伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET

lhl545545 ? 2026-03-30 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

解析ON Semiconductor的NTD250N65S3H MOSFET

在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,廣泛應用于各類電源系統中。今天我們就來深入探討ON Semiconductor(現更名為onsemi)推出的NTD250N65S3H這款N溝道功率MOSFET。

文件下載:NTD250N65S3H-D.PDF

1. 產品概述

NTD250N65S3H屬于SUPERFET III系列,這是ON Semiconductor全新的高壓超結(SJ)MOSFET家族。該系列采用了電荷平衡技術,具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種先進技術能有效降低傳導損耗,提供卓越的開關性能,并且能夠承受極高的dv/dt速率,有助于減小各種電源系統的體積并提高系統效率。

2. 產品特性

2.1 電氣特性

  • 耐壓能力:在(T{J}=150^{circ}C)時,耐壓可達700V;常溫下,漏源擊穿電壓(BVDSS)在(V{GS}=0V),(I{D}=1mA),(T{J}=25^{circ}C)條件下為650V。
  • 導通電阻:典型的(R{DS(on)}=201mOmega) ,在(V{GS}=10V),(I_{D}=6.5A)時,靜態漏源導通電阻表現良好。
  • 柵極電荷:超低的柵極電荷,典型值(Q_{g}=24nC),這有助于降低開關損耗。
  • 輸出電容:低有效的輸出電容,典型值(C_{oss(eff.)}=229pF) ,有利于提高開關速度。

2.2 其他特性

  • 雪崩測試:該器件經過100%雪崩測試,保證了其在雪崩狀態下的可靠性。
  • 環保特性:這些器件為無鉛產品,并且符合RoHS標準,滿足環保要求。

3. 應用領域

NTD250N65S3H適用于多種電源系統,具體包括:

  • 計算/顯示電源:為計算機和顯示器的電源提供穩定的功率支持。
  • 電信/服務器電源:滿足電信設備和服務器對電源的高要求。
  • 工業電源:可用于工業設備的電源系統,確保設備的穩定運行。
  • 照明/充電器/適配器:為照明設備、充電器和適配器等提供高效的功率轉換。

4. 絕對最大額定值

參數 符號 數值 單位
漏源電壓 (V_{DSS}) 650 V
柵源電壓(DC (V_{GSS}) ±30 V
柵源電壓(AC,(f > 1Hz)) (V_{GSS}) ±30 V
連續漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{D}) 13 A
連續漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{D}) 8 A
脈沖漏極電流 (I_{DM}) 36 A
單脈沖雪崩能量 (E_{AS}) 108 mJ
雪崩電流 (I_{AS}) 2.9 A
重復雪崩能量 (E_{AR}) 1.06 mJ
MOSFET dv/dt (dv/dt) 120 V/ns
峰值二極管恢復dv/dt (dv/dt) 20 V/ns
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 106 W
25°C以上降額系數 - 0.85 W/°C
工作和存儲溫度范圍 (T{J}, T{STG}) -55 to +150 °C
焊接時最大引腳溫度(距外殼1/8″,5s) (T_{L}) 260 °C

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發生損壞并影響可靠性。

5. 熱特性

器件在(1in^{2})的2oz銅焊盤(位于1.5 x 1.5 in.的FR - 4材料板上)上的熱阻為40°C/W。

6. 封裝和訂購信息

部件編號 頂部標記 封裝 卷軸尺寸 膠帶寬度 包裝數量
NTD250N65S3H T250N65S3H D - PAK 330 mm 16 mm 2500/ Tape & Reel

對于膠帶和卷軸規格的詳細信息,可參考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

7. 典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線,包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據。

8. 測試電路和波形

文檔還給出了柵極電荷測試電路及波形、電阻開關測試電路及波形、非鉗位電感開關測試電路及波形以及峰值二極管恢復dv/dt測試電路及波形,幫助工程師更好地理解器件的工作原理和性能。

在實際的電路設計中,電子工程師需要根據具體的應用需求,結合這些特性和參數,合理選擇和使用NTD250N65S3H MOSFET。大家在使用過程中,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9998

    瀏覽量

    234246
  • ON Semiconductor

    關注

    1

    文章

    31

    瀏覽量

    9975
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深入解析FCPF250N65S3R0L-F154:一款高性能N溝道功率MOSFET

    深入解析FCPF250N65S3R0L-F154:一款高性能N溝道功率MOSFET 在電子設計領域,功率MOSFET是至關重要的元件,廣泛應
    的頭像 發表于 03-29 10:40 ?141次閱讀

    ON Semiconductor FCPF600N65S3R0L-F154 MOSFET深度解析

    ON Semiconductor FCPF600N65S3R0L-F154 MOSFET深度解析 在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率
    的頭像 發表于 03-29 10:50 ?153次閱讀

    深入解析 onsemi NTBL050N65S3H MOSFET

    深入解析 onsemi NTBL050N65S3H MOSFET 在電力電子領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著各類電源系統的效率和穩定性。今天我們就來詳細剖析 o
    的頭像 發表于 03-29 16:25 ?359次閱讀

    ON Semiconductor NTBL095N65S3H MOSFET深度解析

    ON Semiconductor NTBL095N65S3H MOSFET深度解析 在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直
    的頭像 發表于 03-29 16:35 ?379次閱讀

    onsemi NTBL050N65S3H MOSFET:高性能電源解決方案

    onsemi NTBL050N65S3H MOSFET:高性能電源解決方案 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出
    的頭像 發表于 03-30 15:05 ?61次閱讀

    800V N溝道功率MOSFETNTD600N80S3Z的特性與應用

    深入探討安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N溝道功率MOSFET——NTD600N80S3Z 。 文件下載: NTD600N
    的頭像 發表于 03-30 15:35 ?61次閱讀

    深入剖析NTD360N65S3H:高性能650V N溝道MOSFET

    深入剖析NTD360N65S3H:高性能650V N溝道MOSFET 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi
    的頭像 發表于 03-30 15:40 ?53次閱讀

    解析 ON Semiconductor的 NTHL095N65S3H MOSFET

    解析 ON Semiconductor的 NTHL095N65S3H MOSFET 作為電子工程師,在設計電源電路等應用時,MOSFET是我
    的頭像 發表于 03-30 16:50 ?30次閱讀

    深入解析NTHL065N65S3HF:高性能MOSFET的卓越之選

    深入解析NTHL065N65S3HF:高性能MOSFET的卓越之選 在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能優劣直接影響著各類電源系統的效率和穩定性。今天,我們就來詳細剖
    的頭像 發表于 03-30 16:50 ?32次閱讀

    深入解析 onsemi 的 NTHL067N65S3H MOSFET

    深入解析 onsemi 的 NTHL067N65S3H MOSFET 在電子工程師的日常工作中,MOSFET 是功率轉換和開關應用里極為關鍵的元件。今天,我們深入探討 onsemi 推
    的頭像 發表于 03-30 16:50 ?27次閱讀

    深入解析 NTHL082N65S3HF:高性能 MOSFET 的卓越之選

    深入解析 NTHL082N65S3HF:高性能 MOSFET 的卓越之選 在電子工程領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)作為一種關鍵的功率器件,廣泛應用于各種
    的頭像 發表于 03-30 16:50 ?32次閱讀

    深入解析 onsemi NTHL125N65S3H MOSFET:高性能與可靠性的完美結合

    深入解析 onsemi NTHL125N65S3H MOSFET:高性能與可靠性的完美結合 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的 MOSFET 對于電源系統的設計至關重要。今天,我們將
    的頭像 發表于 03-30 17:05 ?71次閱讀

    Onsemi NTMT064N65S3H MOSFET:高效電源轉換的理想之選

    Onsemi NTMT064N65S3H MOSFET:高效電源轉換的理想之選 在電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的功率MOSFET至關重要。今天,我們就來詳細探討Onsemi推出
    的頭像 發表于 03-30 17:15 ?93次閱讀

    探索 ON Semiconductor NTMT095N65S3H MOSFET:高性能與可靠性的完美結合

    探索 ON Semiconductor NTMT095N65S3H MOSFET:高性能與可靠性的完美結合 在電子工程領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)作為
    的頭像 發表于 03-30 17:35 ?138次閱讀

    ON Semiconductor NTMT125N65S3H MOSFET深度解析

    ON Semiconductor NTMT125N65S3H MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設計工作中,功率MOSFET是不可或缺
    的頭像 發表于 03-30 17:55 ?164次閱讀