Analog Devices MAT02：低噪聲匹配雙單片晶體管的太空級之選

在電子工程領域，對于高性能晶體管的需求一直十分迫切，尤其是在太空等極端環境應用中。今天，我們就來詳細探討Analog Devices公司的MAT02低噪聲匹配雙單片晶體管的太空級版本。

文件下載：MAT02S.pdf

規格概述

MAT02的太空級版本規格文檔詳細規定了產品的各項要求。該規格適用于在Analog Devices經QML認證的生產線上制造的太空合格產品，遵循MIL - PRF - 38535 V級標準。此數據手冊專門針對太空級產品，商業級產品的更詳細操作說明和完整數據手冊可在www.analog.com/MAT02獲取。

產品編號與封裝

產品編號為MAT02 - 903H，是低噪聲匹配雙單片晶體管。其封裝為6引腳罐式封裝（TO），代號為H（MACY1 - X6），符合MIL - PRF - 38535的引腳鍍層要求。

關鍵參數

絕對最大額定值

在環境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) （除非另有說明）的條件下，MAT02有一系列絕對最大額定值：

電壓方面：發射極到發射極電壓（BVEE）、集電極到基極電壓（BVCBO）、集電極到發射極電壓（BVCEO）、集電極到集電極電壓（BVCC）均為40V。
電流方面：發射極電流（IE）和集電極電流（IC）最大為20mA。
溫度方面：工作環境溫度范圍為 - 55到 + 125°C，引腳焊接溫度（60秒）最大為 + 300°C，儲存溫度范圍為 - 65°C到 + 150°C，芯片結溫最大為 + 150°C。
功率方面：總功耗在無散熱片、僅自由空氣條件下最大為500mW。

熱特性

對于TO - 78（H）封裝，結到殼的熱阻 (Theta{JC}) 最大為 (45^{circ} C / W) ，結到環境的熱阻 (Theta{JA}) 最大為 (150^{circ} C / W) 。當環境溫度高于70°C時，需以6.67mW/°C的速率線性降額。

電氣參數

參數	條件	最小值	最大值	單位
電流增益（hFE）	不同 (I{C}) 和 (V{CB}) 組合	如 (I{C}=1mA) ， (V{CB}=0V) 時為500等	/	/
電流增益匹配（(Delta h_{FE})）	(I_{C}=10 mu A) 到1mA	/	2	%
失調電壓（(V_{OS})）	(V_{CB}=0V)	/	如子組1為50等	(mu V)
失調電壓隨溫度變化（(TCV_{OS})）	(V_{CB}=0V)	/	0.3	(mu V/°C)
輸入失調電流（(I_{OS})）	(V_{CB}=0V) ，40V	/	如子組1為0.6等	nA
集電極基極漏電流（(I_{CBO})）	(V_{CB}=40V)	/	200	pA
噪聲電壓密度（(e_{n})）	(I{C}=1mA) ， (V{CB}=0V) ，不同頻率	/	如 (f_{O}=10Hz) 時為2等	nV/Hz