TPS25946xx eFuse:電子工程師的可靠電源保護方案
在電子設備的設計中,電源保護是至關重要的一環。德州儀器(Texas Instruments)的 TPS25946xx 系列 eFuse 為電源保護提供了一個高度集成的解決方案。今天,我們就來深入了解一下這款 eFuse 的特點、應用以及設計要點。
文件下載:tps25946.pdf
一、TPS25946xx 概述
TPS25946xx 是一款 2.7 - 23V、5.5A 的 eFuse,采用 2mm × 2mm、10 引腳的 HotRod QFN 封裝,具有出色的熱性能和較小的系統占位面積。它能夠提供多種保護模式,使用極少的外部組件,是應對過載、短路、電壓浪涌和過大浪涌電流的強大防線。其集成的背對背 FET 允許在導通狀態下雙向電流流動,而在關斷狀態下則阻止兩個方向的電流流動,非常適合 USB OTG(On - The - Go)應用。
主要特性
- 寬輸入電壓范圍:2.7V 至 23V,絕對最大電壓為 28V,適應多種電源環境。
- 低導通電阻: (R_{ON}=28.3 mΩ)(典型值),減少功率損耗。
- 雙向電流支持:導通狀態下雙向電流流動,關斷狀態下反向電流阻斷。
- 快速過壓保護:可調過壓鎖定(OVLO),響應時間為 1.2μs(典型值)。
- 過流保護:正向過流保護,帶有負載電流監測輸出(ILM),可調閾值((I{LIM}))為 0.5A 至 6A,精度為 ±10%((I{LIM}>1A))。
- 可調輸出壓擺率和浪涌電流控制:通過單個外部電容調整。
- 過熱保護:內置熱傳感器,超過安全溫度時自動關斷。
- 數字指示選項:電源良好指示(PG)、電源供應良好(SPLYGD)和故障(FLT)指示。
- 認證:UL 2367 認證(文件編號 E339631 - (R_{ILM} ≥549Ω)),IEC 62368 - 1 CB 認證。
二、功能詳解
1. 欠壓鎖定(UVLO 和 UVP)
TPS25946xx 在輸入電壓過低時實施欠壓保護,默認鎖定閾值為 (V{UVP}),可通過 EN/UVLO 引腳的 UVLO 比較器外部調整。使用電阻分壓器可以設置 UVLO 設定點,公式為 (V{IN(UV)}=frac{V_{UVLO}×(R1 + R2)}{R2})。
2. 過壓鎖定(OVLO)
用戶可以通過 OVLO 引腳的比較器調整過壓保護閾值。當 OVLO 引腳電壓超過上升閾值 (V{OV(R)}) 時,設備關閉輸出電源;當電壓降至下降閾值 (V{OV(F)}) 以下時,輸出電源重新開啟。設置 OVLO 設定點的公式為 (V{IN(OV)}=frac{V{OV}×(R1 + R2)}{R2})。
3. 浪涌電流、過流和短路保護
- 可調壓擺率(dVdt):通過連接電容到 dVdt 引腳控制浪涌電流,公式為 (SR(V/ms)=frac{I{INRUSH}(mA)}{C{OUT}(mu F)}) 和 (C_{dVdt}(pF)=frac{2000}{SR(V/ms)})。
- 可調過流閾值((I_{LIM})):通過 ILM 引腳電阻 (R{ILM}) 設置,公式為 (R{ILM}(Omega)=frac{3334}{I_{LIM}(A)})。
- 可調快速跳閘閾值((I_{SC})):等于 (2×I_{LIM}),用于應對嚴重過流。
- 固定快速跳閘閾值((I_{FT})):用于穩態下的硬輸出短路保護。
4. 模擬負載電流監測
ILM 引腳提供與從 IN 到 OUT 的 FET 電流成正比的模擬電流傳感輸出,用戶可以通過測量 (R{ILM}) 兩端的電壓 (V{ILM}) 來監測輸出負載電流,公式為 (I{OUT}(A)=frac{V{ILM}(mu V)}{R{ILM}(Omega)×G{IMON}(mu A/A)})。
5. 反向電流保護
集成的背對背 MOSFET 在設備斷電或禁用狀態下,阻止正向和反向電流流動。
6. 過熱保護(OTP)
持續監測內部管芯溫度 (T{J}),超過安全溫度(TSD)時關閉設備,直到溫度降至(TSD - (TSD{HYS}))以下。TPS25946xL 鎖存關閉,需電源循環或重新啟用;TPS25946xA 自動重試。
7. 故障響應和指示(FLT)
TPS259461x 變體提供一個低電平有效的外部故障指示(FLT)引腳,總結了設備對各種故障條件的響應。
8. 電源良好指示(PG)
TPS259460x 變體提供一個高電平有效的數字輸出(PG),作為電源良好指示信號,根據 PGTH 引腳電壓和設備狀態信息進行斷言。
9. 輸入電源良好指示(SPLYGD)
TPS259461x 變體提供一個高電平有效的數字輸出(SPLYGD),指示輸入電源在有效范圍內且設備已完成浪涌序列。
三、應用場景
TPS25946xx 適用于多種應用,如智能手機、平板電腦、數碼相機、銷售點終端、USB OTG 設備和無線充電器等。在智能手機的 USB OTG 應用中,它可以作為雙向電源開關,提供過壓和過流保護,同時支持電池充電和向外部配件供電。
四、設計示例
以智能手機 USB OTG 端口保護設計為例,介紹詳細的設計步驟:
1. 設計要求
| 參數 | 值 |
|---|---|
| 充電時總線電壓((V_{IN})) | 9V |
| 充電時過壓保護閾值((V_{IN(OV)})) | 14V |
| 總線電源良好閾值((V_{PG})) | 4.5V |
| 最大連續充電電流 | 3A |
| 充電時負載瞬態消隱間隔((t_{ITIMER})) | 2ms |
| 輸出電容((C_{OUT})) | 47μF |
| 輸出上升時間((t_{R})) | 5ms |
| 充電時過流閾值((I_{LIM})) | 3.25A |
| USB OTG 操作時支持的啟動負載電流((I_{LOAD})) | 100mA |
| 故障響應 | 自動重試 |
2. 詳細設計步驟
- 設備選擇:選擇 TPS259460A 變體。
- 設置過壓閾值:使用電阻 R1 和 R2 設置,公式為 (V{IN(OV)}=frac{V{OV(R)}×(R1 + R2)}{R2}),選擇 (R1 = 470kΩ),計算得 (R2 = 44.2kΩ)。
- 設置輸出電壓上升時間:計算所需壓擺率 (SR(V/ms)=frac{V{IN}(V)}{t{R}(ms)} = 1.8V/ms),計算 (C_{dVdt}(pF)=frac{2000}{SR(V/ms)} = 1111pF),選擇 1100pF 電容。
- 設置電源良好斷言閾值:使用電阻 R3 和 R4 設置,公式為 (V{PG}=frac{V{PGTH(R)}×(R3 + R4)}{R4}),選擇 (R3 = 100kΩ),計算得 (R4 = 36.5kΩ)。
- 設置過流閾值:使用 (R{ILM}) 電阻設置,公式為 (R{ILM}(Omega)=frac{3334}{I_{LIM}(A)} = 1025.8Ω),選擇 1050Ω 電阻。
- 設置過流消隱間隔:使用 (C{ITIMER}) 電容設置,公式為 (C{ITIMER}(nF)=frac{t{ITIMER}(ms)×I{ITIMER}(mu A)}{Delta V_{ITIMER}(V)} = 2.38nF),選擇 2.2nF 電容。
- 選擇外部偏置電阻:計算最大 (R5 = 15.7Ω),選擇 11Ω 電阻。
- 選擇外部二極管:要求二極管具有低正向電壓降、能夠支持初始負載電流和小尺寸。
五、電源供應建議
- 輸入電源電壓范圍為 2.7V 至 23V,若輸入電源距離設備超過幾英寸,建議使用大于 0.1μF 的輸入陶瓷旁路電容。
- 電源供應額定值應高于設定的電流限制,以避免過流和短路時的電壓下降。
六、布局指南
- 在 IN 端子和 GND 端子之間使用 0.1μF 或更大的陶瓷去耦電容,且電容應盡可能靠近設備的 IN 和 GND 端子。
- 高電流承載的電源路徑連接應盡可能短,并能承載至少兩倍的滿載電流。
- GND 端子應通過最短的走線連接到 PCB 接地平面,建議為 eFuse 設置單獨的接地平面島。
- IN 和 OUT 引腳用于散熱,應盡可能連接到 PCB 頂層和底層的銅面積,并添加熱過孔。
- 支持組件應靠近其連接引腳,連接到 GND 引腳的走線應盡可能短,以減少寄生效應。
- 保護設備應靠近被保護的設備,走線應短以減少電感。
七、總結
TPS25946xx eFuse 為電子工程師提供了一個功能強大、集成度高的電源保護解決方案。通過合理的設計和布局,可以確保設備在各種復雜的電源環境下穩定運行。在實際應用中,我們需要根據具體的需求和設計要求,選擇合適的參數和組件,為電子設備提供可靠的電源保護。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享交流。
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