深入解析 SN54ABT8543 與 SN74ABT8543 掃描測(cè)試設(shè)備
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,測(cè)試設(shè)備對(duì)于確保電路的可靠性和性能至關(guān)重要。今天,我們將深入探討德州儀器(Texas Instruments)的 SN54ABT8543 和 SN74ABT8543 掃描測(cè)試設(shè)備,這兩款設(shè)備在邊界掃描測(cè)試方面具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
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一、產(chǎn)品概述
SN54ABT8543 和 SN74ABT8543 是德州儀器 SCOPE? 可測(cè)試性集成電路家族的成員,與 IEEE 標(biāo)準(zhǔn) 1149.1 - 1990(JTAG)測(cè)試訪問端口和邊界掃描架構(gòu)兼容。在正常功能模式下,它們?cè)诠δ苌系韧?’F543 和 ’ABT543 八進(jìn)制寄存器總線收發(fā)器。
這兩款設(shè)備采用了先進(jìn)的 EPIC - ΙΙB? BiCMOS 設(shè)計(jì),顯著降低了功耗。同時(shí),它們提供了多種封裝選項(xiàng),包括塑料小外形(DW)、收縮小外形(DL)封裝、陶瓷芯片載體(FK)和標(biāo)準(zhǔn)陶瓷雙列直插式封裝(JT),以滿足不同的應(yīng)用需求。
二、工作模式及控制機(jī)制
正常模式
在正常模式下,數(shù)據(jù)在 A 到 B 以及 B 到 A 兩個(gè)方向的流動(dòng)由鎖存使能(LEAB 和 LEBA)、芯片使能(CEAB 和 CEBA)和輸出使能(OEAB 和 OEBA)輸入控制。以 A 到 B 數(shù)據(jù)流動(dòng)為例,當(dāng) LEAB 和 CEAB 都為低電平時(shí),設(shè)備工作在透明模式;當(dāng)其中任何一個(gè)為高電平時(shí),A 數(shù)據(jù)被鎖存。只有當(dāng) OEAB 和 CEAB 都為低電平時(shí),B 輸出才有效;否則,B 輸出處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。B 到 A 的數(shù)據(jù)流動(dòng)控制機(jī)制與此類似,但使用 LEBA、CEBA 和 OEBA。
測(cè)試模式
當(dāng)進(jìn)入測(cè)試模式時(shí),SCOPE? 寄存器總線收發(fā)器的正常操作被禁止,測(cè)試電路被啟用,用于觀察和控制設(shè)備的 I/O 邊界。測(cè)試電路通過四個(gè)專用測(cè)試引腳進(jìn)行控制:測(cè)試數(shù)據(jù)輸入(TDI)、測(cè)試數(shù)據(jù)輸出(TDO)、測(cè)試模式選擇(TMS)和測(cè)試時(shí)鐘(TCK)。此外,測(cè)試電路還能執(zhí)行其他測(cè)試功能,如對(duì)數(shù)據(jù)輸入進(jìn)行并行簽名分析(PSA)和從數(shù)據(jù)輸出生成偽隨機(jī)模式(PRPG)。所有的測(cè)試和掃描操作都與測(cè)試訪問端口(TAP)接口同步。
三、測(cè)試架構(gòu)與 TAP 控制器
測(cè)試信息通過符合 IEEE 標(biāo)準(zhǔn) 1149.1 - 1990 的 4 線測(cè)試總線(TAP)進(jìn)行傳輸,包括測(cè)試指令、測(cè)試數(shù)據(jù)和測(cè)試控制信號(hào)。TAP 控制器監(jiān)控來(lái)自測(cè)試總線的 TCK 和 TMS 信號(hào),并從中提取同步信號(hào)(TCK)和狀態(tài)控制信號(hào)(TMS),為設(shè)備中的測(cè)試結(jié)構(gòu)生成適當(dāng)?shù)钠峡刂菩盘?hào)。
TAP 控制器是一個(gè)同步有限狀態(tài)機(jī),共有 16 個(gè)狀態(tài),包括 6 個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)和 10 個(gè)不穩(wěn)定狀態(tài)。它有兩條主要路徑,分別用于訪問和控制選定的數(shù)據(jù)寄存器和指令寄存器,且一次只能訪問一個(gè)寄存器。
設(shè)備在上電時(shí)處于測(cè)試邏輯復(fù)位(Test - Logic - Reset)狀態(tài),在此狀態(tài)下,測(cè)試邏輯被復(fù)位并禁用,設(shè)備執(zhí)行正常邏輯功能。指令寄存器被重置為選擇可選的 IDCODE 指令(如果支持)或 BYPASS 指令的操作碼,某些數(shù)據(jù)寄存器也會(huì)被重置為其上電值。
四、寄存器介紹
指令寄存器(IR)
指令寄存器為 8 位長(zhǎng),用于告訴設(shè)備要執(zhí)行的指令。指令包含的信息包括操作模式(正常模式或測(cè)試模式)、要執(zhí)行的測(cè)試操作、在數(shù)據(jù)寄存器掃描期間要選擇的三個(gè)數(shù)據(jù)寄存器中的哪一個(gè)以及在 Capture - DR 期間要捕獲到所選數(shù)據(jù)寄存器的數(shù)據(jù)來(lái)源。
數(shù)據(jù)寄存器
- 邊界掃描寄存器(BSR):長(zhǎng)度為 40 位,每個(gè)正常功能輸入引腳有一個(gè)邊界掃描單元(BSC),每個(gè)正常功能 I/O 引腳有兩個(gè) BSC(一個(gè)用于輸入數(shù)據(jù),一個(gè)用于輸出數(shù)據(jù)),每個(gè)內(nèi)部解碼的輸出使能信號(hào)(OEA 和 OEB)也有一個(gè) BSC。它用于存儲(chǔ)要內(nèi)部應(yīng)用到正常片上邏輯輸入和/或外部應(yīng)用到設(shè)備輸出引腳的測(cè)試數(shù)據(jù),以及捕獲在正常片上邏輯輸出和/或設(shè)備輸入引腳上出現(xiàn)的數(shù)據(jù)。
- 邊界控制寄存器(BCR):11 位長(zhǎng),用于在 RUNT 指令的上下文中實(shí)現(xiàn)基本 SCOPE? 指令集未包含的額外測(cè)試操作,如 PRPG、帶輸入屏蔽的 PSA 和二進(jìn)制遞增計(jì)數(shù)(COUNT)。
- 旁路寄存器:1 位掃描路徑,可用于縮短系統(tǒng)掃描路徑的長(zhǎng)度,從而減少完成測(cè)試操作所需施加的每個(gè)測(cè)試模式的位數(shù)。在 Capture - DR 期間,旁路寄存器捕獲邏輯 0。
五、指令與操作
指令寄存器操作碼
設(shè)備支持多種指令,如邊界掃描(EXTEST/INTEST)、旁路掃描(BYPASS)、采樣邊界(SAMPLE/PRELOAD)等,每種指令都有其特定的功能和操作模式。
邊界控制寄存器操作碼
BCR 操作碼通過 BCR 位 2 - 0 進(jìn)行解碼,對(duì)應(yīng)不同的測(cè)試操作,如采樣輸入/切換輸出(TOPSIP)、偽隨機(jī)模式生成(PRPG)、并行簽名分析(PSA)等。這些操作在執(zhí)行 RUNT 指令的 Run - Test/Idle 狀態(tài)期間進(jìn)行。
六、技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用注意事項(xiàng)
電氣特性與推薦條件
兩款設(shè)備在不同的電源電壓、輸入輸出電壓、電流和溫度范圍內(nèi)有明確的電氣特性。例如,SN54ABT8543 適用于 - 55°C 至 125°C 的全軍事溫度范圍,而 SN74ABT8543 適用于 - 40°C 至 85°C 的溫度范圍。
封裝與材料
設(shè)備提供多種封裝選項(xiàng),每種封裝都有其特定的尺寸、引腳數(shù)量、包裝數(shù)量、環(huán)保計(jì)劃、引腳鍍層/球材料、濕度靈敏度等級(jí)、峰值溫度和設(shè)備標(biāo)記等信息。在選擇封裝時(shí),需要根據(jù)具體的應(yīng)用環(huán)境和要求進(jìn)行考慮。
設(shè)計(jì)與應(yīng)用建議
在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須注意未使用的引腳(輸入或 I/O)必須保持高電平或低電平,以防止它們浮空。同時(shí),要根據(jù)設(shè)備的電氣特性和推薦的工作條件來(lái)設(shè)計(jì)電源、時(shí)鐘和其他相關(guān)電路。
綜上所述,SN54ABT8543 和 SN74ABT8543 掃描測(cè)試設(shè)備為電子工程師提供了一種強(qiáng)大的工具,用于測(cè)試和驗(yàn)證復(fù)雜電路板組件的功能和可靠性。通過深入了解其工作原理、寄存器結(jié)構(gòu)和指令集,工程師可以更好地利用這些設(shè)備來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì)和提高產(chǎn)品質(zhì)量。你在使用這類測(cè)試設(shè)備時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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SN54ABT8543 具有八路寄存總線收發(fā)器的掃描測(cè)試設(shè)備
具有八進(jìn)制總線收發(fā)器和寄存器的掃描測(cè)試設(shè)備SN54ABT8646 SN74ABT8646數(shù)據(jù)表
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