RAA211403 和 RAA211405:高效低功耗降壓調節器的應用與設計指南
在電子設計領域,電源管理芯片的性能直接影響到整個系統的穩定性和效率。RAA211403 和 RAA211405 作為瑞薩電子推出的 40V、300mA、超低靜態電流($I_{Q}$)的 DC/DC 降壓調節器,憑借其出色的性能和豐富的保護功能,在眾多應用場景中展現出了強大的競爭力。
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產品概述
RAA211403 和 RAA211405 是超小型、易于使用的降壓調節器,輸入電壓范圍為 7V 至 40V,最大輸出電流可達 300mA。其中,RAA211403 的固定輸出電壓為 3.3V,而 RAA211405 的輸出電壓為 5V。這兩款芯片采用 TSOT23 - 5 封裝,具有超低的靜態電流,在 40V 輸入、無負載開關條件下,$I{Q}$ 僅為 4μA;在 40V 輸入、無負載且無開關條件下,$I{Q}$ 為 2.5μA。此外,它們還提供了全面的保護功能,包括 $V{IN}$ 欠壓鎖定(UVLO)、$V{OUT}$ 過壓保護(OVP)、過流保護和過溫保護等。
典型應用電路
RAA211403 典型應用電路
其典型 BOM 如下: |
Reference Designator | Description | Manufacturer | Manufacturer Part Number |
|---|---|---|---|---|
| L | COIL - PWR Inductor, SMD, 3mm, 15pH, 20%, 1.71A, 720mΩ DCR, WW, ROHS | Wurth | 74438335150 | |
| $C_{IN}$ | Multilayer Cap, SMD, 0805, 4.7uF, 10%, 50V | Samsung | CL21A475KBQNNNE | |
| R | Thick Film Chip Resistor, SMD, 0603, 1M, 1%, 1/10W | Generic | Various | |
| D | 1A 60V Low Vf Schottky Barrier Rectifier, SOD323F | Panjit | MBR1060HEWS_R1_00001 | |
| $C_{OUT}$ | Multilayer Cap, SMD, 0603, 22uF, 20%, 6.3V | Generic | Various |
RAA211405 典型應用電路
其典型 BOM 如下: |
Reference Designator | Description | Manufacturer | Manufacturer Part Number |
|---|---|---|---|---|
| L | COIL - PWR Inductor, SMD, 3mm, 10pH, 20%, 2A 446mΩ DCR, WW, ROHS | Wurth | 74438335100 | |
| $C_{IN}$ | Multilayer Cap, SMD, 0805, 4.7pF, 10%, 50V | Samsung | CL21A475KBQNNNE | |
| R | Thick Film Chip Resistor, SMD, 0603, 1M, 1%, 1/10W | Generic | Various | |
| D | 1A 60V Low Vf Schottky Barrier Rectifier, SOD323F | Panjit | MBR1060HEWS_R1_00001 | |
| $C_{OUT}$ | Mutilayer Cap, SMD, 0603, 22pF, 20%, 6.3V | Generic | Various |
引腳信息
引腳分配

引腳描述
| Pin Number | Pin Name | Description |
|---|---|---|
| 1 | $V_{OUT}$ | 連接到調節器的輸出電壓,啟動并進入穩壓狀態后,該引腳也是 IC 的偏置電源。 |
| 2 | GND | 接地引腳。 |
| 3 | EN | 使能引腳,具有高電壓耐受性,可直接連接到 $V_{IN}$ 或邏輯電壓以實現啟用和禁用,請勿懸空。 |
| 4 | $V_{IN}$ | IC 的電壓輸入,連接到集成 MOSFET 的源極和合適的電壓源。 |
| 5 | SW | 開關節點引腳,是調節器的相位節點,連接到集成 MOSFET 的漏極,需連接到電感和二極管。 |
規格參數
絕對最大額定值
| 使用時需注意,不要長時間在接近或達到最大額定值的條件下運行,否則可能會影響產品的可靠性并導致故障。 | Parameter | Minimum | Maximum | Unit |
|---|---|---|---|---|
| $V_{IN}$ | -0.3 | 42 | V | |
| EN | -0.3 | $V_{IN}$ + 0.3 | V | |
| SW | -0.3 | $V_{IN}$ + 0.3 | V | |
| $V_{OUT}$ | -0.3 | 7 | V | |
| SW, 20ns Transient | -6 | $V_{IN}$ + 0.3 | V | |
| Operating Junction Temperature | -40 | 150 | ℃ | |
| Maximum Storage Temperature Range | -65 | 150 | ℃ | |
| Human Body Model (Tested per JS - 001 - 2017) | 2 | kV | ||
| Charged Device Model (Tested per JS - 002 - 2018) | 1 | kV | ||
| Latch - Up (Tested per JESD78E; Class 2, Level A) | 100 | mA |
推薦工作條件
| Parameter | Minimum | Maximum | Unit |
|---|---|---|---|
| Input Voltage, $V_{IN}$ | 7 | 40 | V |
| Output Current, $I_{OUT}$ | 0 | 0.3 | A |
| Junction Temperature, $T_{j}$ | -40 | +125 | ℃ |
熱規格
| Parameter | Package | Symbol | Conditions | Typical Value | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| Thermal Resistance | TSOT23 - 5 | $theta_{JA}$ | Junction to ambient | 90 | °C/W |
| $theta_{JA2}$ | Junction to ambient | 156 | |||
| $theta_{JC}$ | Junction to case | 48 |
電氣規格
| Parameter | Symbol | Test Conditions | Min[1] | Typ | Max[1] | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Supply Voltage | ||||||
| $V_{IN}$ Voltage Range | $V_{IN}$ | 7 | 40 | V | ||
| $V_{IN}$ Quiescent Current | $I_{Q}$ | EN = $V{IN}$ = 40V, $V{OUT}$ = 3.3V or 5V, no load operation, switching | 4 | μA | ||
| EN = $V{IN}$ = 40V, $V{OUT}$ > 3.3V or 5V, no load, no switching | 2.5 | μA | ||||
| Shutdown Current | $I_{SH}$ | EN = 0V, $V_{IN}$ = 24, no switching | 0.1 | 1 | μA | |
| $V_{IN}$ Undervoltage Lockout | $V_{IN}$ rising | 6.0 | 6.5 | 7 | V | |
| $V_{IN}$ Undervoltage Hysteresis | 550 | mV | ||||
| Output Voltage | ||||||
| $V_{OUT}$ Valley Comparator Threshold | $V_{OUT}$ | RAA211403, $V_{IN}$ = 12V, no load | 3.2 | 3.3 | 3.4 | V |
| RAA211405, $V_{IN}$ = 12V, no load | 4.8 | 4.95 | 5.1 | V | ||
| Overvoltage Protection | OVP | RAA211403 | 3.63 | V | ||
| RAA211405 | 5.5 | V | ||||
| Enable Voltage | ||||||
| EN High Level Input Voltage | $V_{ENH}$ | 1.13 | 1.23 | 1.33 | V | |
| EN Hysteresis | 75 | mV | ||||
| EN Leakage Current | EN = $V_{IN}$ = 40V | 0 | μA | |||
| Timer Control | ||||||
| Minimum On - Time | $t_{ON MIN}$ | $V_{IN}$ = 12V | 75 | ns | ||
| Internal Integrated MOSFETs | ||||||
| On - Resistance | $R_{DS(ON)_H}$ | $V_{IN}$ = 12V | 1.0 | Ω | ||
| Current Limit and Protection | ||||||
| Current Limit | $I_{LIM}$ | $V_{IN}$ = 12V | 0.750 | A | ||
| Current Limit Prop Delay | 50 | ns | ||||
| Thermal Shutdown | $T_{SD}$ | 160 | ℃ | |||
| Thermal Hysteresis | $Delta T_{SD}$ | 20 | ℃ |
功能描述
工作原理
當輸入電壓和使能電壓達到閾值時,調節器開始切換。它們使用固定電流參考來關閉 MOSFET,并使用輸出電壓谷值閾值來重新開啟 MOSFET。輸出電壓通過內部反饋電阻在 $V{OUT}$ 引腳處被感測,并與 1.2V 的內部參考電壓進行比較,以產生控制信號,決定何時開啟 MOSFET。當電感電流達到零且輸出電壓降至固定的 $V{OUT}$ 閾值以下時,MOSFET 開啟;當電感電流達到 750mA(典型值)的固定 $I{LIM}$ 電流閾值時,MOSFET 關閉。因此,調節器始終在不連續電流模式下運行,并且需要 $V{OUT}$ 紋波來使控制方案正常工作。
開關頻率
開關頻率可以通過改變電感值來編程,其工作頻率取決于電感、輸入電壓和負載電流。由于特定輸入電壓下的峰值電流是固定的,開關頻率與負載相關。每個開關周期內的電荷(或電流)是固定的,因此負載電流的增加會導致開關頻率的增加。在輸入 40V 時,無負載開關靜態電流($I_{Q}$)為 4μA。
峰值電流和傳播延遲
調節器將電感峰值電流控制在 750mA(典型值),但由于電流傳感器的傳播延遲,峰值電流往往會高于 750mA,傳播延遲通常為 50ns。可以使用以下公式近似計算實際峰值電流: $I{peak} = 0.750 + 50 × 10^{-9} × frac{(V{IN} - V_{OUT})}{L}$ 此外,調節器具有最小 MOSFET 導通時間,如果選擇的電感值過小,可能會導致電流高于公式預測值。瑞薩建議最小電感值為 4.7μH 或更高。
軟啟動
RAA211403 和 RAA211405 具有自然的電流限制功能,在上電時會自動提供平滑上升的 $V{OUT}$ 電壓。軟啟動時間大約由以下公式定義: $Soft - Start Time = V{OUT} × [frac{C{OUT}}{(frac{I{peak}}{2}) - I_{LOAD}}]$ 根據評估板的測試數據,不同電感值下的近似軟啟動時間如下:
RAA211403
| Inductor (H) | Soft - Start Time (No Load) (μs) | Soft - Start Time (Full Load) (μs) |
|---|---|---|
| 15 | 135 | 235 |
| 10 | 130 | 210 |
| 6.8 | 125 | 200 |
| 4.7 | 110 | 170 |
RAA211405
| Inductor (H) | Soft - Start Time (No Load) (μs) | Soft - Start Time (Full Load) (μs) |
|---|---|---|
| 15 | 210 | 370 |
| 10 | 190 | 360 |
| 6.8 | 180 | 285 |
| 4.7 | 175 | 265 |
欠壓鎖定
$V{IN}$ 引腳上的欠壓鎖定(UVLO)功能可防止調節器在輸入電壓超過 6.5V(典型值)之前啟動。UVLO 閾值具有約 550mV 的遲滯,因此當 $V{IN}$ 下降到 6V(典型值)以下時,設備才會停止工作。遲滯功能可防止在 $V{IN}$ 非單調上升時器件在啟動過程中關閉。建議盡量縮短從 $V{IN}$ 電源或上游輸入電源到 IC 的電流路徑長度,以防止在 $V_{IN}$ 開關過程中出現抖動。
使能控制
使能引腳(EN)拉高時,器件開啟;拉低時,IC 關閉。EN 上升閾值電壓為 1.2V(典型值),EN 遲滯為 75mV(典型值)。EN 引腳可以直接連接到 $V{IN}$ 以實現始終開啟的操作,也可以通過電阻分壓器連接 $V{IN}$ 來編程 $V_{IN}$ UVLO 閾值。
編程公式
- 計算電阻分壓器比值:$frac{R{EN1}}{R{EN2}} = (frac{V_{INR} - 1.2}{1.2})$
- 計算器件關閉時的輸入電壓:$V{INF} = 1.125 × frac{R{EN1} + R{EN2}}{R{EN2}}$
過流保護(OCP)
RAA211403 和 RAA211405 具有內置的峰值電流保護功能,持續監測 MOSFET 電流,當峰值電流達到 750mA(典型
-
降壓調節器
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其典型 BOM 如下:
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