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ROHM BD48xxx和BD49xxx系列電壓檢測(cè)器IC:高精度與低功耗的完美結(jié)合

璟琰乀 ? 2026-03-02 16:55 ? 次閱讀
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ROHM BD48xxx和BD49xxx系列電壓檢測(cè)器IC:高精度與低功耗的完美結(jié)合

在電子電路設(shè)計(jì)中,電壓檢測(cè)是一項(xiàng)至關(guān)重要的功能,它能確保系統(tǒng)在穩(wěn)定的電壓環(huán)境下運(yùn)行。今天,我們就來(lái)深入了解一下ROHM的BD48xxx和BD49xxx系列電壓檢測(cè)器IC,看看它們有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。

文件下載:BD49L38G-TL.pdf

產(chǎn)品概述

ROHM的BD48xxx和BD49xxx系列是高精度、低電流的電壓檢測(cè)器IC系列。該系列包含具有N通道開漏輸出的BD48xxx器件和具有CMOS輸出的BD49xxx器件,檢測(cè)電壓范圍從2.3V到6.0V,以0.1V為步進(jìn),能滿足多種不同的電壓檢測(cè)需求。

關(guān)鍵特性

高精度檢測(cè)

檢測(cè)電壓精度高達(dá)±1.0%,能夠準(zhǔn)確地檢測(cè)電壓變化,為系統(tǒng)提供可靠的電壓監(jiān)測(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中,高精度的檢測(cè)能避免因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的系統(tǒng)誤操作,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

超低電流消耗

典型電流消耗僅為0.9μA,這使得該系列IC在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)出色。對(duì)于一些對(duì)功耗要求較高的設(shè)備,如電池供電的設(shè)備,超低電流消耗能有效延長(zhǎng)電池的使用壽命。

寬工作溫度范圍

工作溫度范圍為 -40°C 到 +105°C,能適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。無(wú)論是在寒冷的戶外還是高溫的工業(yè)環(huán)境中,都能穩(wěn)定工作。

多種輸出類型

提供N通道開漏輸出和CMOS輸出兩種類型,方便工程師根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇。不同的輸出類型適用于不同的電路設(shè)計(jì),增加了設(shè)計(jì)的靈活性。

小型低高度封裝

提供SSOP5、SSOP3和VSOF5等多種封裝形式,尺寸小巧,高度低,適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用。例如,在一些小型電子產(chǎn)品中,緊湊的封裝能節(jié)省電路板空間,使產(chǎn)品更加小型化。

技術(shù)參數(shù)

檢測(cè)電壓

檢測(cè)電壓范圍為2.3V到6.0V(典型值),以0.1V為步進(jìn)。在不同的溫度條件下,檢測(cè)電壓的精度有所不同,具體參數(shù)如下表所示: 檢測(cè)電壓 Ta = +25°C Ta = -40°C to 85°C Ta = 85°C to 105°C
2.5V 2.475 - 2.525V 2.418 - 2.584V 2.404 - 2.597V
3.0V 2.970 - 3.030V 2.901 - 3.100V -
3.3V 3.267 - 3.333V 3.191 - 3.410V 3.173 - 3.428V
4.2V 4.158 - 4.242V 4.061 - 4.341V 4.039 - 4.364V
4.8V 4.752 - 4.848V 4.641 - 4.961V 4.616 - 4.987V

輸出延遲時(shí)間

輸出延遲時(shí)間 “L ? H”(tPLH)在CL = 100pF、RL = 100kΩ的條件下,最大值為100μs。這個(gè)參數(shù)對(duì)于需要快速響應(yīng)的電路設(shè)計(jì)非常重要,能確保系統(tǒng)在電壓變化時(shí)及時(shí)做出反應(yīng)。

電路電流

電路電流在不同的檢測(cè)電壓和工作狀態(tài)下有所不同,具體如下: 工作狀態(tài) 檢測(cè)電壓范圍 典型電流 最大電流
ON 2.3 - 3.1V 0.51μA 1.53μA
3.2 - 4.2V 0.56μA 1.68μA
4.3 - 5.2V 0.60μA 1.80μA
5.3 - 6.0V 0.66μA 1.98μA
OFF 2.3 - 3.1V 0.75μA 2.25μA
3.2 - 4.2V 0.80μA 2.40μA
4.3 - 5.2V 0.85μA 2.55μA
5.3 - 6.0V 0.90μA 2.70μA

工作電壓范圍

在Ta = 25 to 105°C、RL = 470kΩ,VOL ≤ 0.4V的條件下,工作電壓范圍為0.95V;在Ta = -40 to 25°C、RL = 470kΩ,VOL ≤ 0.4V的條件下,工作電壓范圍為1.20V。這個(gè)參數(shù)能確保IC在不同的溫度和負(fù)載條件下正常工作。

封裝與引腳說(shuō)明

封裝形式

提供SSOP5、SSOP3和VSOF5等多種封裝形式,每種封裝都有其獨(dú)特的尺寸和特點(diǎn)。例如,SSOP5封裝尺寸為2.90mm x 2.80mm x 1.25mm,VSOF5封裝尺寸為1.60mm x 1.60mm x 0.60mm。

引腳說(shuō)明

不同封裝的引腳功能有所不同,以SSOP5封裝為例,其引腳功能如下: PIN No. Symbol Function
1 VOUT 復(fù)位輸出
2 VDD 電源電壓
3 GND 接地
4 N.C. 未連接端子
5 N.C. 未連接端子

應(yīng)用場(chǎng)景

微控制器或邏輯電路復(fù)位

該系列IC適用于需要復(fù)位功能的微控制器或邏輯電路。當(dāng)電源電壓低于或高于設(shè)定的檢測(cè)電壓時(shí),IC能及時(shí)輸出復(fù)位信號(hào),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

電源檢測(cè)

可用于檢測(cè)電源電壓是否穩(wěn)定,當(dāng)電源電壓出現(xiàn)異常時(shí),能及時(shí)發(fā)出警報(bào)或采取相應(yīng)的保護(hù)措施,防止設(shè)備因電壓異常而損壞。

電路應(yīng)用示例

常見電源檢測(cè)復(fù)位電路

  • 開漏輸出類型(BD48xxx):當(dāng)微控制器的電源(VDD2)與復(fù)位檢測(cè)IC的電源(VDD1)不同時(shí),可使用開漏輸出類型的BD48xxx器件,并連接負(fù)載電阻RL。
  • CMOS輸出類型(BD49xxx):當(dāng)微控制器的電源(VDD1)與復(fù)位檢測(cè)IC的電源(VDD1)相同時(shí),可使用CMOS輸出類型的BD49xxx器件,或使用帶拉電阻的開漏器件。

多電源檢測(cè)復(fù)位電路

當(dāng)系統(tǒng)中使用多個(gè)獨(dú)立電源時(shí),可將開漏輸出類型的BD48xxx系列通過(guò)OR連接到微控制器的輸入,并連接上拉電阻到微控制器的電源電壓(VDD3),以實(shí)現(xiàn)復(fù)位功能。

電阻分壓電源應(yīng)用

在IC的電源電壓來(lái)自電阻分壓電路的應(yīng)用中,當(dāng)輸出電平從“High”切換到“Low”或反之,會(huì)產(chǎn)生浪涌電流,可能導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)振蕩等故障。因此,在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮采取相應(yīng)的措施來(lái)避免這種情況的發(fā)生。

操作注意事項(xiàng)

絕對(duì)最大額定值

在使用IC時(shí),應(yīng)避免超過(guò)其絕對(duì)最大額定值,否則可能會(huì)損壞IC。例如,電源電壓的范圍為 -0.3V到 +10V,輸出電流最大值為70mA等。為了防止IC因超過(guò)額定值而損壞,可考慮添加保險(xiǎn)絲等電路保護(hù)措施。

接地電壓

在所有工作條件下,接地引腳的電壓必須是IC所有引腳中最低的。要確保在任何時(shí)候,甚至在瞬態(tài)條件下,都沒(méi)有引腳的電壓低于接地引腳。

推薦工作條件

在推薦的工作條件范圍內(nèi)使用IC,才能獲得預(yù)期的性能。電氣特性在每個(gè)參數(shù)的特定條件下得到保證,因此在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)參考這些條件。

噪聲抑制旁路電容

為了幫助抑制噪聲,可在VDD引腳和GND之間放置一個(gè)1μF的電容,在VOUT引腳和GND之間放置一個(gè)1000pF的電容。但要注意,使用過(guò)大的電容可能會(huì)影響瞬態(tài)響應(yīng)。

引腳短路和安裝錯(cuò)誤

在將IC安裝到印刷電路板上時(shí)要小心,錯(cuò)誤的安裝方向或引腳短路可能會(huì)損壞IC。引腳之間的導(dǎo)電顆??赡軙?huì)導(dǎo)致短路,因此在安裝過(guò)程中要保持環(huán)境清潔。

強(qiáng)電磁場(chǎng)環(huán)境

在強(qiáng)電磁場(chǎng)環(huán)境下操作IC可能會(huì)導(dǎo)致其出現(xiàn)故障。如果需要在這種環(huán)境下使用IC,應(yīng)采取相應(yīng)的屏蔽措施。

VDD線阻抗

VDD線的阻抗可能會(huì)因檢測(cè)電流而導(dǎo)致振蕩。在高VDD線阻抗條件下,應(yīng)使用VDD到GND的電容(盡可能靠近連接)。

外部參數(shù)

推薦的RL參數(shù)范圍為10kΩ到1MΩ。但實(shí)際應(yīng)用中,電路板布局等因素可能會(huì)影響IC的特性,因此需要通過(guò)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證和確認(rèn)。

上電復(fù)位操作

上電復(fù)位輸出會(huì)隨VDD上升時(shí)間而變化,因此在實(shí)際操作中需要驗(yàn)證其行為。

測(cè)試注意事項(xiàng)

在應(yīng)用板上測(cè)試IC時(shí),直接將電容連接到低阻抗輸出引腳可能會(huì)使IC受到應(yīng)力。每次測(cè)試后都要完全放電電容,在檢查過(guò)程中連接或移除IC時(shí),應(yīng)先完全關(guān)閉IC的電源。為了防止靜電放電損壞IC,在組裝過(guò)程中要對(duì)IC進(jìn)行接地處理,并在運(yùn)輸和存儲(chǔ)過(guò)程中采取類似的預(yù)防措施。

浪涌電流

當(dāng)首次給IC供電時(shí),可能會(huì)瞬間產(chǎn)生浪涌電流。內(nèi)部光電二極管或內(nèi)部邏輯的寄生電容的充電電流可能不穩(wěn)定,因此要特別考慮電源耦合電容、電源布線、GND布線寬度和連接路由等因素。

PCB表面清潔

由于該IC具有極高的阻抗端子,PCB表面的不清潔可能會(huì)導(dǎo)致小的泄漏電流,從而引起意外操作。在這種情況下,應(yīng)謹(jǐn)慎選擇應(yīng)用值。例如,如果假設(shè)CT端子和GND端子之間有10MΩ的泄漏,則建議在CT端子和VDD端子之間連接1MΩ的電阻。如果假設(shè)Vout端子和GND端子之間有泄漏,則上拉電阻應(yīng)小于假設(shè)泄漏電阻的1/10。

總結(jié)

ROHM的BD48xxx和BD49xxx系列電壓檢測(cè)器IC以其高精度、低功耗、寬工作溫度范圍和多種封裝形式等優(yōu)點(diǎn),為電子工程師提供了一個(gè)可靠的電壓檢測(cè)解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的需求和電路設(shè)計(jì),合理選擇IC的型號(hào)和封裝,并注意操作過(guò)程中的各項(xiàng)注意事項(xiàng),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用電壓檢測(cè)器IC時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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