LTC1981/LTC1982：低功耗MOSFET驅動的理想之選

在電子設備的設計中，MOSFET驅動的選擇至關重要，它直接影響著設備的性能和功耗。今天就來詳細聊聊Linear Technology的LTC1981/LTC1982這兩款低功耗、自包含的N溝道MOSFET驅動器。

文件下載：LTC1981.pdf

產品特性亮點

無需外部元件

內部電壓三倍器能夠為邏輯電平FET提供高端柵極驅動，這一特性大大簡化了電路設計，減少了外部元件的使用，降低了成本和電路板空間。

超低功耗

這是LTC1981/LTC1982的一大突出優勢。LTC1982每個驅動器導通電流僅為10μA，LTC1981導通電流為20μA，而關機電流均小于1μA。如此低的功耗，對于電池供電或對功耗敏感的系統來說，無疑是理想之選。

寬電壓范圍

VCC范圍為1.8V至5V，能夠適應多種電池或輸入配置，增加了產品的通用性和適用性。

保護功能完善

關機期間柵極驅動輸出接地，且內部鉗位至最大7.5V，有效保護外部MOSFET柵極，避免因過壓而損壞。

其他特性

LTC1981還有“柵極驅動就緒”輸出，可用于指示柵極驅動輸出是否達到最終值的90%。此外，它們的應用電路超小，LTC1981采用5引腳SOT - 23封裝，LTC1982采用6引腳SOT - 23封裝，非常適合對空間要求苛刻的應用。

應用領域廣泛

LTC1981/LTC1982適用于多種設備，如手機、便攜式POS終端、手持式電池供電設備等。在這些設備中，其低功耗和小尺寸的特點能夠充分發揮優勢，提高設備的續航能力和便攜性。

電氣特性與性能表現

電氣特性

性能表現

從典型性能特性曲線可以看出，柵極驅動電壓與電源電壓、電源電流與電源電壓等參數之間存在一定的關系。例如，隨著電源電壓的升高，柵極驅動電壓也會相應升高，但會受到內部鉗位的限制。這些特性曲線能夠幫助工程師更好地了解產品在不同條件下的性能，從而進行合理的設計。

引腳功能與工作原理

引腳功能

• LTC1981：GDR用于指示柵極驅動輸出狀態；GND為接地引腳；SHDN用于控制芯片的關斷和導通；GATE為柵極驅動輸出引腳；VCC為輸入電源電壓引腳。
• LTC1982：SHDN 1和SHDN 2分別控制GATE 1和GATE 2的電荷泵；GND為接地引腳；GATE 1和GATE 2為柵極驅動輸出引腳；VCC為輸入電源電壓引腳。

工作原理

內部電荷泵由關斷輸入引腳控制，邏輯高電平使能相應電荷泵，驅動柵極驅動輸出引腳高電平；邏輯低電平則禁用電荷泵，驅動輸出引腳低電平。當LTC1981的SHDN為低電平或LTC1982的SHDN 1和SHDN 2均為低電平時，芯片進入低電流關機模式。

應用信息與設計要點

邏輯電平MOSFET開關

LTC1981/LTC1982適用于邏輯電平N溝道MOSFET開關。在選擇MOSFET時，當電源電壓為5V或更高時，要注意輸出電壓限制在6.9V至7.5V之間，應選擇額定電壓為2.5V或更低的MOSFET，以確保其能充分導通。

為大電容負載供電

便攜式電池供電設備中的大濾波電容可能會導致電源毛刺。LTC1981/LTC1982的柵極驅動輸出引腳內部有電阻，通過添加外部電容可以形成RC延遲，降低MOSFET柵極的轉換速率，從而減少啟動電流。同時，添加電阻可以消除寄生振蕩，隔離并聯MOSFET的柵極也能減少開關之間的相互影響。

混合5V/3V系統

由于輸入ESD保護二極管參考地引腳，LTC1981/LTC1982可以直接與5V或3V的CMOS或TTL邏輯接口，增加了產品在不同電壓系統中的兼容性。

反向電池保護

通過在電源引腳串聯150Ω電阻，可以保護LTC1981/LTC1982免受反向電池的影響。同時，在輸入引腳串聯10k電阻可以保護控制邏輯。

相關產品對比

在實際設計中，工程師可以根據具體需求選擇合適的產品。

總的來說，LTC1981/LTC1982憑借其低功耗、小尺寸、完善的保護功能和廣泛的適用性，為電子工程師在MOSFET驅動設計方面提供了一個優秀的解決方案。你在使用類似產品時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享交流。