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TPSM843A26E:高性能同步降壓模塊的深度解析

lhl545545 ? 2026-03-03 10:35 ? 次閱讀
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TPSM843A26E:高性能同步降壓模塊的深度解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天,我們就來深入探討一下德州儀器TI)推出的TPSM843A26E,一款16A的高性能同步降壓模塊。

文件下載:tpsm843a26e.pdf

一、產(chǎn)品概述

TPSM843A26E是一款集成度高、性能卓越的同步降壓模塊,適用于輸入電壓范圍為4V至18V、輸出電壓范圍為0.5V至7V的應(yīng)用場景。它采用了內(nèi)部補(bǔ)償?shù)墓潭l率先進(jìn)電流模式(ACM)控制架構(gòu),能夠在高達(dá)2.2MHz的開關(guān)頻率下高效工作。該模塊集成了兩個N溝道MOSFET、電感和多個無源元件,具有多種可選擇的開關(guān)頻率和軟啟動時間,還具備完善的故障保護(hù)功能,適用于航空航天、醫(yī)療保健等對電源要求較高的領(lǐng)域。

二、關(guān)鍵特性

2.1 控制模式與頻率選擇

  • 先進(jìn)電流模式(ACM)控制:這是一種模擬峰值電流模式控制拓?fù)洌瑹o需復(fù)雜的外部補(bǔ)償設(shè)計,就能支持穩(wěn)定的靜態(tài)和瞬態(tài)操作。內(nèi)部的斜坡生成網(wǎng)絡(luò)模擬電感電流信息,使得可以使用低ESR輸出電容器,如多層陶瓷電容器(MLCC),同時提高了信噪比,增強(qiáng)了抗噪能力。
  • 多頻率選擇:提供了500kHz、750kHz、1MHz、1.5MHz和2.2MHz五種可選擇的開關(guān)頻率,可通過連接一個電阻到AGND來設(shè)置。較高的開關(guān)頻率可以減小解決方案的尺寸,但會增加開關(guān)損耗,需要根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行權(quán)衡。

2.2 輸出電壓調(diào)節(jié)與遠(yuǎn)程感應(yīng)

  • 輸出電壓范圍:輸出電壓范圍為0.5V至7V,可通過連接到FB引腳的電阻分壓器進(jìn)行編程。使用1%公差或更好的電阻,以確保輸出電壓的精度。
  • 遠(yuǎn)程感應(yīng)放大器:通過專用的高速、低偏移儀表放大器實(shí)現(xiàn)輸出電壓的遠(yuǎn)程感應(yīng),提高了輸出電壓的調(diào)節(jié)精度。

2.3 軟啟動與預(yù)偏置輸出啟動

  • 軟啟動功能:在啟動過程中,模塊會將參考電壓從0緩慢增加到最終值,從而減少轉(zhuǎn)換器的浪涌電流。提供1ms、2ms、4ms和8ms四種軟啟動時間選擇,可通過MSEL引腳的電阻進(jìn)行設(shè)置。
  • 預(yù)偏置輸出啟動:在啟動前存在預(yù)偏置輸出的情況下,模塊可以防止輸出電流放電,確保啟動過程的穩(wěn)定性。

2.4 保護(hù)功能

  • 過流保護(hù):通過逐周期電流限制對高側(cè)和低側(cè)MOSFET進(jìn)行保護(hù),在長時間過流情況下進(jìn)入打嗝模式。高側(cè)和低側(cè)的過流閾值可通過MSEL引腳進(jìn)行編程,有“高”和“低”兩種設(shè)置。
  • 過壓和欠壓保護(hù):當(dāng)檢測到輸出過壓時,模塊會嘗試將輸出電壓放電到安全水平后再重啟;當(dāng)檢測到輸出欠壓時,模塊會進(jìn)入打嗝模式,等待七個軟啟動周期后再重啟。
  • 過溫保護(hù):當(dāng)芯片溫度超過165°C時,模塊會關(guān)閉;當(dāng)溫度冷卻到滯后水平(通常為12°C)以下時,模塊會自動重啟。

三、引腳配置與功能

TPSM843A26E采用25引腳的B3QFN - RDG封裝,每個引腳都有其特定的功能:

  • VOUT(1,20):轉(zhuǎn)換器的輸出電壓引腳。
  • FB(2):反饋引腳,用于連接電阻分壓器以設(shè)置輸出電壓。
  • GOSNS(3):接地感應(yīng)返回引腳,是差分遠(yuǎn)程感應(yīng)放大器的輸入。
  • AGND(4):模擬接地返回引腳。
  • BP5(5):內(nèi)部模擬控制電路的旁路引腳,內(nèi)部已進(jìn)行旁路,無需外部旁路。
  • VIN(6,7,14,15,23):電源級的輸入電源引腳,需要低阻抗旁路到PGND。
  • PGND(8,9,12,13,21,22,24,25):電源級的接地返回引腳,部分引腳還可作為熱過孔幫助散熱。
  • SW(10):轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳,應(yīng)保持浮空。
  • BOOT(11):內(nèi)部高側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器的電源引腳,應(yīng)保持浮空。
  • EN(16):使能引腳,可通過浮空、接高電平、外部信號或使用UVLO電阻來使能設(shè)備。
  • PG(17):開漏電源良好指示引腳,需要外部上拉電阻。
  • SYNC/FSEL(18):頻率選擇和外部時鐘同步引腳,可通過連接電阻到AGND設(shè)置開關(guān)頻率,也可連接外部時鐘進(jìn)行同步。
  • MSEL(19):用于選擇電流限制、軟啟動速率和PWM斜坡幅度設(shè)置。

四、應(yīng)用設(shè)計

4.1 典型應(yīng)用示例

以12V輸入、1.0V輸出、1MHz的應(yīng)用為例,詳細(xì)介紹設(shè)計步驟:

  • 開關(guān)頻率選擇:選擇1000kHz的開關(guān)頻率,通過連接11.8kΩ的電阻到FSEL引腳來設(shè)置。較高的開關(guān)頻率可以減小電感和輸出電容的尺寸,但會增加開關(guān)損耗。
  • 輸出電感選擇:模塊內(nèi)部集成了優(yōu)化的600nH電感。
  • 輸出電容選擇:需要考慮輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)兩個因素。根據(jù)計算,最小輸出電容應(yīng)滿足多個條件,最終選擇四個100μF、10V、X5R、1210陶瓷電容器并聯(lián),以滿足輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的要求。
  • 輸入電容選擇:輸入電容應(yīng)選擇X5R、X7R等類型的陶瓷電容,總電容至少為66μF。在本例中,選擇了多個不同規(guī)格的陶瓷電容并聯(lián),并放置在靠近IC的位置,以提供高頻旁路,減少輸入電壓紋波。
  • 可調(diào)欠壓鎖定(UVLO):通過外部電壓分壓器網(wǎng)絡(luò)調(diào)整UVLO的閾值,設(shè)置電源在輸入電壓高于4.5V時啟動,低于3.95V時停止。
  • 輸出電壓電阻選擇:使用1%公差或更好的電阻,通過電阻分壓器設(shè)置輸出電壓。在本例中,選擇4.99kΩ的(R{FBB})和4.99kΩ的(R{FBT})。
  • 其他元件選擇:包括自舉電容、BP5電容、PG上拉電阻、電流限制選擇、軟啟動時間選擇和斜坡選擇等,都需要根據(jù)具體應(yīng)用進(jìn)行合理設(shè)置。

4.2 布局設(shè)計

布局設(shè)計對于電源模塊的性能至關(guān)重要,以下是一些關(guān)鍵的布局準(zhǔn)則:

  • 減少阻抗:使VIN、PGND和SW走線盡可能寬,使用過孔和其他層的走線來降低VIN和PGND走線的阻抗。
  • 降低噪聲:在PGND引腳附近使用多個過孔,并通過內(nèi)部層將它們連接在一起,以減少噪聲并幫助散熱。
  • 元件放置:將電感盡可能靠近設(shè)備,將FB分壓器的底部電阻靠近FB和GOSNS引腳,同時保持上反饋電阻和前饋電容靠近IC。
  • 接地連接:使用過孔將頂層的AGND島連接到內(nèi)部層的AGND島,并在一點(diǎn)將內(nèi)部AGND島連接到PGND。

五、總結(jié)

TPSM843A26E是一款功能強(qiáng)大、性能優(yōu)越的同步降壓模塊,具有多種可配置的特性和完善的保護(hù)功能,適用于多種應(yīng)用場景。在設(shè)計過程中,需要根據(jù)具體需求合理選擇開關(guān)頻率、輸出電感、電容等元件,并注意布局設(shè)計,以確保模塊的性能和穩(wěn)定性。希望本文能為電子工程師在使用TPSM843A26E進(jìn)行設(shè)計時提供一些參考和幫助。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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