Onsemi FCH072N60 MOSFET：高效AC/DC轉換的理想之選
Onsemi FCH072N60 MOSFET：高效AC/DC轉換的理想之選
在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著電源轉換系統的效率和穩定性。今天，我們就來深入了解一下Onsemi推出的FCH072N60 MOSFET，看看它在AC/DC功率轉換中能帶來怎樣的表現。
文件下載：FCH072N60-D.PDF
產品概述
FCH072N60屬于Onsemi的SUPERFET II系列，這是全新的高壓超結（SJ）MOSFET家族。該系列采用了電荷平衡技術，具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種先進技術不僅能有效降低傳導損耗，還能提供卓越的開關性能，同時可承受極高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常適合各種AC/DC功率轉換應用，有助于實現系統的小型化和更高的效率。
產品特性
低導通電阻
典型的RDS(on)為66 mΩ，在VGS = 10 V、ID = 26 A的條件下，能有效降低導通損耗，提高系統效率。
高耐壓能力
在TJ = 150°C時，耐壓可達650 V，能適應較高的電壓環境，確保系統的穩定性。
超低柵極電荷
典型的Qg = 95 nC，可減少開關過程中的能量損耗，提高開關速度。
低有效輸出電容
典型的Coss(eff.) = 421 pF，有助于降低開關損耗，提高系統的響應速度。
雪崩測試
經過100%雪崩測試，能承受較高的雪崩能量，增強了器件的可靠性。
環保設計
該器件為無鉛產品，符合RoHS標準，滿足環保要求。
應用領域
FCH072N60適用于多種電源供應場景，包括電信/服務器電源和工業電源等。在這些應用中，其高性能和可靠性能夠為系統提供穩定的功率支持。
電氣特性
絕對最大額定值
| 參數 | 數值 |
|---|---|
| 漏源電壓VDSS | 600 V |
| 柵源電壓VGSS（DC） | ±20 V |
| 柵源電壓VGSS（AC，f > 1 Hz） | ±30 V |
| 連續漏極電流ID（TC = 25°C） | 52 A |
| 連續漏極電流ID（TC = 100°C） | 33 A |
| 脈沖漏極電流IDM | 156 A |
| 單脈沖雪崩能量EAS | 1128 mJ |
| 雪崩電流IAR | 9.5 A |
| 重復雪崩能量EAR | 4.8 mJ |
| MOSFET dv/dt | 100 V/ns |
| 峰值二極管恢復dv/dt | 20 V/ns |
| 功率耗散PD（TC = 25°C） | 481 W |
| 25°C以上降額 | 3.85 W/°C |
| 工作和存儲溫度范圍TJ, TSTG | - 55 to + 150 °C |
| 焊接時最大引線溫度TL（距外殼1/8″，5秒） | 300 °C |
電氣參數
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓BVDSS | ID = 10 mA, VGS = 0 V, TJ = 25°C | 600 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓BVDSS | ID = 10 mA, VGS = 0 V, TJ = 150°C | 650 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流IDSS | VDS = 600 V, VGS = 0 V | - | - | 1 | μA |
| 柵源閾值電壓VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 μA | 2.5 | 3.5 | - | V |
| 靜態漏源導通電阻RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 26 A | - | 66 | 72 | mΩ |
| 正向跨導gFS | VDS = 20 V, ID = 26 A | 48 | - | - | S |
| 輸入電容Ciss | VDS = 380 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | 4430 | - | 5890 | pF |
| 輸出電容Coss | - | 115 | - | 155 | pF |
| 反向傳輸電容Crss | - | - | 4.43 | - | pF |
| 有效輸出電容Coss(eff.) | VDS = 0 V to 480 V, VGS = 0 V | - | 421 | - | pF |
| 總柵極電荷Qg(tot) | VDS = 380 V, ID = 26 A, VGS = 10 V | 95 | - | 125 | nC |
| 柵源柵極電荷Qgs | - | - | 21 | - | nC |
| 柵漏“米勒”電荷Qgd | - | 24 | - | - | nC |
| 等效串聯電阻ESR | f = 1 MHz | 0.93 | - | - | Ω |
| 導通延遲時間td(on) | VDD = 380 V, ID = 26 A, VGS = 10 V, Rg = 4.7 Ω | 33 | - | 76 | ns |
| 導通上升時間tr | - | 23 | - | 56 | ns |
| 關斷延遲時間td(off) | - | 97 | - | 204 | ns |
| 關斷下降時間tf | - | - | 3.5 | 17 | ns |
| 最大連續源漏二極管正向電流IS | - | - | 52 | A | |
| 最大脈沖漏源二極管正向電流ISM | - | - | - | 156 | A |
| 漏源二極管正向電壓VSD | VGS = 0 V, ISD = 26 A | - | 1.2 | - | V |
| 反向恢復時間trr | VGS = 0 V, ISD = 26 A, dIF/dt = 100 A/μs | - | 495 | - | ns |
| 反向恢復電荷Qrr | - | - | 13 | - | μC |
封裝與訂購信息
FCH072N60采用TO - 247封裝，包裝方式為管裝，每管30個。具體的訂購和運輸信息可參考數據手冊第2頁。
典型特性曲線
數據手冊中提供了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨外殼溫度的變化、Eoss隨漏源電壓的變化等。這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現。
機械尺寸
該器件采用TO - 247 - 3LD短引線封裝（CASE 340CK），詳細的機械尺寸信息可參考數據手冊中的表格，所有尺寸單位為毫米。
總結
Onsemi的FCH072N60 MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，為電子工程師在AC/DC功率轉換設計中提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師可以根據具體的設計需求，結合器件的電氣特性和典型特性曲線，優化電路設計，提高系統的效率和穩定性。你在使用類似MOSFET器件時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
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