電子發燒友網報道（文/黃山明）在人工智能與邊緣計算驅動數據架構全面重塑的2026年，存儲技術正加速向高可靠性、低功耗及車規級嚴苛標準演進。然而，面對算力需求指數級躍升帶來的全新挑戰，如何進一步夯實底層技術根基、優化全鏈路能效比并構建更具韌性的供應鏈生態，已成為行業持續高質量發展的核心議題。

為此，東芯半導體主動破局，深度探討如何通過底層技術優化與全鏈路能效提升，為產業構建自主可控的存儲生態共同體。

構建自主可控的存儲生態共同體

全球存儲市場規模持續快速增長，據東芯半導體潘惠忠分享，預計2026年突破5516 億美元，2025國內市場達到4580億元。包括消費電子、網通電子、汽車電子等應用的多元化，都在帶動存儲芯片需求增長。

并且隨著數據量的爆炸式增長、應用場景的不斷豐富以及用戶對性能、成本、安全和效率要求的提升，傳統的單一存儲架構已經難以滿足現代業務需求。

不過東芯半導體并未盲目追逐產能擴張，而是選擇了一條“向內深耕”的精細化發展之路。通過不斷深入了解市場需求，接受客戶反饋，建立了從研發到轉化再到創新的技術發展循環。

作為國內少數能夠同時提供NAND、NOR、DRAM全品類設計工藝的企業，東芯半導體堅持Fabless模式下的自主創新。在核心技術上，公司1xnm NAND Flash產品已實現量產，NOR Flash推進至48nm工藝，DRAM產品線亦在DDR3（L）、LPDDR4等領域不斷完善布局。

針對物聯網及汽車電子的嚴苛環境，東芯半導體構建了六大產品結構，涵蓋SPINAND Flash、PPI NAND Flash、DDR3（L）、SPI NOR Flash、LPDDR1/2/4X及MCP等，產品在寬溫范圍、高傳輸速率及低功耗方面表現優異。

尤為值得一提的是，東芯半導體通過積極拓展境內外雙代工模式，實現了從設計到產業化的一站式解決方案，有力地保障了產業鏈的安全與穩定。

在夯實存儲主業的基礎上，東芯半導體積極“向外探索”，向高附加值的車規級應用領域邁進。目前，公司的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP等產品已有多個料號通過AEC-Q100車規級驗證，并成功導入多家國內整車廠白名單及海外Tier1供應鏈，廣泛應用于車載娛樂系統、激光雷達、T-BOX及ADAS等核心場景。

更具前瞻性的是，東芯半導體圍繞“存、算、聯”一體化進行生態布局。通過設立子公司：上海億芯通感以及對礪算科技的投資，公司成功切入GPU芯片與Wi-Fi芯片領域。

據介紹，礪算科技首款自研GPU芯片“7G100”已于2025年流片成功，億芯通感的Wi-Fi7無線通信芯片研發也在持續推進，并已經完成原型機樣片測試。這種以存儲為核心，向算力與連接領域輻射的生態戰略，為東芯半導體在AI與萬物互聯時代的競爭提供了差異化優勢。

從深耕中小容量存儲技術，到布局“存、算、聯”一體化生態，東芯半導體正通過技術創新與產業鏈協同，積極響應國產替代與產業升級的號召。未來，東芯半導體將繼續以市場需求為導向，通過構建自主可控的存儲生態共同體，為數字經濟的穩健發展提供堅實的底層支撐。

年度存儲器產品

值得一提的是，日前東芯半導體榮獲中國IC設計成就獎之年度存儲器，獲獎產品為DS25M4CB-16A1B8。這是一款SPI NOR Flash，基于55nm工藝制程，容量為512Mbit（64MB）。

性能上，采用1.8V供電，相比傳統3.3V NOR Flash，功耗更低，適合電池供電及對功耗敏感的可穿戴、移動終端等應用。工作溫度為-40°C~125°C，覆蓋工業級乃至車規級溫度范圍。

具備最高166MHz時鐘，在SPI NOR Flash中屬于較高速度檔次，有利于提升代碼執行和數據吞吐速率。

還支持Single SPI，兼容傳統SPI主控，支持Dual/Quad SPI，可通過多線傳輸提升帶寬，也支持QPI，全部四線用于指令與地址，進一步提升命令、數據傳輸效率。

擁有DTR（Double Transfer Rate）模式，能夠在時鐘上升沿和下降沿均進行數據傳輸，在不提高時鐘頻率的情況下，可將有效數據吞吐量翻倍。

這些功能的加入，對于需要從NOR Flash 直接運行代碼的MCU或SoC而言，能夠有效減少啟動時間、提升實時響應能力。目前該款產品已通過AEC-Q100測試，對于國產替代與供應鏈安全訴求較強的整車廠與Tier1，這類本土車規級存儲芯片是重要的備選方案。

此外，在本次公開活動中，東芯半導體還展示了全系列存儲產品，例如SPINAND Flash，單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內部ECC模塊，使其在滿足數據傳輸效率的同時，既節約了空間，又提升了穩定性。產品現擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，目前工藝制程已經推進至1xnm先進工藝制程。

產品可提供1.8V/3.3V兩種電壓，具備WSON、BGA、LGA多種封裝形式，不僅能滿足常規應用場景，使其在目前日益普及的由電池驅動的移動互聯網及物聯網設備中保持低功耗，有效延長設備的待機時間，也更靈活地適用于不同應用場景。

同時，現場還展示了東芯的DDR3（L）產品，具備高傳輸速率以及低工作電壓。可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，具有標準SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構和8個內部bank的DDR3 SDRAM，是主流的內存產品。

在MCP系列產品上，具有NAND Flash和DDR多種容量組合，Flash和DDR均為低電壓的設計，核心電壓1.8V可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2/LPDDR4X多種規格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝，簡化走線設計，節省組裝空間，高效集成電路，提高產品穩定性。

總結

從對市場趨勢的敏銳洞察，到全品類技術布局的扎實落地，東芯半導體展示的不僅是技術成果，更是一種“長期主義”的研發哲學。在萬物互聯的智能時代，東芯半導體正以自主可控的核心設計能力，回應著產業對高品質存儲的迫切需求，與全球合作伙伴共同探索存儲技術的無限可能。