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上個章節(jié)講到的關于《半導體功率模塊(IPM)封裝創(chuàng)新趨勢分析》后,應好幾位業(yè)內朋友的建議,讓分享一下功率模塊(IPM)后段封裝工藝技術的干貨知識,因此本章節(jié)主要跟大家分享的就是這部分內容了,歡迎同行和有興趣的朋友一起交流探討哦。

一、功率模塊(IPM)封裝工藝技術的分類
做過市場調研分析的朋友們應該知道:當前市場流通的功率模塊(IPM),依據(jù)封裝工藝特點與應用場景差異,主要可劃分為三大類別,各類別在技術路線、結構設計及適用領域上均呈現(xiàn)顯著特色。
1、智能功率模塊(IPM)
這類模塊核心采用塑封多芯片集成設計思路,能夠將 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、FRD(快恢復二極管)、高低壓 IC(集成電路),甚至包括電容、電阻等被動元器件,高度集成并封裝在單一封裝體內。其工藝研發(fā)以功率分立器件的傳統(tǒng)封裝設計邏輯為基礎,生產流程涵蓋引線框架預處理、DBC(直接覆銅基板)基板貼合、焊料裝片固定芯片、金鋁線混合鍵合實現(xiàn)電路互聯(lián),以及最終的塑封成型等關鍵步驟。從應用場景來看,由于其集成度與功率輸出特性適配,主要面向白電設備(如空調、冰箱的變頻控制單元)、消費電子產品(如高端電源適配器),以及部分對功率需求較低的工業(yè)控制場景(如小型電機驅動系統(tǒng))。
另外,智能功率模塊(IPM)的封裝工藝并非單一固定路線,根據(jù)芯片固定方式、基板類型及應用功率等級的不同,主要可細分為以下三類具體技術方案,各類方案在工藝細節(jié)與適用場景上各有側重,對應的封裝路線如下圖所示(分為純框架銀膠裝片類、純框架軟釬焊和銀膠混合裝片類以及焊料裝片 DBC 類三種):
a. 純框架銀膠裝片類
該工藝路線源于傳統(tǒng) IC 封裝技術的延伸與優(yōu)化,核心流程包括引線框架清洗、銀膠點涂、芯片貼裝、銀膠烘干固化、銅線鍵合互聯(lián),以及最終的全塑封成型。其中,銀膠的作用是實現(xiàn)芯片與框架的可靠固定,銅線鍵合則負責芯片與框架引腳之間的電路連接,全塑封工藝采用耐高溫、耐濕熱的環(huán)氧樹脂材料,為模塊提供全方位的環(huán)境防護。該類工藝技術成熟度高,生產流程穩(wěn)定,良率控制難度較低,但受限于銀膠導熱性能與銅線載流能力,制成的 IPM 模塊功率等級相對較低,主要應用于小功率場景,如家電設備的電源模塊(如洗衣機電源控制單元)、小型水泵的調速變頻控制系統(tǒng)等。
b. 純框架軟釬焊與銀膠混合裝片類
與純框架銀膠裝片類相比,該工藝路線在結構上增加了陶瓷散熱片,以提升模塊的散熱能力,從而適配更高功率需求;內互聯(lián)環(huán)節(jié)則根據(jù)芯片類型差異采用差異化設計,功率芯片采用粗鋁線鍵合(粗鋁線具備更高的載流能力,可滿足功率芯片的大電流傳輸需求),控制芯片則采用金銅線鍵合(金銅線的導電性能更優(yōu),且具備良好的抗氧化性,適合控制信號的穩(wěn)定傳輸)?;谏鲜鲈O計特點,該類模塊的功率輸出能力顯著提升,可覆蓋大多數(shù)白電設備的變頻調控需求,如空調壓縮機的變頻驅動、冰箱變頻控制系統(tǒng)等。

該類功率模塊(IPM)的封裝路線如上圖所示(以某半導體企業(yè) SPM 生產流程為例)。從具體工藝細節(jié)來看,該方案的核心特點體現(xiàn)在芯片貼裝與散熱片安裝兩個關鍵環(huán)節(jié):芯片貼裝分為控制芯片與功率芯片兩步進行,控制芯片采用傳統(tǒng)點銀膠工藝固定,銀膠烘干溫度約為 100℃,而功率芯片則采用軟釬焊工藝固定,軟釬焊的熱機溫度高達 350℃,由于兩種工藝的溫度差異較大,為避免高溫對已貼裝的控制芯片造成損傷,通常會優(yōu)先完成功率芯片的軟釬焊裝片;陶瓷散熱片的安裝則采用硅膠黏結工藝,具體流程為在框架指定位置點涂硅膠、放置陶瓷散熱片、加壓烘干固化,該環(huán)節(jié)的工藝難點主要集中在三個方面:
一是硅膠涂布的均勻性控制,若涂布不均會導致散熱片與框架貼合間隙不一致,影響散熱效果;
二是加熱與加壓參數(shù)的精準調控,需通過優(yōu)化溫度曲線與壓力大小,確保硅膠充分固化,同時實現(xiàn)散熱片與框架的可靠貼合(只有緊密貼合才能最大化散熱效率);
三是硅膠層厚度的嚴格把控,厚度過大會導致后續(xù)塑封工藝中,塑封料壓力將陶瓷散熱片壓裂,厚度過小則會造成塑封料溢料覆蓋散熱片表面,阻礙熱量傳導。為解決溢料問題,在塑封工藝完成后,需額外增設一道激光去溢料工序,通過激光精準去除覆蓋在散熱片表面的多余塑封料。
在鍵合工藝環(huán)節(jié),夾具設計也存在特殊要求:由于粗鋁線的剛度相對較高,在后續(xù)生產過程中的物料傳動環(huán)節(jié)不易發(fā)生倒伏,因此需優(yōu)先完成粗鋁線的鍵合;而金銅線鍵合所使用的壓板,需避開已完成鍵合的粗鋁線區(qū)域,避免壓板與鋁線發(fā)生碰撞導致鋁線變形或斷裂,因此需將金銅線的打線區(qū)域抬高設計,這一設計要求需在引線框架的前期設計階段提前考量,確??蚣芙Y構與鍵合工藝需求匹配。
c. 焊料裝片 DBC 類
該工藝路線的核心創(chuàng)新點在于采用 DBC 基板作為芯片承載與電路互聯(lián)的核心載體,DBC 基板兼具優(yōu)異的導熱性能、良好的絕緣性能與可靠的機械強度,能夠同時滿足功率器件的內互聯(lián)需求、導熱散熱需求與安規(guī)絕緣需求,因此該方案尤其適用于大功率應用場景,是功率模塊封裝技術發(fā)展過程中的重要里程碑。
該類功率模塊( IPM) 的封裝路線如下圖所示。從工藝流程來看,焊料裝片 DBC 類功率模塊( IPM)模塊的生產整合了多項先進技術:首先,采用 SMT(表面貼裝技術)將功率芯片與被動元器件(如電容、電阻)精準貼裝在 DBC 基板指定位置;其次,通過焊料回流焊工藝實現(xiàn)芯片、被動元器件與 DBC 基板的可靠固定;隨后,采用粗鋁線鍵合工藝完成芯片與 DBC 基板銅層之間的電路互聯(lián);同時,設計抬高式引線框架結構,用于安裝控制芯片,實現(xiàn)控制電路與功率電路的隔離與連接。這種設計不僅大幅提升了芯片集成度,還能通過控制芯片實現(xiàn)功率的智能化分配與管理,美國某半導體企業(yè)將此類模塊命名為智能功率模塊(SPM,Smart Power Module),以區(qū)別于傳統(tǒng)功率模塊( IPM)。

與前兩類功率模塊( IPM)工藝相比,焊料裝片 DBC 類工藝的復雜性有所降低,更多借鑒了傳統(tǒng) EMS(電子制造服務)行業(yè)的電路板安裝技術,如焊膏印刷、元器件貼片、回流焊、基板清洗等成熟工序,有助于提升生產效率與工藝穩(wěn)定性。不過,該工藝在回流焊環(huán)節(jié)面臨一項關鍵技術挑戰(zhàn) —— 引線框架、DBC 基板與回流焊夾具三者的熱吸收特性與熱膨脹系數(shù)存在差異,在回流焊高溫環(huán)境下,三者的熱變形量不同,易導致封裝材料發(fā)生位移,進而引發(fā)模塊尺寸波動。為解決這一問題,在回流焊夾具設計過程中,需通過仿真計算分析三者的熱變形規(guī)律,合理設計夾具的鎖緊結構:若鎖緊力度過大會導致材料熱膨脹時產生的熱應力無法釋放,引發(fā)引線框架變形翹曲;若鎖緊力度不足則無法有效固定封裝材料,導致尺寸波動超出允許范圍。因此,需通過大量實驗驗證,確定夾具的最優(yōu)設計參數(shù),以保障生產良率。
該類模塊的后續(xù)工序(如塑封、切筋、測試等)與前述兩類功率模塊( IPM)基本一致,但由于采用塑封工藝,模塊尺寸波動對塑封模具的適配性影響極大,尤其是引線框架厚度方向的尺寸變化,若超出模具允許公差,會導致塑封料填充不均、模塊表面出現(xiàn)氣泡或裂紋等缺陷,因此在生產過程中,需重點控制框架厚度等關鍵尺寸的波動范圍。
2、灌膠盒封大功率模塊
灌膠盒封大功率模塊的封裝路線如下圖所示(下圖為典型的灌膠盒封模塊工藝過程,涵蓋從基板預處理到最終測試的全流程,詳細標注了內互聯(lián)鍵合、灌膠固化、外殼裝配等關鍵工序的位置與操作要點)。其生產流程涵蓋多個關鍵環(huán)節(jié),其中內互聯(lián)鍵合工序的設置需根據(jù)模塊的設計需求與性能目標靈活調整:若模塊采用銅片(部分行業(yè)也稱為銅夾)內互聯(lián)技術,通過銅片直接實現(xiàn)芯片與基板、芯片與芯片之間的電路連接,則無需額外設置內互聯(lián)鍵合工序;但在兩種情況下需保留內互聯(lián)鍵合工序:
一是芯片柵極尺寸極小,無法通過銅片實現(xiàn)可靠連接,需采用細鋁線鍵合工藝完成柵極與控制電路的連接;
二是出于成本控制或生產靈活性考慮,未采用銅片工藝,源極區(qū)域仍采用粗鋁線鍵合實現(xiàn)電流傳輸。

從性能對比來看,鋁線鍵合方案的封裝內阻相對較高,導熱性能也不及銅片內互聯(lián)方案,因此在對功率損耗與散熱性能要求嚴苛的大功率應用場景中,應盡量避免采用鋁線鍵合;但銅片內互聯(lián)技術也存在明顯局限性:一方面,銅片的制造需根據(jù)芯片尺寸、焊盤規(guī)格及電路布局進行定制化設計與加工,無法實現(xiàn)通用化生產,導致生產靈活性不足;另一方面,銅片與芯片的連接通常采用焊膏回流焊工藝,而芯片表面若為純鋁材質,其可焊性較差,需額外進行電鍍鎳鈀金處理,以提升芯片表面的可焊性,這不僅增加了工藝步驟,還提高了生產成本。基于上述因素,在封裝內阻對模塊性能影響不突出、散熱需求相對寬松的場景中,鋁線鍵合工藝仍被廣泛采用。
為進一步優(yōu)化內互聯(lián)性能,行業(yè)內還開發(fā)了粗銅線鍵合技術,利用銅材低電阻率、高導熱系數(shù)的特性,在保留鍵合工藝靈活性的同時,提升模塊的導電與散熱性能,該技術已在部分中大功率模塊封裝中逐步推廣應用。
除傳統(tǒng)灌膠盒封工藝外,部分企業(yè)為提升模塊的功率循環(huán)可靠性(功率循環(huán)可靠性指模塊在反復加熱與冷卻過程中的性能穩(wěn)定性,是衡量模塊壽命的關鍵指標),開發(fā)了盒裝塑封工藝。該工藝與傳統(tǒng)灌膠盒封工藝的核心區(qū)別在于,以塑封工藝替代灌膠工藝實現(xiàn)模塊的環(huán)境防護,塑封料具備更優(yōu)異的機械強度與環(huán)境適應性,可顯著提升模塊的抗沖擊能力與長期可靠性。
不過,盒裝塑封工藝面臨的核心技術難點是功能端子的安裝:模塊的功能端子通常長度較長,傳統(tǒng)灌膠工藝中,端子采用機械式壓接方式插入 DBC 基板焊接的端子基座內,安裝難度較低;而采用塑封工藝后,端子尺寸波動會對后續(xù)測試環(huán)節(jié)的端子接觸可靠性產生直接影響(若端子尺寸偏差過大,會導致測試探針無法與端子可靠接觸,影響測試結果準確性)。同時,塑封過程中施加的壓力會對塑料盒體的材質選擇與盒蓋的密封性提出更高要求:若盒體材質強度不足,易在塑封壓力作用下發(fā)生變形;若盒蓋與盒體的密封結構設計不合理,塑封料可能滲入盒體內部,導致模塊失效。因此,要實現(xiàn)盒裝塑封工藝的成熟穩(wěn)定量產,需投入大量資源研究各工序(如端子加工、盒體成型、塑封成型)帶來的尺寸波動規(guī)律,通過優(yōu)選塑封料(需具備良好的流動性、耐高溫性與絕緣性)、盒體材質(需具備高強度、低翹曲特性)、盒蓋密封結構,制定合理的工藝參數(shù),才能有效控制缺陷率,保障生產良率與模塊可靠性。雙面散熱塑封功率模塊封裝工藝線路如下圖所示。

3、雙面散熱塑封功率模塊
雙面散熱塑封功率模塊是在盒裝塑封工藝基礎上開發(fā)的升級方案,其核心設計創(chuàng)新在于電路拓撲與散熱結構的優(yōu)化:電路拓撲采用半橋單模塊設計,即單個模塊集成半橋電路的全部功能,通過三個此類模塊的組合,即可構建出全橋三相調控系統(tǒng),滿足電機驅動等大功率應用的需求。
在結構設計上,該類模塊采用雙面 DBC 基板與銅柱組合的架構,雙面 DBC 基板分別位于模塊的上下兩側,銅柱則用于連接上下兩層 DBC 基板,并實現(xiàn)芯片與基板之間的支撐與導電;內互聯(lián)環(huán)節(jié)可根據(jù)性能需求選擇鍵合工藝(如銅線鍵合、鋁線鍵合)或銅片內互聯(lián)工藝;最終通過塑封工藝將整個結構封裝成型,塑封過程中嚴格控制模塊厚度,確保制成的模塊整體纖薄,便于安裝與集成。
從性能優(yōu)勢來看,雙面散熱塑封功率模塊具備多項突出特點:
一是電路拓撲簡潔,三個模塊即可實現(xiàn)全橋三相調控,簡化了系統(tǒng)設計與組裝流程;
二是可靠性高,塑封工藝與雙面 DBC 基板的組合,大幅提升了模塊的環(huán)境適應性與抗沖擊能力;
三是功率密度大,纖薄的結構設計與高度集成化,使得模塊在單位體積內可實現(xiàn)更高的功率輸出;
四是散熱性能優(yōu)異,雙面散熱結構可同時通過上下兩個方向散出熱量,散熱效率遠高于傳統(tǒng)單面向散熱模塊;
五是安裝便捷,纖薄的外形設計便于模塊在有限空間內安裝,降低了系統(tǒng)集成難度。

因此,功率模塊(IPM)封裝技術通過銀膠、軟釬焊、焊料裝片等工藝實現(xiàn)不同功率需求的適配,其中焊料裝片DBC類因高集成度和散熱性能成為主流選擇,而灌膠盒封技術則針對SiC等特殊材料進行優(yōu)化。
二、功率模塊(IPM)的封裝工藝流程
在現(xiàn)代電子產品的設計與制造中,集成電路(IC)封裝技術扮演著至關重要的角色。尤其是功率模塊(IPM)的封裝工藝,更是對提升電氣性能和可靠性有著直接影響,因此功率模塊(IPM)的封裝工藝就顯得尤為重要。以下就是給大家詳細解讀功率模塊(IPM)的封裝工藝流程,幫助大家更深入地了解這一技術領域。
1、設計階段
封裝工藝的第一步是設計。根據(jù)功率模塊(IPM)的功能需求,工程師將確定封裝的形狀、大小以及引腳布局等。這一階段需要綜合考慮電氣性能、散熱管理及制造成本。
2、材料選擇
封裝材料的選擇對功率模塊(IPM)的性能至關重要。常用的材料包括環(huán)氧樹脂、陶瓷和金屬等。這些材料不僅要具備良好的絕緣性和耐熱性,還需滿足環(huán)境友好的標準。
3、芯片準備
在封裝前,首先需要對芯片進行測試和篩選,確保其性能符合標準。合格的芯片將被轉移到后續(xù)的封裝流程中。
4、焊接
焊接是功率模塊(IPM)封裝中一個關鍵的環(huán)節(jié)。通常采用表面貼裝技術(SMT)或引線框架焊接,確保芯片與基板的良好連接。這一過程要求高精度的設備和技術,以避免焊接缺陷。
5、封裝成型
焊接完成后,接下來就是封裝成型。這一過程通過將封裝材料加熱、固化,使其與芯片緊密結合,形成保護層,從而提高其抗外界環(huán)境影響的能力。
6、測試與檢驗
封裝完成后,功率模塊(IPM)需經過嚴格的測試與檢驗,確保其在電氣性能和機械強度上的符合性。這包括高低溫測試、耐壓測試及功能測試等,以保證模塊在實際應用中的可靠性。
7、標識與包裝
最后,合格的功率模塊(IPM)會被標識并進行包裝,準備出貨。包裝過程不僅是為了保護產品,同時也便于后續(xù)的儲存與運輸。
功率模塊(IPM)的封裝工藝流程涉及多個環(huán)節(jié),每一個細節(jié)都關系到最終產品的性能與可靠性。隨著科技的不斷進步,封裝技術也在不斷創(chuàng)新,以滿足日益增長的市場需求。了解這一流程,不僅能夠幫助企業(yè)提高生產效率,還能在激烈的市場競爭中占據(jù)一席之地。
三、功率模塊(IPM)的內部功能機制
功率模塊(IPM)內置的驅動和保護電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠,縮短了系統(tǒng)開發(fā)時間,也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比,功率模塊(IPM)在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進一步的提高。
保護電路可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動作,IGBT柵極驅動單元就會關斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。各種保護功能具體如下:
1、控制電壓欠壓保護(UV)
功率模塊(IPM)使用單一的+15V供電,若供電電壓低于12.5V,且時間超過toff=10ms,發(fā)生欠壓保護,封鎖門極驅動電路,輸出故障信號。
2、過溫保護(OT)
在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個溫度傳感器,當功率模塊(IPM)溫度傳感器測出其基板的溫度超過溫度值時,發(fā)生過溫保護,封鎖門極驅動電路,輸出故障信號。
3、過流保護(OC)
若流過IGBT的電流值超過過流動作電流,且時間超過toff,則發(fā)生過流保護,封鎖門極驅動電路,輸出故障信號。為避免發(fā)生過大的di/dt,大多數(shù)功率模塊(IPM)采用兩級關斷模式。其中,VG為內部門極驅動電壓,ISC為短路電流值,IOC為過流電流值,IC為集電極電流,IFO為故障輸出電流。
4、短路保護(SC)
若負載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導致短路,流過IGBT的電流值超過短路動作電流,則立刻發(fā)生短路保護,封鎖門極驅動電路,輸出故障信號。跟過流保護一樣,為避免發(fā)生過大的di/dt,大多數(shù)IPM采用兩級關斷模式。為縮短過流保護的電流檢測和故障動作間的響應時間,功率模塊(IPM)內部使用實時電流控制電路(RTC),使響應時間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護效果。
當IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時,其故障輸出信號持續(xù)時間tFO為1.8ms(SC持續(xù)時間會長一些),此時間內IPM會封鎖門極驅動,關斷功率模塊(IPM);故障輸出信號持續(xù)時間結束后,功率模塊(IPM)內部自動復位,門極驅動通道開放。
可以看出,器件自身產生的故障信號是非保持性的,如果tFO結束后故障源仍舊沒有排除,功率模塊(IPM)就會重復自動保護的過程,反復動作。過流、短路、過熱保護動作都是非常惡劣的運行狀況,應避免其反復動作,因此僅靠功率模塊(IPM)內部保護電路還不能完全實現(xiàn)器件的自我保護。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運行,需要輔助的外圍保護電路。

四、功率模塊(IPM)封裝工藝技術的介紹
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五、功率模塊(IPM)的技術原理
功率模塊(IPM)是一種先進的功率開關器件,它將功率開關器件和驅動電路集成在一起,并內置了過電壓、過電流和過熱等故障檢測電路。功率模塊(IPM)的核心部件是高速、低功耗的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片,這種芯片結合了GTR(大功率晶體管)的高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應晶體管)的高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優(yōu)點。
功率模塊(IPM)的內部結構包括IGBT芯片、優(yōu)化的門級驅動電路以及快速保護電路。IGBT由MOSFET驅動GTR,因此兼具兩者的優(yōu)點。功率模塊(IPM)根據(jù)內部功率電路配置的不同,可分為H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT),如下圖所示。小功率的功率模塊(IPM)使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),而中大功率的功率模塊(IPM)則使用陶瓷絕緣。

功率模塊(IPM)的驅動電路是主電路和控制電路之間的接口,其設計對裝置的運行效率、可靠性和安全性至關重要。IGBT的柵極耐壓一般在±20V左右,因此驅動電路輸出端需要給柵極加電壓保護。同時,由于MOSFET存在輸入電容Cin,開關過程中需要對電容充放電,因此驅動電路的輸出電流應足夠大。此外,為可靠關閉IGBT,防止擎住現(xiàn)象,最好采用雙電源供電。
另外,功率模塊(IPM)的保護電路是其另一大亮點,可以實現(xiàn)控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。當功率模塊(IPM)發(fā)生任一故障時,其故障輸出信號會封鎖門極驅動,關斷功率模塊(IPM),并在故障輸出信號持續(xù)時間結束后自動復位。這種自保護能力大大降低了器件在開發(fā)和使用中損壞的機會。
同時,功率模塊(IPM)的開關速度快、功耗低,并且具有快速的過流保護和過熱保護能力。這些特點使得功率模塊(IPM)在電力電子領域得到了廣泛的應用,特別是在需要高可靠性和高效率的場合,如變頻器、電動汽車、智能家居和工業(yè)自動化等領域。
綜上所述,功率模塊(IPM)是先進的混合集成功率器件,由高速,低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅動電路及多種保護電路集成在同一模塊內.與普通的IGBT相比,功率模塊(IPM)在系統(tǒng)性能和可靠性上均有進一步提高,而且由于功率模塊(IPM)的通態(tài)損耗和開關損耗都比較低,散熱器的尺寸小,故整個系統(tǒng)的尺寸更小.而且功率模塊(IPM)內部集成了邏輯,控制,檢測和保護電路,使用起來方便,不僅減少了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間,也大大增強了系統(tǒng)的可靠性。

六、功率模塊(IPM)的技術趨勢
因為功率模塊(IPM)是指集成驅動和保護電路到單個封裝的模塊化方案,較分立方案減少占板空間,提升系統(tǒng)可靠性,簡化設計和加速產品面市時間。現(xiàn)市場上有半導體企業(yè)憑借領先的硅和封裝技術,提供同類最佳的功率模塊(IPM),產品陣容覆蓋20 W到10 KW不同功率等級,應用于工業(yè)、汽車和消費等應用,具有顯著的能效、尺寸、成本、可靠性等優(yōu)勢。
根據(jù)具體應用需求,功率模塊(IPM)可采用各種不同的晶圓技術如平面MOSFET、超結、場截止IGBT、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等,以及封裝技術如扁平無引腳(QFN)、全塑(Full pack)、陶瓷基板、AI2O3、氮化鋁(AIN)、絕緣金屬基板技術(IMST)、直接鍵合銅(DBC)、單列直插(SIP)、二合一(PFC + 變頻器INVERTER)等,以盡量減小熱阻,降低導通損耗和開關損耗,同時確保高集成度、高開關速度、高能效、高可靠性和出色的EMI性能。
當前,工業(yè)功率模塊(IPM)主要應用于工業(yè)壓縮機、泵、可變頻驅動、電動工具等。預計此類市場未來3年的復合年增率(CAGR)為5.1%,增長較快,這主要歸結于人工成本的不斷上漲導致企業(yè)實現(xiàn)自動化的需求日趨強烈,而各項能源法規(guī)及測試標準如ErP、IEC、GB3等對能效的要求日趨嚴格。
總之,一些專注于高功率領域如空調(HVAC)、汽車、工業(yè)級等功率模塊(IPM),通過領先的硅技術和優(yōu)化的封裝,針對每一應用提供適當?shù)墓β誓K(IPM)方案,確保高集成度、高功率密度、出色的熱性能、優(yōu)化的導通損耗和開關損耗、優(yōu)異的耐用性,尤其是封裝具有更大爬電距離/間隙,適用于高電壓應用。

七、功率模塊(IPM)的應用
功率模塊(IPM)在眾多領域中展現(xiàn)了其重要的應用價值:
1、工業(yè)自動化
在工業(yè)驅動系統(tǒng)中,功率模塊(IPM)可以實現(xiàn)高效的電機控制,提高生產效率,減少能耗。
2、電動汽車
功率模塊(IPM)在電動汽車的動力系統(tǒng)中起著至關重要的作用,能夠有效實現(xiàn)電能的轉換和分配,提升整車的性能和續(xù)航里程。
3、可再生能源
在光伏和風能系統(tǒng)中,功率模塊(IPM)的高效性和可靠性使其成為逆變器的核心組件,有助于提高可再生能源的利用率。
4、家電產品
在空調、冰箱等家電中,功率模塊(IPM)用于電機控制和能量管理,提升產品的能效和使用體驗。

八、總結一下
隨著技術的不斷進步,智能功率模塊(IPM)在電力電子領域的應用將愈加廣泛。通過合理的分類及其在各個領域的應用,功率模塊(IPM)不僅提高了設備的性能和效率,同時也推動了可持續(xù)發(fā)展的進程。未來,隨著電力電子技術的不斷創(chuàng)新,功率模塊(IPM)有望在更多新興領域中發(fā)揮重要作用,為綠色能源和智能制造提供更強有力的支持。
參考資料
1. 王旭東等著.電力電子技術在汽車中的應用[M].機械工業(yè)出版社.2010.06:58.
2. 黃摯雄,李志勇,危韌勇. 智能功率模塊IGBT-IPM及其應用.《CNKI》,2002
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