新款 MOSFET 專為滿足高功率密度及增強型散熱應用而設計，采用 DFN 3.3x3.3 雙面散熱、源極朝下（Source-down）封裝，并集成了創新的柵極中置布局技術，能夠有效簡化 PCB 走線設計，提升系統布板靈活性與電氣性能。

日前，集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克代碼：AOSL）推出了兩款新產品——AONC40202（25V MOSFET）和AONC68816（80V MOSFET）。這兩款器件采用了先進的DFN 3.3x3.3雙面散熱封裝技術，源極朝下的設計能夠有效提升散熱性能。它們專為AI服務器中的中間總線轉換器（IBC）DC-DC應用而打造，旨在滿足高功率密度需求，并應對數據中心對散熱性能的嚴苛挑戰。

AONC40202 和 AONC68816 采用了針對外露漏極觸點進行優化的頂部夾片設計，顯著增大了雙面散熱的有效面積，能夠更迅速地將熱量從散熱器中導出，從而有效降低器件運行時的溫度。相比傳統的單面散熱方案，雙面散熱技術能夠從根源上減少熱量的產生與熱應力，成為設計人員在應對高功耗挑戰時的理想選擇。得益于配備的大型頂部夾片，這兩款 MOSFET 的封裝實現了極低的熱阻值，其頂部熱阻（Rthc-top）最大值僅為 0.9°C/W，確保了在高功率密度應用中的卓越熱性能與可靠性。

此外，AONC40202 支持高達 405A 的持續電流，最高結溫可達 175°C，這些出色的電氣特性為系統級性能帶來了多重提升，包括更高效的熱管理能力、更高的功率密度支持以及整體運行效率的優化。其采用的“源極朝下”（Source-down）封裝技術，不僅增大了 PCB 上的源極接觸面積，有助于降低導通電阻和提升散熱效果，同時柵極中置的布局設計也大幅簡化了 PCB 布線，能夠有效縮短柵極驅動器的連接路徑，從而進一步提升開關性能和系統可靠性。

隨著 AI 服務器對電源性能提出日益嚴苛的要求，我們推出的這兩款最新 MOSFET 正是為了應對這一挑戰。它們采用的雙面散熱 DFN 3.3x3.3 源極朝下（Source-down）封裝技術，相較于傳統封裝方案，在降低功率損耗和提升散熱效率方面表現尤為出色。不僅如此，AONC40202 和 AONC68816 還集成了最新的 AlphaSGT? 硅技術。這種將增強型散熱設計與先進硅技術相結合的創新方案，為 AI 電源設計人員提供了一種兼顧高功率密度、優異可制造性與長期應用可靠性的整體解決方案。

——Peter H. Wilson

AOS MOSFET 產品線資深總監

技術亮點

關于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：萬國半導體） 是專注于設計、開發生產與全球銷售一體的功率半導體公司，產品包括Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT、IPM、TVS、高壓驅動器、功率IC和數字電源產品等。AOS積累了豐富的知識產權和技術經驗，涵蓋了功率半導體行業的最新進展，使我們能夠推出創新產品，滿足先進電子設備日益復雜的電源需求。AOS的差異化優勢在于通過其先進的分立器件和IC半導體工藝制程、產品設計及先進封裝技術相結合，開發出高性能的電源管理解決方案。AOS 的產品組合主要面向高需求應用領域，包括便攜式計算機、顯卡、數據中心、AI 服務器、智能手機、面向消費類和工業類電機控制、電視、照明設備、汽車電子以及各類設備的電源供應。請訪問AOS官網 www.aosmd.com，了解更多產品相關信息。