南山電子代理的NCE3095G是新潔能（NCE）推出的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技術設計，能夠在保持低柵極電荷的同時，提供極其優(yōu)異的導通電阻表現(xiàn)。憑借其出色的電氣特性與高可靠性設計，NCE3095G非常適合用于各類對效率和散熱要求嚴苛的電力電子系統(tǒng)。

主要參數(shù)：

• 漏源電壓 (VDS)：30V
• 連續(xù)漏極電流 (ID)：95A
• 導通電阻 (RDS(ON))：3.5mΩ（典型值）@ VGS=10V
• 導通電阻 (RDS(ON))：5.5mΩ（典型值）@ VGS=4.5V
• 最大功率耗散：80W
• 柵極閾值電壓：1.0V ~ 2.5V

產(chǎn)品亮點：

• 超低導通內(nèi)阻：采用高密度單元格設計，實現(xiàn)了極低的RDS(on)，有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)的整體轉(zhuǎn)換效率。
• 高可靠性測試：產(chǎn)品出廠經(jīng)過100% UIS（雪崩）測試和100% ΔVds測試，具備高達150mJ的單脈沖雪崩能量（EAS），保證了良好的穩(wěn)定性和均勻性。
• 耐高溫與環(huán)保：最高支持150℃的結(jié)溫工作范圍，且采用無鉛電鍍工藝，符合當前環(huán)保趨勢。
• 優(yōu)異的開關特性：具備低輸入電容和低柵極電荷（典型值38.4nC），開關延遲和上升/下降時間極短，適合高頻工作場景。

應用：

• DC/DC直流轉(zhuǎn)換器
• 高頻開關電源電路
• 同步整流應用
• 各類需要大電流、低損耗的功率驅(qū)動與切換場景

采購與封裝信息：

• 封裝形式：DFN 5x6-8L
• 包裝方式：編帶包裝
• 采購信息：如需獲取NCE3095G的最新價格、詳細交期或申請小批量樣品，可直接聯(lián)系新潔能（NCE）官方授權(quán)代理商南山電子。南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權(quán)代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品，我們致力于為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)品服務與解決方案。