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ADP2138/ADP2139:緊湊型800mA、3MHz降壓DC - DC轉(zhuǎn)換器的技術剖析

h1654155282.3538 ? 2026-03-10 11:50 ? 次閱讀
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ADP2138/ADP2139:緊湊型800mA、3MHz降壓DC - DC轉(zhuǎn)換器的技術剖析

在電子設備的電源管理領域,高效、緊湊的DC - DC轉(zhuǎn)換器一直是工程師們追求的目標。今天我們要深入探討的ADP2138/ADP2139就是這樣一款優(yōu)秀的產(chǎn)品,它為眾多電子設備的電源設計提供了理想的解決方案。

文件下載:ADP2138.pdf

一、產(chǎn)品概述

ADP2138和ADP2139是高效率、低靜態(tài)電流的同步降壓DC - DC轉(zhuǎn)換器。ADP2139還具備內(nèi)部放電開關這一額外特性。整個解決方案僅需三個微小的外部組件,大大節(jié)省了電路板空間。

1. 主要特性

  • 寬輸入電壓范圍:支持2.3V至5.5V的輸入電壓,能適配單鋰或鋰聚合物電池、多節(jié)堿性或鎳氫電池、PCMCIA、USB等多種標準電源。
  • 高轉(zhuǎn)換效率:峰值效率可達95%,能有效降低功耗,延長設備的電池續(xù)航時間。
  • 低靜態(tài)電流:典型靜態(tài)電流僅23μA,關機電流超低,典型值為0.2μA,有助于降低系統(tǒng)功耗。
  • 小封裝尺寸:采用6引腳、1mm × 1.5mm的WLCSP封裝,非常適合對空間要求較高的應用。
  • 快速響應:具有快速的負載和線路瞬態(tài)響應能力,能及時應對負載變化。
  • 多種工作模式:支持強制PWM和自動PWM/PSM模式,可根據(jù)負載情況靈活切換,提高輕載效率。
  • 保護功能完善:具備過流和熱關斷保護功能,保障芯片在異常情況下的安全。

2. 應用領域

該轉(zhuǎn)換器廣泛應用于各類電子設備,如PDA和掌上電腦、無線手持設備、數(shù)字音頻和便攜式媒體播放器、數(shù)碼相機以及GPS導航單元等。

二、技術規(guī)格詳解

1. 電氣參數(shù)

參數(shù) 測試條件/注釋 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電壓范圍 2.3 5.5 V
欠壓鎖定閾值(VIN上升) 2.3 V
欠壓鎖定閾值(VIN下降) 2.00 2.15 2.25 V
輸出電壓精度(PWM模式) -2 +2 %
線路調(diào)整率(VIN = 2.3V至5.5V,PWM模式) 0.25 %/V
負載調(diào)整率(ILOAD = 0mA - 800mA) -0.95 %/A
PWM轉(zhuǎn)PSM模式電流閾值 100 mA
DC工作電流(ILOAD = 0mA,設備不切換) 23 30 μA
關機電流(EN = 0V,TA = TJ = -40°C至+85°C) 0.2 1.0 μA
SW導通電阻 1100
SW電流限制 PFET 155 240
PFET開關峰值電流限制 1500 1650 mA
NFET 100 200
使能和模式輸入高閾值 1.2 V
使能和模式輸入低閾值 0.4 V
使能和模式輸入泄漏電流(EN/MODE = 0V(min),3.6V(max)) -1 0 +1 μA
振蕩器頻率 2.6 3.0 3.4 MHz
啟動時間 250 μs
熱關斷閾值 150 °C
熱關斷遲滯 20 °C

2. 輸入輸出電容規(guī)格

為了保證轉(zhuǎn)換器的性能,對輸入和輸出電容有一定的要求。最小輸入和輸出電容值為4.7μF,電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)范圍為0.001Ω至1Ω。

3. 絕對最大額定值

參數(shù) 額定值
VIN、EN、MODE、VOUT、SW至GND -0.4V至+6.5V;-1.0V至(VIN + 0.2V)
溫度范圍
工作環(huán)境溫度 -40°C至+85°C
工作結溫 -40°C至+125°C
存儲溫度 -65°C至+150°C
引腳溫度范圍 -65°C至+150°C
焊接(10秒) 300°C
氣相(60秒) 215°C
紅外(15秒) 220°C
ESD模型
人體模型 ±1500V
充電設備模型 ±500V
機器模型 ±100V

三、工作原理

1. 控制方案

ADP2138/ADP2139采用固定頻率、電流模式PWM控制架構。在中高負載時,以PWM模式工作,通過調(diào)整集成開關的占空比來調(diào)節(jié)輸出電壓,實現(xiàn)高效率;在輕負載時,切換到節(jié)能模式(PSM),以降低調(diào)節(jié)功率損耗。

2. PWM模式

在PWM模式下,芯片以3MHz的固定頻率工作。每個振蕩周期開始時,PFET開關導通,在電感上施加正電壓,電感電流增加;當電流檢測信號超過峰值電感電流閾值時,PFET開關關斷,NFET同步整流器導通,電感電流減小。通過調(diào)整峰值電感電流閾值來調(diào)節(jié)輸出電壓。

3. 節(jié)能模式(PSM)

當負載電流低于節(jié)能模式電流閾值(100mA)時,芯片平滑過渡到PSM模式。此時,PWM調(diào)節(jié)電平產(chǎn)生偏移,使輸出電壓上升;當輸出電壓達到比PWM調(diào)節(jié)電平高約1.5%時,PWM操作停止,兩個功率開關均關斷,芯片進入空閑模式。輸出電容放電,當輸出電壓降至PWM調(diào)節(jié)電壓時,芯片再次驅(qū)動電感使輸出電壓上升。只要負載電流低于閾值,這個過程就會重復。

4. 使能/關機

當EN引腳從邏輯低電平切換到邏輯高電平時,芯片啟動軟啟動并開始工作;將EN引腳拉低,芯片進入關機模式,關機電流降至典型值0.2μA。

5. 保護功能

  • 短路保護:采用頻率折返機制,當反饋引腳電壓低于目標輸出電壓的一半時,表明輸出可能出現(xiàn)硬短路,此時開關頻率降低到內(nèi)部振蕩器頻率的一半,防止輸出電流失控。
  • 欠壓鎖定:集成了欠壓鎖定(UVLO)電路,當輸入電壓低于2.15V的UVLO閾值時,芯片關機,功率開關和同步整流器均關斷;當電壓上升超過閾值時,啟動軟啟動,芯片重新啟用。
  • 熱保護:當芯片結溫超過150°C時,熱關斷電路將轉(zhuǎn)換器關閉。為避免頻繁開關,設置了20°C的遲滯,即結溫降至130°C以下時,芯片才會重新啟動,并再次進行軟啟動。
  • 軟啟動:內(nèi)部軟啟動功能可在啟動時以受控方式提升輸出電壓,限制浪涌電流,防止連接電池或高阻抗電源時可能出現(xiàn)的輸入電壓下降。
  • 電流限制:芯片具備保護電路,限制通過PFET開關和同步整流器的正電流,防止電流過大;同時設置負電流限制,防止電感電流反向流出負載。
  • 100%占空比操作:當VIN下降或ILOAD增加,即使PFET開關100%導通,VOUT仍低于期望輸出電壓時,芯片平滑過渡到PFET開關一直導通的模式;當輸入條件改變,所需占空比下降時,芯片立即重新啟動PWM調(diào)節(jié),避免VOUT出現(xiàn)過沖。
  • 放電開關(ADP2139):ADP2139集成了一個典型值為100Ω的開關電阻,當EN引腳變?yōu)榈碗娖交蛐酒M入欠壓鎖定或熱關斷狀態(tài)時,用于對輸出電容進行放電,放電時間通常為200μs。

四、應用信息

1. ADIsimPower設計工具

ADP2138/ADP2139得到了ADIsimPower設計工具集的支持。該工具集可根據(jù)特定設計目標生成完整的電源設計,包括原理圖、物料清單,并能在幾分鐘內(nèi)計算性能。用戶可以通過該工具優(yōu)化設計,考慮IC和外部組件的工作條件及限制,以實現(xiàn)成本、面積、效率和零件數(shù)量的最佳平衡。更多信息可訪問https://www.analog.com/ADIsimPower 。

2. 外部組件選擇

  • 電感:由于ADP2138/ADP2139的開關頻率較高,可選擇小尺寸的片式電感。建議電感值在0.7μH至3μH之間,推薦的電感型號如Murata的LQM2MPN1R0NG0B、Taiyo Yuden的CBMF1608T1R0M等。電感的峰值 - 峰值電流紋波可通過公式 (I{RIPPLE}=frac{V{OUT} times (V{IN}-V{OUT})}{V{IN} × f{SW} × L}) 計算,電感的最小直流電流額定值應大于電感峰值電流,峰值電流可通過公式 (I{PEAK}=I{LOAD(MAX)}+frac{I_{RIPPLE}}{2}) 計算。為降低電感傳導損耗和電磁干擾,建議使用屏蔽鐵氧體磁芯材料。
  • 輸出電容:較高的輸出電容值可降低輸出電壓紋波,改善負載瞬態(tài)響應。選擇電容時,需考慮輸出電壓直流偏置對電容值的影響。推薦使用X5R或X7R電介質(zhì)、電壓額定值為6.3V或10V的陶瓷電容,不建議使用Y5V和Z5U電介質(zhì)的電容。有效電容值可通過公式 (C{EFF}=C{OUT} times (1 - TEMPCO) times (1 - TOL)) 計算,其中TEMPCO為最壞情況下的電容溫度系數(shù),TOL為最壞情況下的組件公差。輸出電壓紋波可通過公式 (V{RIPPLE}=I{RIPPLE} times (ESR{COUT}+1 / (8 × f{SW} × C_{OUT}))) 計算,建議選擇等效串聯(lián)電阻(ESR)較低的電容以降低輸出紋波。
  • 輸入電容:較大的輸入電容值有助于降低輸入電壓紋波,改善瞬態(tài)響應。最大輸入電容電流可通過公式 (I{CIN} geq I{LOAD(MAX)} sqrt{frac{V{OUT}(V{IN}-V{OUT})}{V{IN}}}) 計算。為減少電源噪聲,應將輸入電容盡可能靠近ADP2138/ADP2139的VIN引腳放置,同樣建議使用低ESR電容。

3. 熱考慮

雖然ADP2138/ADP2139效率較高,內(nèi)部功耗較小,但在高環(huán)境溫度、低電源電壓、高占空比且負載最大的應用中,芯片封裝內(nèi)的散熱可能導致結溫超過125°C的最大結溫。當結溫超過150°C時,轉(zhuǎn)換器進入熱關斷狀態(tài),結溫降至130°C以下時恢復工作。結溫可通過公式 (T{J}=T{A}+T{R}) 計算,其中 (T{R}=theta{JA} × P{D}) ,(T{J}) 為結溫,(T{A}) 為環(huán)境溫度,(T{R}) 為封裝因功耗導致的溫度上升,(theta{JA}) 為結到環(huán)境的熱阻,(P_{D}) 為封裝內(nèi)的功耗。

4. PCB布局指南

良好的PCB布局對于ADP2138/ADP2139的性能至關重要。布局不當可能導致EMI、電磁兼容性問題、接地反彈和電壓損失,還會影響調(diào)節(jié)和穩(wěn)定性。以下是一些布局規(guī)則:

  • 將電感、輸入電容和輸出電容靠近IC放置,使用短走線,因為這些組件承載高開關頻率,大走線會像天線一樣產(chǎn)生干擾。
  • 輸出電壓路徑應遠離電感和SW節(jié)點,以減少噪聲和磁干擾。
  • 最大化組件側(cè)的接地金屬面積,有助于散熱。
  • 使用帶有多個過孔連接到組件側(cè)接地的接地平面,進一步降低敏感電路節(jié)點的噪聲干擾。

五、評估板與訂購信息

1. 評估板

ADP2138/ADP2139提供了評估板,方便工程師進行測試和驗證。評估板的原理圖和布局圖可幫助工程師更好地了解芯片的應用。

2. 訂購指南

ADP2138/ADP2139有多種型號可供選擇,輸出電壓選項包括0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V和3.3V。所有型號均采用6球晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP),工作溫度范圍為 - 40°C至+125°C,包裝數(shù)量為每卷3000個。

總之,ADP2138/ADP2139以其高效、緊湊、功能豐富的特點,為電子工程師在電源設計中提供了一個可靠的選擇。在實際應用中,需要根據(jù)具體需求合理選擇外部組件,并遵循正確的PCB布局規(guī)則,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。你在使用ADP2138/ADP2139的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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