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高速USB 2.0開關(guān)TS3USB31E:設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

lhl545545 ? 2025-12-24 18:15 ? 次閱讀
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高速USB 2.0開關(guān)TS3USB31E:設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,高速信號(hào)的切換與傳輸至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一款專為高速USB 2.0信號(hào)切換設(shè)計(jì)的開關(guān)——TS3USB31E。

文件下載:ts3usb31e.pdf

一、TS3USB31E概述

TS3USB31E是一款1:1 SPST高帶寬開關(guān),它被精心設(shè)計(jì)用于手機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用中高速USB 2.0信號(hào)的切換。像手機(jī)、數(shù)碼相機(jī),以及帶有集線器或USB I/O有限的控制器的筆記本電腦等設(shè)備,都能看到它的身影。它的帶寬高達(dá)1100 MHz,能夠讓信號(hào)以最小的邊緣和相位失真通過。而且,這個(gè)開關(guān)是雙向的,對(duì)高速信號(hào)幾乎沒有衰減。它具備低比特間偏差和高通道間噪聲隔離的特性,與高速USB 2.0(480 Mbps)等多種標(biāo)準(zhǔn)兼容。

二、TS3USB31E的特性亮點(diǎn)

2.1 電源與控制兼容性

  • 寬電源電壓范圍: $V_{CC}$ 工作電壓范圍為2.25 V 到4.3 V,能適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
  • 控制引腳兼容性:其控制引腳輸入與1.8 - V兼容,方便與其他低電壓設(shè)備集成。

2.2 低功耗與高性能

  • 低導(dǎo)通電阻:最大導(dǎo)通電阻 $r{on }$ 為10 Ω,典型的通道匹配 $Delta r{on }$ 小于0.35 Ω,能有效減少信號(hào)傳輸過程中的損耗。
  • 電容:典型的導(dǎo)通狀態(tài)輸入 - 輸出電容 $C_{io(ON)}$ 為6 pF,有助于提高信號(hào)的傳輸速度。
  • 低功耗:最大功耗僅為1 μA,符合節(jié)能設(shè)計(jì)的需求。

2.3 出色的ESD保護(hù)性能

該開關(guān)在ESD性能測(cè)試中表現(xiàn)優(yōu)異,人體模型(HBM)測(cè)試可達(dá)8000 V(A114 - B,Class II),充電設(shè)備模型(CDM)為1000 V(C101),機(jī)器模型(A115 - A)為250 V。其COM端口到GND的人體模型ESD性能更是高達(dá)15000 V。

2.4 小封裝設(shè)計(jì)

采用8引腳TQFN封裝(1.5 mm × 1.5 mm),節(jié)省了PCB空間,適合小型化設(shè)備的設(shè)計(jì)。

三、TS3USB31E的引腳配置與功能

PIN NO. I/O DESCRIPTION
OE 1 I 總線開關(guān)使能,設(shè)置為高電平可隔離 $D{pm}$ 引腳與 $HSD{pm}$ 引腳;設(shè)置為低電平可連接 $D{pm}$ 引腳與 $HSD{pm}$ 引腳
D+ 3 I/O 數(shù)據(jù)端口
D- 5 I/O 數(shù)據(jù)端口
HSD+ 2 I/O 數(shù)據(jù)端口
HSD- 6 I/O 數(shù)據(jù)端口
N.C. 7 無連接,此引腳必須浮空或接地
GND 4 接地
Vcc 8 I/O 電源電壓

四、TS3USB31E的規(guī)格參數(shù)

4.1 絕對(duì)最大額定值

在使用過程中,要注意各項(xiàng)參數(shù)的絕對(duì)最大額定值,如電源電壓 $V{CC}$ 為 - 0.5 V到7 V,控制輸入電壓 $V{IN}$ 為 - 0.5 V到7 V等。超出這些額定值可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞。

4.2 ESD額定值

ESD額定值體現(xiàn)了器件的抗靜電能力,人體模型(HBM)為 ±8000 V,充電設(shè)備模型(CDM)為 ±1000 V。

4.3 推薦工作條件

為了保證設(shè)備的正常運(yùn)行,建議在推薦工作條件下使用。例如,電源電壓 $V_{CC}$ 為2.25 V到4.3 V,工作溫度范圍為 - 40 °C到85 °C。

4.4 其他參數(shù)

文檔中還給出了熱信息、電氣特性、動(dòng)態(tài)電氣特性和開關(guān)特性等詳細(xì)參數(shù)。這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。例如,典型的帶寬( - 3 dB)為1100 MHz,能滿足高速信號(hào)傳輸?shù)男枨蟆?/p>

五、TS3USB31E的應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

5.1 應(yīng)用場(chǎng)景

TS3USB31E主要用于在USB總線不使用時(shí)將其隔離,防止不同USB設(shè)備之間相互干擾。它可以路由USB 1.0、1.1和2.0的信號(hào),具有廣泛的應(yīng)用前景。

5.2 設(shè)計(jì)要求與步驟

  • 遵循標(biāo)準(zhǔn):設(shè)計(jì)時(shí)需遵循USB 1.0、1.1和2.0標(biāo)準(zhǔn)的要求。
  • 控制引腳處理:建議將數(shù)字控制引腳OE上拉到 $V_{CC}$ 或下拉到地,避免因引腳浮空導(dǎo)致開關(guān)位置異常。
  • 外部組件:該開關(guān)可以在沒有任何外部組件的情況下正常工作,但為了防止信號(hào)反射,建議將未使用的引腳通過50 - Ω電阻接地。同時(shí),N.C引腳必須保持浮空。

5.3 布局注意事項(xiàng)

  • 電容放置:將電源旁路電容盡可能靠近 $V_{CC}$ 引腳放置,避免靠近D + 和D - 走線。
  • 走線長(zhǎng)度與阻抗匹配:高速D + 和D - 走線長(zhǎng)度必須相等且不超過4英寸,其阻抗要與電纜的特性差分阻抗匹配,以保證最佳性能。
  • 減少信號(hào)反射:高速USB信號(hào)走線應(yīng)盡量減少過孔和拐角的使用。如果必須使用過孔,要增大其周圍的間隙尺寸。當(dāng)需要轉(zhuǎn)彎時(shí),使用兩個(gè)45°轉(zhuǎn)彎或圓弧代替90°轉(zhuǎn)彎。
  • 避免干擾源:不要將USB走線布置在晶體、振蕩器時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器、開關(guān)穩(wěn)壓器、安裝孔、磁性設(shè)備或使用時(shí)鐘信號(hào)的IC附近。
  • 避免Stub:高速USB信號(hào)應(yīng)避免出現(xiàn)Stub,如果無法避免,Stub長(zhǎng)度必須小于200 mm。
  • 多層板設(shè)計(jì):建議使用至少四層的印刷電路板,將大部分信號(hào)走線布置在同一層,緊鄰的層為完整的接地平面。

六、TS3USB31E的文檔與支持

6.1 相關(guān)文檔

包括《High Speed Layout Guidelines》和《USB 2.0 Board Design and Layout Guidelines》等,這些文檔為工程師提供了更詳細(xì)的設(shè)計(jì)指導(dǎo)。

6.2 文檔更新通知

通過ti.com上的設(shè)備產(chǎn)品文件夾,注冊(cè)“Alert me”可以接收文檔更新的每周摘要通知。

6.3 社區(qū)資源

TI E2E? 在線社區(qū)和設(shè)計(jì)支持平臺(tái)為工程師們提供了交流和解決問題的渠道。

6.4 ESD注意事項(xiàng)

由于該器件的內(nèi)置ESD保護(hù)有限,在存儲(chǔ)或處理時(shí),應(yīng)將引腳短接或放置在導(dǎo)電泡沫中,以防止MOS柵極受到靜電損壞。

TS3USB31E以其出色的性能和豐富的特性,為高速USB 2.0信號(hào)切換提供了可靠的解決方案。在設(shè)計(jì)過程中,工程師們需要充分了解其規(guī)格參數(shù)和應(yīng)用要點(diǎn),合理布局,以確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用TS3USB31E的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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