DS}=60V) | 250 | μA | ||
| 柵源泄漏電流 | (V{DS}=0V)，(V{GS}=±16V) | ±100 | nA | ||
| 柵極閾值電壓 | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250A) | 1.2 | 2.0 | V | |
| 漏源導通電阻（(V{GS}=10V)，(I{D}=50A)） | 1.13 | 1.36 | mΩ | ||
| 漏源導通電阻（(V{GS}=4.5V)，(I{D}=50A)） | 1.65 | 2.30 | mΩ | ||
| 正向跨導 | (V{DS}=15V)，(I{D}=50A) | 151 | S | ||
| 輸入電容 | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V) | 6660 | pF | ||
| 輸出電容 | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V) | 2953 | pF | ||
| 反向傳輸電容 | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=25V) | 45 | pF | ||
| 總柵極電荷（(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)） | 41 | nC | |||
| 總柵極電荷（(V{GS}=10V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A)） | 91 | nC | |||
| 閾值柵極電荷 | 5 | nC | |||
| 柵源電荷 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A) | 17.1 | nC | ||
| 柵漏電荷 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I_{D}=50A) | 10.9 | nC | ||
| 平臺電壓 | 2.9 | V | |||
| 開啟延遲時間 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω) | 19 | ns | ||
| 上升時間 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω) | 51 | ns | ||
| 關斷延遲時間 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω) | 47 | ns | ||
| 下降時間 | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R{G}=1Ω) | 18 | ns | ||
| 正向二極管電壓（(T_{J}=25^{circ}C)） | (V{GS}=0V)，(I{S}=50A) | 0.78 | 1.2 | V | |
| 正向二極管電壓（(T_{J}=125^{circ}C)） | (V{GS}=0V)，(I{S}=50A) | 0.66 | V | ||
| 反向恢復時間 | (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A) | 78 | ns | ||
| 充電時間 | (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A) | 36 | ns | ||
| 放電時間 | (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A) | 42 | ns | ||
| 反向恢復電荷 | (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/μs)，(I_{S}=50A) | 105 | nC |
熱阻特性
| 該 MOSFET 的熱阻特性如下： | 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 結到殼穩態熱阻 | (R_{JC}) | 0.9 | °C/W | |
| 結到環境穩態熱阻（注 2） | (R_{JA}) | 36 | °C/W |
需要注意的是，整個應用環境會影響熱阻值，這些值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。
典型特性曲線
文檔中還提供了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源和漏源電壓與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、安全工作區、雪崩峰值電流與時間關系以及熱特性等。這些曲線有助于工程師更深入地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現。
封裝與訂購信息
封裝尺寸
| NVMJS1D6N06CL 采用 LFPAK8 封裝，其具體尺寸如下： | 尺寸 | 最小值 | 標稱值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| A | 1.10 | 1.20 | 1.30 | |
| A1 | 0.00 | 0.08 | 0.15 | |
| A2 | 1.10 | 1.15 | 1.20 | |
| A3 | 0.25 BSC | |||
| b | 0.40 | 0.45 | 0.50 | |
| b4 | 0.45 | 0.55 | 0.65 | |
| C | 0.19 | 0.22 | 0.25 | |
| c2 | 0.19 | 0.22 | 0.25 | |
| D | 4.70 | 4.80 | 4.90 | |
| D1 | 3.80 | 4.00 | 4.20 | |
| D2 | 2.98 | 3.08 | 3.18 | |
| D3 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | |
| D4 | 0.55 | 0.65 | 0.75 | |
| E | 4.80 | 4.90 | 5.00 | |
| E1 | 5.05 | 5.15 | 5.25 | |
| E2 | 3.91 | 3.96 | 4.01 | |
| e | 1.27 BSC | |||
| e/2 | 0.635 BSC | |||
| H | 6.00 | 6.15 | 6.30 | |
| L | 0.50 | 0.70 | 0.90 | |
| L1 | 0.15 | 0.25 | 0.35 | |
| L2 | 1.10 REF | |||
| e | 0 | 4 | 8° |
訂購信息
該產品的訂購型號為 NVMJS1D6N06CLTWG，采用 3000 個/卷帶包裝。關于卷帶規格的詳細信息，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
總結
onsemi 的 NVMJS1D6N06CL N 溝道 MOSFET 以其小尺寸、低損耗、行業標準封裝和嚴格的質量認證等優勢，為電子工程師在設計高性能、緊湊化的電源管理和功率轉換系統時提供了一個優秀的選擇。在實際應用中，工程師們可以根據具體的設計需求，結合該 MOSFET 的電氣特性和熱阻特性，合理選擇工作條件，以充分發揮其性能優勢。同時，通過參考典型特性曲線，還能更好地優化電路設計，提高系統的穩定性和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區分享交流。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電氣特性
+關注
關注
0文章
224瀏覽量
10300
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
onsemi FDB1D7N10CL7：100V N溝道屏蔽柵功率MOSFET的卓越性能與應用
onsemi FDB1D7N10CL7：100V N溝道屏蔽柵功率MOSFET的卓越性能與應用
onsemi NVMYS6D2N06CL：高性能單通道N溝道MOSFET的卓越之選
onsemi NVMYS6D2N06CL：高性能單通道N溝道MOSFET的
探索 onsemi NVMYS014N06CL：高性能單通道 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
探索 onsemi NVMYS014N06CL：高性能單通道 N 溝道
onsemi NVMTS0D7N06CL N溝道MOSFET深度解析
onsemi NVMTS0D7N06CL N溝道MOSFET深度解析 在電子設計領域，MOSFET
安森美NVMJS2D5N06CL單通道N溝道MOSFET深度解析
安森美NVMJS2D5N06CL單通道N溝道MOSFET深度解析 在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其
安森美NVMJS1D5N04CL N溝道功率MOSFET深度解析
安森美NVMJS1D5N04CL N溝道功率MOSFET深度解析 在電子設備不斷追求小型化、高效化的今天，功率MOSFET作為關鍵的電子元件
安森美NVMJS1D4N06CL單通道N溝道功率MOSFET深度解析
安森美NVMJS1D4N06CL單通道N溝道功率MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設計中，功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天，
Onsemi NVMJS1D7N06C單通道N溝道MOSFET：技術特性與應用解析
Onsemi NVMJS1D7N06C單通道N溝道MOSFET：技術特性與應用解析 在電子設計領域，MO
探索 onsemi NVMJS1D2N04CL：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
探索 onsemi NVMJS1D2N04CL：高性能 N 溝道
onsemi NVMJS0D8N04CL N溝道MOSFET深度解析
onsemi NVMJS0D8N04CL N溝道MOSFET深度解析 在電子電路設計中，MOSFET
探索 onsemi NVMJD012N06CL 雙 N 溝道 MOSFET 的卓越性能
探索 onsemi NVMJD012N06CL 雙 N 溝道 MOSFET 的
onsemi NVMJD015N06CL雙N溝道MOSFET：緊湊設計與高效性能的完美結合
深入探討的是安森美（onsemi）的NVMJD015N06CL雙N溝道MOSFET，它以其出色的性能
工商網監
評論