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強茂(PANJIT)PJA3471、美微科(MCC)SI01P10國產(chǎn)化替代LMTL1P10

上海雷卯電子 ? 2026-01-30 09:16 ? 次閱讀
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上海雷卯生產(chǎn)的PMOSLMTL1P10可以替代pin to pin強茂(PANJIT)的PJA3471和美微科(MCC)的SI01P10。已經(jīng)有很多客戶選用LMTL1P10替代,客戶可以獲得更好的價格和更快的交期。特別是在一些受空間收下限的小電子設備很受青睞。

三款MOS參數(shù)對比如下:


Parameter(參數(shù))

強茂
PANJIT

美微科
MCC

雷卯
Leiditech

PartNumber

PJA3471

SI01P10

LMTL1P10

Package

SOT-23

SOT-23

SOT-23

FET type N or P

P

P

P

Drain?to?Source Voltage Vdss

-100

-100

-100

Drain Current 25℃Id(A)

-0.9

-1

-0.9

Power Dissipation Pd(W)

1.25

0.77

1.0

Gate?to?Source Voltage VGS(V)

20

20

20

Gate Threshold Voltage VGS(th)

-1~-2.5

-1~-3.0

-1~-2.5

Rds(on)(10V) (mΩ)Typ

500

560

520

Rds(on)(10V)(mΩ)Max

650

800

650

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Typ

560

620

560

Rds(on)(4.5V)(mΩ)Max

700

1000

700

Total Gate Charge (Qg)

8

7.8

4.5

Turn?On Delay Time td(on)

3.7

6.1

13.6

Turn?Off Delay Time td(off)

21

12

34

Input Capacitance Ciss(PF)

448

342

553

Thermal Resistance Junction-Ambient RθJA (℃/W)

100

~

125

雷卯LMTL1P10是一款高性價比、通用性強的P溝道MOSFET。其100V耐壓和SOT-23小封裝的組合,使其在需要安全、緊湊地控制電源通斷的各種場景中成為優(yōu)選方案,尤其適合于消費電子、辦公設備、汽車電子工業(yè)控制領域的電源管理設計。

LMTL1P10特性


VDS = -100VID=-0.9 A

RDS(ON), VGS@-10V, ID@-0.8A<650m??

RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-0.4A<700m?

增強型溝槽工藝

SOT-23 —體積小巧(約3mm x 3mm),節(jié)省電路板空間,適合高密度貼裝。


LMTL1P10應用場景




核心應用場景:高端電源開關/負載開關


高端電源開關/負載開關將MOSFET串聯(lián)在電源(Vcc)與負載之間,使用MCU GPIO通過簡單電路(如一個NPN三極管)或一個小型N-MOS來控制其柵極電平,實現(xiàn)“一鍵斷電”。

優(yōu)點:可徹底切斷外圍模塊(如傳感器、通信模塊、顯示屏背光)的供電,實現(xiàn)零待機功耗,是電池供電設備節(jié)能的關鍵設計。

適用設備:智能家居設備、便攜式儀器、物聯(lián)網(wǎng)終端。

46cd50f0-fd79-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

汽車電子輔助電路


用于車載設備(導航/記錄儀)的電源切換,100V耐壓可應對汽車電源瞬態(tài)電壓,SOT-23封裝滿足小型化需求。

辦公設備與工業(yè)控制


利用其100V耐壓和近1A的電流能力,非常適合驅(qū)動打印機、掃描儀、自動化設備中的小型直流電機、散熱風扇、電磁閥、指示燈等負載。

PWM控制與簡易DC-DC電路


由于其開關速度較快且導通電阻低,可用于低頻PWM調(diào)光、調(diào)速等場景。也可作為簡易開關電源線性穩(wěn)壓器中的功率開關管,適用于非隔離、小功率的電壓轉(zhuǎn)換。

MOSFET選型與使用注意事項


1、驅(qū)動電路為保證驅(qū)動電路能為柵極提供足夠負的Vgs(通常需要 ≤-4.5V或-10V,視具體型號和所需Rds(on)而定),以使其完全導通,降低損耗。常用一個NPN三極管(如MMBT3904)構(gòu)成下拉開關,由MCU的3.3V/5V GPIO控制。

2、柵極電阻抗干擾:在驅(qū)動路徑上串聯(lián)一個小電阻(如10-100Ω),可以抑制柵極振蕩,減少EMI。

3、柵極保護:務必在柵-源極間并聯(lián)一個電阻(如10kΩ),確保MCU未輸出時MOS管處于確定關斷狀態(tài),防止意外導通

4、體二極管:P-MOS內(nèi)部存在一個從源極(S)指向漏極(D)的寄生二極管。在作為開關時,這個二極管的方向通常是反向的。但在感性負載(如電機、繼電器)關斷時,需要考慮續(xù)流路徑,這個二極管有時會起到續(xù)流作用,但可能需要額外的肖特基二極管來分擔。

5、功耗與散熱:SOT-23封裝散熱能力有限,需根據(jù)公式P_loss = I2* Rds(on)計算導通損耗,確保在安全溫度范圍內(nèi)工作。

上海雷卯電子將持續(xù)深耕靜電浪涌防護領域,迭代優(yōu)化防護器件的性能與封裝,為溫度傳感器的穩(wěn)定運行保駕護航。工程技術(shù)人員在設計過程中,應充分結(jié)合傳感器類型、電源參數(shù)與接口特性,選用適配的防護方案,從源頭規(guī)避故障風險,提升系統(tǒng)整體可靠性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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