深入剖析 SN54BCT8245A 和 SN74BCT8245A 掃描測(cè)試設(shè)備
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,測(cè)試設(shè)備的性能和功能對(duì)于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討德州儀器(Texas Instruments)的 SN54BCT8245A 和 SN74BCT8245A 掃描測(cè)試設(shè)備,這兩款設(shè)備在邊界掃描測(cè)試方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
SN54BCT8245A 和 SN74BCT8245A 是德州儀器 SCOPE? 可測(cè)試性集成電路家族的成員,它們集成了八進(jìn)制總線(xiàn)收發(fā)器,旨在支持 IEEE Standard 1149.1 - 1990 邊界掃描,從而方便對(duì)復(fù)雜電路板組件進(jìn)行測(cè)試。
特點(diǎn)
- 功能等效性:在正常工作模式下,它們的功能與 ’F245 和 ’BCT245 八進(jìn)制總線(xiàn)收發(fā)器等效。
- 兼容性:完全兼容 IEEE Standard 1149.1 - 1990(JTAG)測(cè)試訪(fǎng)問(wèn)端口和邊界掃描架構(gòu)。
- 測(cè)試同步性:測(cè)試操作與測(cè)試訪(fǎng)問(wèn)端口(TAP)同步,確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
- 可選測(cè)試復(fù)位信號(hào):通過(guò)識(shí)別 TMS 引腳的雙高電平電壓(10V)來(lái)實(shí)現(xiàn)可選的測(cè)試復(fù)位信號(hào)。
- 豐富的指令集:支持 IEEE Standard 1149.1 - 1990 所需的指令,以及可選的 INTEST、CLAMP 和 HIGHZ 指令。
- 多種測(cè)試功能:包括并行簽名分析(PSA)、偽隨機(jī)模式生成(PRPG)、樣本輸入/輸出切換等。
- 多種封裝選項(xiàng):提供塑料小外形(DW)封裝、陶瓷芯片載體(FK)以及標(biāo)準(zhǔn)塑料和陶瓷 300 - mil DIPs(JT, NT)封裝。
工作溫度范圍
- SN54BCT8245A:適用于 -55°C 至 125°C 的全軍事溫度范圍。
- SN74BCT8245A:適用于 0°C 至 70°C 的溫度范圍。
引腳和功能
引腳配置
兩款設(shè)備的引腳配置根據(jù)不同封裝有所不同,但主要引腳功能保持一致。以 DW、JT 和 NT 封裝為例,主要引腳包括:
- A1 - A8 和 B1 - B8:A 總線(xiàn)和 B 總線(xiàn)的 I/O 端口,未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- DIR:正常功能方向控制輸入,未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- OE:正常功能輸出使能輸入,未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- TCK:測(cè)試時(shí)鐘,所有測(cè)試操作與 TCK 同步,未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- TDI:測(cè)試數(shù)據(jù)輸入,用于將數(shù)據(jù)串行移入指令寄存器或選定的數(shù)據(jù)寄存器,未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- TDO:測(cè)試數(shù)據(jù)輸出,用于將數(shù)據(jù)從指令寄存器或選定的數(shù)據(jù)寄存器串行移出,未激活且無(wú)外部驅(qū)動(dòng)時(shí),內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平。
- TMS:測(cè)試模式選擇,用于控制 TAP 控制器的狀態(tài),未連接時(shí)內(nèi)部上拉電阻會(huì)將其拉至高電平,還可通過(guò)識(shí)別雙高電平(V IHH)提供可選的測(cè)試復(fù)位信號(hào)。
- VCC:電源電壓。
正常模式功能表
| 輸入 | 操作 | |
|---|---|---|
| OE | DIR | |
| L | L | B 數(shù)據(jù)到 A 總線(xiàn) |
| L | H | A 數(shù)據(jù)到 B 總線(xiàn) |
| H | X | 隔離 |
從這個(gè)功能表中,我們可以清晰地看到 OE 和 DIR 引腳的不同組合如何控制數(shù)據(jù)的傳輸方向,這在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中非常重要。你是否在自己的設(shè)計(jì)中也經(jīng)常會(huì)遇到對(duì)數(shù)據(jù)傳輸方向進(jìn)行控制的需求呢?
測(cè)試架構(gòu)和狀態(tài)機(jī)
測(cè)試架構(gòu)
設(shè)備通過(guò)符合 IEEE Standard 1149.1 - 1990 的 4 線(xiàn)測(cè)試總線(xiàn)(TAP)傳輸串行測(cè)試信息,包括測(cè)試指令、測(cè)試數(shù)據(jù)和測(cè)試控制信號(hào)。TAP 控制器監(jiān)控 TCK 和 TMS 信號(hào),從中提取同步和狀態(tài)控制信號(hào),并為設(shè)備中的測(cè)試結(jié)構(gòu)生成適當(dāng)?shù)钠峡刂菩盘?hào)。
TAP 控制器狀態(tài)機(jī)
TAP 控制器是一個(gè)同步有限狀態(tài)機(jī),共有 16 個(gè)狀態(tài),包括 6 個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)和 10 個(gè)不穩(wěn)定狀態(tài)。主要有兩條路徑:一條用于訪(fǎng)問(wèn)和控制選定的數(shù)據(jù)寄存器,另一條用于訪(fǎng)問(wèn)和控制指令寄存器,且一次只能訪(fǎng)問(wèn)一個(gè)寄存器。
主要狀態(tài)及功能
- Test - Logic - Reset:設(shè)備上電時(shí)處于此狀態(tài),測(cè)試邏輯被復(fù)位并禁用,設(shè)備執(zhí)行正常邏輯功能。對(duì)于 ’BCT8245A,指令寄存器復(fù)位為二進(jìn)制值 11111111,選擇 BYPASS 指令;邊界控制寄存器復(fù)位為二進(jìn)制值 10,選擇 PSA 測(cè)試操作。
- Run - Test/Idle:執(zhí)行任何測(cè)試操作前,TAP 控制器必須經(jīng)過(guò)此狀態(tài)。在此狀態(tài)下,測(cè)試邏輯可以處于活動(dòng)測(cè)試狀態(tài)或空閑狀態(tài),邊界控制寄存器選擇的測(cè)試操作將在此狀態(tài)下執(zhí)行。
- Capture - DR:選擇數(shù)據(jù)寄存器掃描時(shí),TAP 控制器必須經(jīng)過(guò)此狀態(tài),選定的數(shù)據(jù)寄存器會(huì)根據(jù)當(dāng)前指令捕獲數(shù)據(jù)值。
- Shift - DR:進(jìn)入此狀態(tài)后,數(shù)據(jù)寄存器被置于 TDI 和 TDO 之間的掃描路徑中,數(shù)據(jù)在每個(gè) TCK 周期內(nèi)串行移位。
- Update - DR:如果當(dāng)前指令要求用當(dāng)前數(shù)據(jù)更新選定的數(shù)據(jù)寄存器,則在進(jìn)入此狀態(tài)后的 TCK 下降沿執(zhí)行更新操作。
- Capture - IR:選擇指令寄存器掃描時(shí),TAP 控制器必須經(jīng)過(guò)此狀態(tài),指令寄存器捕獲當(dāng)前狀態(tài)值。對(duì)于 ’BCT8245A,捕獲的狀態(tài)值為固定二進(jìn)制值 10000001。
- Shift - IR:進(jìn)入此狀態(tài)后,指令寄存器被置于 TDI 和 TDO 之間的掃描路徑中,指令數(shù)據(jù)在每個(gè) TCK 周期內(nèi)串行移位。
- Update - IR:進(jìn)入此狀態(tài)后的 TCK 下降沿,當(dāng)前指令被更新并生效。
寄存器概述
指令寄存器(IR)
- 長(zhǎng)度為 8 位,用于告訴設(shè)備要執(zhí)行的指令,包括操作模式(正常模式或測(cè)試模式)、要執(zhí)行的測(cè)試操作、數(shù)據(jù)寄存器掃描時(shí)要選擇的三個(gè)數(shù)據(jù)寄存器中的哪一個(gè),以及 Capture - DR 期間要捕獲到選定數(shù)據(jù)寄存器的數(shù)據(jù)來(lái)源。
- 在 Capture - IR 期間,IR 捕獲二進(jìn)制值 10000001;在 Update - IR 期間,移位到 IR 中的值被加載到影子鎖存器中,當(dāng)前指令更新并生效。上電或處于 Test - Logic - Reset 狀態(tài)時(shí),IR 復(fù)位為二進(jìn)制值 11111111,選擇 BYPASS 指令。
數(shù)據(jù)寄存器
邊界掃描寄存器(BSR)
- 長(zhǎng)度為 18 位,包含每個(gè)正常功能輸入引腳和輸出引腳的一個(gè)邊界掃描單元(BSC)。
- 用于存儲(chǔ)要應(yīng)用到正常片上邏輯輸入和/或設(shè)備輸出端子的測(cè)試數(shù)據(jù),以及捕獲正常片上邏輯輸出和/或設(shè)備輸入端子出現(xiàn)的數(shù)據(jù)。
- BSR 的掃描順序是從 TDI 經(jīng)過(guò)位 17 - 0 到 TDO,其內(nèi)容在 Capture - DR 期間的捕獲源由當(dāng)前指令決定,在 Run - Test/Idle 期間可能會(huì)根據(jù)當(dāng)前指令改變,在 Test - Logic - Reset 狀態(tài)下不變。
邊界控制寄存器(BCR)
- 長(zhǎng)度為 2 位,用于在 RUNT 指令的上下文中實(shí)現(xiàn)基本 SCOPE? 指令集未包含的附加測(cè)試操作,如 PRPG 和 PSA。
- 在 Capture - DR 期間,BCR 的內(nèi)容不變;上電或處于 Test - Logic - Reset 狀態(tài)時(shí),BCR 復(fù)位為二進(jìn)制值 10,選擇 PSA 測(cè)試操作。
旁路寄存器
- 為 1 位掃描路徑,可選擇以縮短系統(tǒng)掃描路徑的長(zhǎng)度,從而減少完成測(cè)試操作所需應(yīng)用的每個(gè)測(cè)試模式的位數(shù)。
- 在 Capture - DR 期間,旁路寄存器捕獲邏輯 0。
指令和測(cè)試操作
指令寄存器操作碼
設(shè)備支持多種指令,不同指令對(duì)應(yīng)不同的操作和功能,以下是部分常見(jiàn)指令的介紹:
- Boundary scan(EXTEST/INTEST):符合 IEEE Standard 1149.1 - 1990 的 EXTEST 和 INTEST 指令,選擇 BSR 進(jìn)入掃描路徑,設(shè)備工作在測(cè)試模式,輸入 BSCs 捕獲設(shè)備輸入端子的數(shù)據(jù),輸出 BSCs 捕獲正常片上邏輯輸出的數(shù)據(jù),掃描到輸入 BSCs 的數(shù)據(jù)應(yīng)用到正常片上邏輯輸入,掃描到輸出 BSCs 的數(shù)據(jù)應(yīng)用到設(shè)備輸出端子。
- Bypass scan(BYPASS):符合 IEEE Standard 1149.1 - 1990 的 BYPASS 指令,選擇旁路寄存器進(jìn)入掃描路徑,Capture - DR 期間旁路寄存器捕獲邏輯 0,設(shè)備工作在正常模式。
- Sample boundary(SAMPLE/PRELOAD):符合 IEEE Standard 1149.1 - 1990 的 SAMPLE/PRELOAD 指令,選擇 BSR 進(jìn)入掃描路徑,設(shè)備工作在正常模式,輸入 BSCs 和輸出 BSCs 分別捕獲設(shè)備輸入端子和正常片上邏輯輸出的數(shù)據(jù)。
- Control boundary to high impedance(HIGHZ):符合 IEEE Standard 1149.1a - 1993 的 HIGHZ 指令,選擇旁路寄存器進(jìn)入掃描路徑,Capture - DR 期間旁路寄存器捕獲邏輯 0,設(shè)備工作在修改后的測(cè)試模式,所有設(shè)備輸出端子置于高阻抗?fàn)顟B(tài),輸入端子保持正常工作,正常片上邏輯功能正常執(zhí)行。
- Control boundary to 1/0(CLAMP):符合 IEEE Standard 1149.1a - 1993 的 CLAMP 指令,選擇旁路寄存器進(jìn)入掃描路徑,Capture - DR 期間旁路寄存器捕獲邏輯 0,設(shè)備工作在測(cè)試模式,輸入 BSCs 的數(shù)據(jù)應(yīng)用到正常片上邏輯輸入,輸出 BSCs 的數(shù)據(jù)應(yīng)用到設(shè)備輸出端子。
邊界控制寄存器操作碼
BCR 操作碼根據(jù) BCR 位 1 - 0 解碼,不同的操作碼對(duì)應(yīng)不同的測(cè)試操作:
- Sample inputs/toggle outputs(TOPSIP):在每個(gè) TCK 上升沿,設(shè)備輸入端子的數(shù)據(jù)被捕獲到輸入 BSCs 的移位寄存器元素中,然后更新到輸入 BSCs 的影子鎖存器并應(yīng)用到正常片上邏輯輸入;輸出 BSCs 的移位寄存器元素中的數(shù)據(jù)在每個(gè) TCK 上升沿翻轉(zhuǎn),更新到影子鎖存器并應(yīng)用到設(shè)備輸出端子。
- Pseudo - random pattern generation(PRPG):在每個(gè) TCK 上升沿,BSCs 的移位寄存器元素中生成偽隨機(jī)模式,然后更新到影子鎖存器并應(yīng)用到設(shè)備輸出端子,同時(shí)也更新到輸入 BSCs 的影子鎖存器并應(yīng)用到正常片上邏輯輸入。在執(zhí)行此操作前,應(yīng)將初始種子值掃描到 BSR 中,全零種子值不會(huì)產(chǎn)生額外模式。
- Parallel - signature analysis(PSA):在每個(gè) TCK 上升沿,設(shè)備輸入端子的數(shù)據(jù)被壓縮成 16 位并行簽名,存儲(chǔ)在 BSCs 的移位寄存器元素中,然后更新到輸入 BSCs 的影子鎖存器并應(yīng)用到正常片上邏輯輸入,輸出 BSCs 的影子鎖存器中的數(shù)據(jù)保持不變并應(yīng)用到設(shè)備輸出。執(zhí)行此操作前也需將初始種子值掃描到 BSR 中。
- Simultaneous PSA and PRPG(PSA/PRPG):在每個(gè) TCK 上升沿,設(shè)備輸入端子的數(shù)據(jù)被壓縮成 8 位并行簽名,存儲(chǔ)在輸入 BSCs 的移位寄存器元素中,更新到影子鎖存器并應(yīng)用到正常片上邏輯輸入;同時(shí),在每個(gè) TCK 上升沿,輸出 BSCs 的移位寄存器元素中生成 8 位偽隨機(jī)模式,更新到影子鎖存器并應(yīng)用到設(shè)備輸出端子。同樣,執(zhí)行此操作前需將初始種子值掃描到 BSR 中,全零種子值不會(huì)產(chǎn)生額外模式。
電氣和時(shí)序特性
絕對(duì)最大額定值
在操作過(guò)程中,需要注意設(shè)備的絕對(duì)最大額定值,如輸入電壓范圍、輸入鉗位電流、輸出電流、最大功耗、存儲(chǔ)溫度范圍等。超過(guò)這些額定值可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備永久性損壞,影響設(shè)備的可靠性。
推薦操作條件
| 為了確保設(shè)備的正常運(yùn)行,應(yīng)在推薦的操作條件下使用,包括電源電壓、高低電平輸入電壓、輸入鉗位電流、高低電平輸出電流、工作自由空氣溫度等。 | SN54BCT8245A | SN74BCT8245A | 單位 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 標(biāo)稱(chēng) | 最大 | 最小 | 標(biāo)稱(chēng) | 最大 | |||||
| VCC | 電源電壓 | 4.5 | 5 | 5.5 | 4.5 | 5 | 5.5 | V | ||
| VIH | 高電平輸入電壓 | 2 | 2 | V | ||||||
| VIHH | 雙高電平輸入電壓(TMS) | 10 | 12 | 10 | 12 | V | ||||
| VIL | 低電平輸入電壓 | 0.8 | 0.8 | V | ||||||
| IIK | 輸入鉗位電流 | -18 | -18 | mA | ||||||
| IOH | 高電平輸出電流(Any A, TDO) | -3 | -3 | mA | ||||||
| 高電平輸出電流(Any B) | -12 | -15 | mA | |||||||
| IOL | 低電平輸出電流(Any A, TDO) | 20 | 24 | mA | ||||||
| 低電平輸出電流(Any B) | 48 | 64 | mA | |||||||
| TA | 工作自由空氣溫度 | -55 | 125 | 0 | 70 | °C |
時(shí)序要求
所有測(cè)試操作與 TCK 同步,TDI、TMS 和正常功能輸入的數(shù)據(jù)在 TCK 上升沿捕獲,TDO 和正常功能輸出端子的數(shù)據(jù)在 TCK 下降沿出現(xiàn)。TAP 控制器通過(guò)在 TCK 下降沿改變 TMS 的值,然后在 TCK 上升沿推進(jìn)其狀態(tài)。
開(kāi)關(guān)特性
設(shè)備的開(kāi)關(guān)特性包括時(shí)鐘頻率、脈沖持續(xù)時(shí)間、建立時(shí)間、保持時(shí)間、延遲時(shí)間等,在不同的工作模式(正常模式和測(cè)試模式)下有不同的參數(shù)要求。例如,在測(cè)試模式下,時(shí)鐘頻率最大為 20 MHz,不同輸入輸出之間的傳播延遲時(shí)間也有相應(yīng)的規(guī)定。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,你是否會(huì)特別關(guān)注這些開(kāi)關(guān)特性對(duì)電路性能的影響呢?
封裝和物料信息
封裝選項(xiàng)
| 提供多種封裝選項(xiàng),包括 LCCC(FK)、CDIP(JT)、SOIC(DW)等,不同封裝適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景和工作環(huán)境。每種封裝的引腳數(shù)量、工作溫度范圍、環(huán)保特性、引腳鍍層材料等都有所不同。 | 可訂購(gòu)設(shè)備 | 狀態(tài) | 封裝類(lèi)型 | 封裝圖紙 | 引腳 | 數(shù)量 | 環(huán)保計(jì)劃 | 引腳鍍層/球材料 | MSL 峰值溫度 | 工作溫度(°C) | 設(shè)備標(biāo)記 | 樣品 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5962 - 9172801Q3A | 有效 | LCCC | FK | 28 | 1 | 非 RoHS & 綠色 | SNPB | 不適用 | -55 至 125 | 5962 - 9172801Q3A SNJ54BCT 8245AFK | 有 | |
| 5962 - 9172801QLA | 有效 | CDIP | JT | 24 | 1 | 非 RoHS & 綠色 | SNPB | 不適用 | -55 至 125 | 5962 - 9172801QL A SNJ54BCT8245AJT | 有 | |
| SN74BCT8245ADW | 有效 | SOIC | DW | 24 | 25 | RoHS & 綠色 | NIPDAU | 1 級(jí) - 260°C - 無(wú)限制 | 0 至 70 | BCT8245A | 有 | |
| SN74BCT8245ADWR | 有效 | SOIC | DW | 24 | 2000 | RoHS & 綠色 | NIPDAU | 1 級(jí) - 260°C - 無(wú)限制 | 0 至 70 | BCT8245A | 有 | |
| SNJ54BCT8245AFK | 有效 | LCCC |
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SN54BCT8245A 具有八路總線(xiàn)收發(fā)器的掃描測(cè)試設(shè)備
SN54BCT8244A 具有八路緩沖器的掃描測(cè)試設(shè)備
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