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SGM42606:低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動器的卓越之選

lhl545545 ? 2026-03-25 19:05 ? 次閱讀
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SGM42606:低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動器的卓越之選

電子工程師的日常設(shè)計中,電機(jī)驅(qū)動器是一個關(guān)鍵的組件,它直接影響著電機(jī)的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下SGMICRO推出的SGM42606低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動器。

文件下載:SGM42606.pdf

一、產(chǎn)品概述

SGM42606是一款集成了一個H橋的電機(jī)驅(qū)動設(shè)備,它的功能十分強(qiáng)大,可以驅(qū)動直流電機(jī)、螺線管、雙極步進(jìn)電機(jī)的一個繞組或其他設(shè)備。在消費(fèi)產(chǎn)品、玩具以及其他電池供電的運(yùn)動控制應(yīng)用中,都能看到它的身影。

這款設(shè)備集成了四個N - MOSFET,工作電源電壓范圍為2V至12V。在適當(dāng)?shù)纳釛l件下,SGM42606能夠提供高達(dá)6A的峰值輸出電流和3A的連續(xù)輸出電流。其內(nèi)部電荷泵會生成所需的柵極驅(qū)動電壓,同時還具備過流、短路、過壓、欠壓鎖定和熱關(guān)斷等多種保護(hù)功能。它采用了綠色TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝。

二、產(chǎn)品特性

(一)電源電壓范圍廣

電源電壓范圍為2V至12V,這使得它能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,在不同的應(yīng)用場景中都能穩(wěn)定工作。

(二)低導(dǎo)通電阻

HS + LS的導(dǎo)通電阻低至72mΩ,低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高能源效率,減少發(fā)熱,延長設(shè)備的使用壽命。

(三)高輸出電流能力

具備高達(dá)6A的峰值輸出電流和3A的連續(xù)輸出電流,能夠滿足大多數(shù)電機(jī)的驅(qū)動需求。

(四)豐富的保護(hù)功能

  1. 過壓保護(hù):當(dāng)電源電壓超過設(shè)定的閾值時,設(shè)備會自動采取保護(hù)措施,防止因過壓對設(shè)備造成損壞。
  2. 欠壓鎖定:如果電源電壓低于欠壓鎖定閾值,設(shè)備將被禁用,內(nèi)部邏輯會被重置,直到電壓恢復(fù)正常才會重新啟動。
  3. 過流保護(hù):當(dāng)檢測到過流時,會及時切斷相應(yīng)的柵極驅(qū)動信號,若過流情況持續(xù)超過一定時間,所有H橋MOSFET將被禁用,經(jīng)過重試時間后再重新啟用。
  4. 短路保護(hù):能有效防止因輸出短路到地、電源或電機(jī)繞組之間而引發(fā)的故障。
  5. 熱關(guān)斷:當(dāng)設(shè)備的結(jié)溫超過安全范圍時,所有橋和驅(qū)動器將被關(guān)閉,溫度恢復(fù)到安全水平后,設(shè)備會重新開始工作。

    (五)低功耗睡眠模式

    通過nSLEEP引腳控制,當(dāng)該引腳為低電平時,設(shè)備進(jìn)入低功耗睡眠模式,此時所有內(nèi)部邏輯、橋和電荷泵都將被禁用,可有效降低功耗。

    (六)環(huán)保封裝

    采用綠色TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鉛且無鹵化物。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

SGM42606的應(yīng)用范圍非常廣泛,包括但不限于以下幾個方面:

  1. 電動牙刷:為電動牙刷的電機(jī)提供穩(wěn)定的驅(qū)動,確保牙刷的正常工作。
  2. 剃須刀:能夠精確控制剃須刀電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩,提供更好的剃須體驗(yàn)。
  3. 機(jī)器人:在機(jī)器人的運(yùn)動控制中發(fā)揮重要作用,使機(jī)器人能夠靈活地移動和操作。
  4. 玩具:為玩具提供動力,讓玩具更加生動有趣。
  5. 遙控直升機(jī)和汽車:實(shí)現(xiàn)對遙控設(shè)備電機(jī)的精確控制,提高操控性能。

四、引腳配置與功能

(一)引腳配置

SGM42606采用TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,其引腳配置如下: PIN NAME TYPE FUNCTION
1, 24 ISEN I/O 橋接地或電流檢測。當(dāng)nCLIP_EN啟用時,連接到電流檢測電阻以進(jìn)行橋電流控制;若不需要電流控制,則直接連接到GND。
2, 3, 4 OUT1 O 設(shè)備的輸出1。
5 IN1H I 輸入信號,用于輸出1的高端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。
6 IN1L I 輸入信號,用于輸出1的低端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。
7 IN2H I 輸入信號,用于輸出2的高端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。
8 IN2L I 輸入信號,用于輸出2的低端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。
9 nSLEEP I 睡眠模式輸入,低電平有效,弱內(nèi)部下拉。高電平使能設(shè)備,低電平進(jìn)入低功耗睡眠模式。
10 nCLIP_EN I 電流限制保護(hù)功能使能。邏輯低電平啟用電流限制保護(hù)功能,邏輯高電平禁用該功能。若該引腳浮空,內(nèi)部下拉電阻將啟用此功能。
11 VINT - 內(nèi)部電源旁路,在VINT和GND引腳之間使用一個2.2μF(> 6V)的旁路電容
12, 13, 14, 15 NC - 無連接,內(nèi)部未連接。
16 GND - 設(shè)備接地。
17 VCP - 柵極驅(qū)動電壓,在VCP和VCC引腳之間放置一個0.1μF(> 19.2V)的陶瓷電容。
18, 19, 20 VCC - 設(shè)備電源,在VCC和GND引腳之間連接一個0.1μF的旁路電容和一個10μF或更大(> 13.2V)的陶瓷電容。
21, 22, 23 OUT2 O 設(shè)備的輸出2。
Exposed Pad GND - 接地。

(二)引腳功能說明

這些引腳各自承擔(dān)著不同的功能,通過合理的連接和控制,可以實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的精確驅(qū)動和保護(hù)。例如,通過IN1H、IN1L、IN2H、IN2L引腳可以控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)和速度;nSLEEP引腳可以控制設(shè)備的睡眠和喚醒狀態(tài);nCLIP_EN引腳可以啟用或禁用電流限制保護(hù)功能。

五、電氣特性

(一)電源相關(guān)特性

  • 電源電壓范圍為2V至12V,能夠適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
  • 電源電流在不同條件下有所不同,例如在VCC = 12V,nSLEEP = 3.3V,INxH = INxL = 0V,TJ = +25℃時,典型值為1.6mA;在睡眠模式下,VCC = 12V,nSLEEP = 0V,INxH = INxL = 0V,TJ = +25℃時,典型值為1.5μA。

    (二)邏輯輸入特性

  • 輸入邏輯低電壓范圍為0V至0.4V,輸入邏輯高電壓范圍為1.5V至5.5V。
  • 輸入邏輯低電流和高電流也有相應(yīng)的規(guī)定,確保輸入信號的穩(wěn)定性。

    (三)H橋FET特性

  • HS FET和LS FET的導(dǎo)通電阻在不同溫度和電流條件下有所變化,例如在TJ = +25℃,IOUT = 2A時,HS FET導(dǎo)通電阻典型值為40mΩ;在TJ = -40℃至 +85℃,IOUT = -2A時,LS FET導(dǎo)通電阻最大值為65mΩ。

    (四)電流控制特性

  • ISEN跳閘電壓典型值為200mV,電流檢測消隱時間固定為2.5μs,電流控制PWM頻率為33kHz。

    (五)保護(hù)電路特性

  • 過流保護(hù)跳閘電平為6A,過流保護(hù)消隱時間為1.8μs,過流重試時間為7.5ms。
  • 熱關(guān)斷溫度為165℃,熱關(guān)斷溫度遲滯為50℃。

六、詳細(xì)工作原理

(一)橋控制和衰減模式

SGM42606的橋控制和衰減模式通過輸入控制邏輯實(shí)現(xiàn)。當(dāng)INxL和INxH都為高電平時,輸出的高端和低端N - MOSFET都將關(guān)閉,防止出現(xiàn)直通現(xiàn)象。具體的邏輯關(guān)系如下: INxL INxH OUTx
0 0 Z
0 1 H
1 0 L
1 1 Z

(二)電流限制保護(hù)

電流限制保護(hù)通過固定頻率的PWM電流調(diào)節(jié)或電流斬波來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)電流達(dá)到斬波閾值時,橋會禁用電流,直到下一個PWM周期開始。斬波電流由比較器根據(jù)連接到ISEN引腳的電流檢測電阻兩端的電壓與參考電壓(200mV)進(jìn)行比較來設(shè)置,計算公式為(I{CHOP }=frac{200 mV}{R{ISENSE }})。當(dāng)nCLIP_EN為低電平時,電流限制保護(hù)功能啟用;為高電平時,功能禁用。

(三)死區(qū)時間

死區(qū)時間用于防止高端和低端MOSFET切換時的交叉導(dǎo)通。SGM42606的死區(qū)時間約為220ns(低端關(guān)斷到高端導(dǎo)通)/170ns(高端關(guān)斷到低端導(dǎo)通)。

(四)電源和輸入引腳

電荷泵用于生成大于VCC的柵極電源,以開啟內(nèi)部N - MOSFET。在VCP和VCC引腳之間需要一個0.1μF的陶瓷電容,在VCC和GND引腳之間應(yīng)盡可能靠近設(shè)備連接一個0.1μF的電容和一個10μF或更大的陶瓷電容。

(五)設(shè)備功能模式

nSLEEP引腳為低電平時,設(shè)備進(jìn)入低功耗睡眠模式,此時所有內(nèi)部邏輯、橋和電荷泵都將被禁用。

七、封裝與訂購信息

(一)封裝信息

SGM42606采用TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,其封裝外形尺寸和推薦焊盤尺寸都有詳細(xì)的規(guī)定,方便工程師進(jìn)行PCB設(shè)計

(二)訂購信息

MODEL PACKAGE DESCRIPTION SPECIFIED TEMPERATURE RANGE ORDERING NUMBER PACKAGE MARKING PACKING OPTION
SGM42606 TQFN - 5.5×3.5 - 24L -40℃ to +85℃ SGM42606YTQQ24G/TR SGM42606 YTQQ XXXXX Tape and Reel, 3000

其中,XXXXX為日期代碼、跟蹤代碼和供應(yīng)商代碼。

八、總結(jié)

SGM42606作為一款低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動器,具有電源電壓范圍廣、輸出電流能力強(qiáng)、保護(hù)功能豐富等優(yōu)點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場景。電子工程師在設(shè)計電機(jī)驅(qū)動電路時,可以考慮使用SGM42606,以提高電路的性能和穩(wěn)定性。同時,在使用過程中,要注意按照推薦的工作條件進(jìn)行操作,避免超過絕對最大額定值,以確保設(shè)備的可靠性。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過類似的電機(jī)驅(qū)動器呢?遇到過哪些問題?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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